行业资讯|三星2017年半导体投资或超200亿美元,重注押宝3D NAND

日期: 2013-12-11
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近日,新韩投资公司(Shinhan Investment)宣称,三星电子2017年在半导体方面的资本支出可能达到219.5亿美元(24.5万亿韩元),比2016年支出增长85.6%。此前三星半导体资本支出最高值出现在2015年,当年总共花费131.7亿美元。

新韩投资分析师Choi Do-yeon表示,在NAND型闪存上,三星将投资约108亿美元,在非存储类逻辑芯片方面(包含代工业务),投资将达71.7亿美元。他说:“这是三星的好机会。可以预见,在领先其他竞争对手进入3D NAND量产以后,通过新增投资,三星将在中远期不断扩大市场份额。三星在闪存方面的投资,将主要用在位于平泽市的Fab 18工厂二层产线建设及在中国西安的第二座工厂。”

三星官方对此消息回应中,并未透露资本支出预算金额。“因为还存在太多变数,所以我们还没有确认今年的投资计划,不过可以确认的是,今年投资一定会比去年多。”

第一季度三星电子总资本支出为88亿美元,其中半导体资本支出45亿美元,显示器资本支出为37.3亿美元。 

由于存储器价格居高不下,多家分析机构都预测三星在2017年第二季度