日前，韩国半导体公司SK 海力士宣布推出全球首个DDR5 DRAM模块。从一开始，它就通过JEDEC标准化与英特尔密切合作，开发下一代DRAM规格和技术，这将确保DDR5达到其性能目标，并易于被共同客户采用。SK海力士表示，其DDR5 DRAM “针对大数据，人工智能（AI）和机器学习（ML）作了优化，作为DRAM的下一代标准”。全球其他重要厂商也利用SK hynix实验室，系统测试和仿真设施为推出新型高速高密度DRAM做好了准备。 在发布上述公告之前，SK海力士已经发布了一系列DDR5故事，概述了其计划。值得注意的是实际上SK 海力士推出的产品规格： 传输速率为4,800〜5,600Mbps工作电压为1.1V降低功耗和运营成本借助TSV，最大可支持256GB模块 SK 海力士表示，它的DDR5 DRAM可以在一秒钟内传输相当于9幅FHD电影（每幅5GB）的速度，以此来说明使用公共或花园参考点的传输速度。此外，其功耗比DDR4 DRAM低20％。请记住，JEDEC公布的规范指出最大标准数据速率为6,400Mbps（最高为8,400Mbps），但预计首批产品的启动速度会降低。 SK 海力士详细介绍了新产品的可靠性，称其DDR5芯片内部具有纠错码（ECC），因此芯片本身甚至可以纠正1位级别的错误。为了提高设备密度，SK 海力士补充了其DDR5还使...
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习近平总书记前不久在经济社会领域专家座谈会上指出：“我们更要大力提升自主创新能力，尽快突破关键核心技术。这是关系我国发展全局的重大问题，也是形成以国内大循环为主体的关键。”由此可见，推动形成以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，科技创新要发挥更强有力的作用，因而也要求我们加快建立和完善技术创新体系。实现高质量发展，必须实现依靠创新驱动的内涵型增长。这些年来，我国创新驱动发展战略深入实施，技术创新体系日益受到重视。在一系列政策措施的推动下，我国技术创新体系的建设确实已经取得了不少成绩。企业创新主动性增强，技术创新的市场导向逐步增强，产学研合作组织不断完善，有效推动了我国产业升级和经济发展质量效益的提升。但同时也要清醒地看到，目前仍存在企业主体地位不强、市场作用发挥不够、产学研协同创新组织机制不健全等问题，导致技术优势转化为产业优势的能力不足，总体上创新能力尚不适应高质量发展要求。党的十九届四中全会通过的《中共中央关于坚持和完善中国特色社会主义制度、推进国家治理体系和治理能力现代化若干重大问题的决定》强调，“建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，支持大中小企业和各类主体融通创新，创新促进科技成果转化机制”。《中共中央 国务院关于新时代加快完善社会主义市场经济体制的意见》将“建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系”作为“全面完善...
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9月27日，国家知识产权局同意建设中国（山西）知识产权保护中心，全国知识产权保护中心数量达到37家。山西保护中心是山西省布局建设的第一家，同时也是中部地区第一家可面向全省服务的知识产权保护中心。山西保护中心面向新能源和现代装备制造产业开展知识产权快速协同保护服务，将通过提升知识产权保护和服务水平，改善营商环境，围绕中部崛起做文章，持续推进山西省能源革命和资源型经济转型发展，走创新引领高质量发展的道路。
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每年的第三、四季度都是半导体产业的旺季，而8月，正处于第三季度的中段，也是整个产业链进入旺季后的上升时段。通常，产业链各个环节厂商的业绩都在该月有良好的表现，今年自然也不例外。不过，由于2020年突如其来的疫情，以及受华为芯片元器件供应链即将断裂这一情势的影响，今年8月的行情又显得有些特别。进入9月以后，无论是半导体设备，还是晶圆代工、封装测试、IC设计厂商，特别是那些在各自领域名列前茅的企业，出货和营收情况都不错。基于此，预计全球半导体业在今年第三季度的整体表现一定会很亮眼。半导体设备出货创新高SEMI公布的最新报告显示，8月北美半导体设备制造商出货金额持续攀升，达26.53亿美元，环比增长3%，同比增长32.5%，为2018年5月来的新高，并创下连续11个月超过20亿美元的佳绩。SEMI全球营销长曹世纶表示，8月北美设备销售额表现亮眼，相较于去年同期呈现强劲增长，尽管最新制裁禁令可能会带给供应链不确定性，但半导体设备市场需求仍维持增长。8月，日本半导体设备销售额达到1884.07亿日元，同比增长17.30%，环比增长0.23%，也呈现出了较好的增长态势。相比于今年的状况，2019年明显疲软。据统计，2019年全球排名前10的半导体设备商的总销售额为590.4亿美元，与2018年的615.4亿美元相比，下降了4.07%。这其中，美国的应用材料以134.7亿美元的销售额位列全球第一...
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9月19日，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式，基地已进入量产准备阶段。此前，三安光电斥巨资在长沙建设第三代半导体产业园，哈勃科技投资有限公司也出手投资了国内领先的第三代半导体材料公司。“投资热”的戏码频繁上演，表明第三代半导体产业的发展已成为半导体行业实现突破的关键环节。格局呈美欧日三足鼎立态势由于基于硅材料的功率半导体器件的性能已接近物理极限，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体凭借其优异的材料物理特性，在提升电力电子器件性能等方面展现出了巨大潜力。特性优越、应用广泛的第三代半导体材料吸引了国内外企业纷纷对其加码抢滩，而碳化硅和氮化镓无疑是第三代半导体发展的核心方向。全球SiC的产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势。美国的科锐、德国的英飞凌、日本的罗姆这三家公司占据了全球SiC市场约70%的份额，其中科锐、罗姆实现了从SiC衬底、外延、设计、器件及模块制造的全产业链布局。SiC的产业链主要由单晶衬底、外延、器件、制造和封测等环节构成。在全球SiC产业链中，美国占据全球SiC市场70%～80%的产量，拥有科锐、道康宁、II-VI等在SiC生产上极具竞争力的企业。欧洲在SiC产业链的单晶衬底、外延、器件等环节均有布局，拥有较完整的SiC产业链。欧洲在该领域内的代表公司有英飞凌、意法半导体等，且主流器件生产厂商采用IDM模式。日本则是设备、器件方面...
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9月15日，在山西省工业和信息化厅（以下简称“山西省工信厅“）组织指导下，国家工业信息安全发展研究中心集成电路知识产权联盟（以下简称”中集知联“）在山西省工信厅召开了集成电路知识产权联盟山西分联盟（以下简称“山西分联盟”）成立会。山西省工信厅电子信息处副处长董阳照，中集知联秘书长杨晓丽，秘书处卿高山、田甜、杨逸航、张浩杰，以及来自太原理工大学物理与光电工程学院、中北大学仪电学院、中电科三十三所、中电科二所、风华信息、烁科、中科潞安紫外、北纬三十八度、华晶恒基、国惠光电、高科华烨、中电科新能源、山西长城、山西百信、龙芯中科、量子芯云、中标软件、国科晋云等18家发起单位的相关负责人参加了会议。会上，杨晓丽代表中集知联对山西省工信厅的指导支持及各参会单位的积极响应表示感谢，并系统介绍了中集知联的基本情况、总体目标、运作原则以及研究成果等内容。秘书处卿高山和杨逸航分别介绍了山西分联盟的成立背景、实施方案以及联盟章程和各项管理制度。经发起单位一致表决，审议通过了山西分联盟章程和各项管理制度。发起单位通过表决一致选举电科二所担任山西分联盟理事长单位，杨晓丽秘书长兼任山西分联盟秘书长，卿高山、中科潞安紫外和烁科担任山西分联盟副秘书长。根据议程安排，理事长单位代表、副秘书长分别表态发言。山西分联盟将在山西省工信厅的指导支持下，以山西分联盟为平台载体，逐步导入资源，支撑山西集聚集成电路产业人才、汇聚...
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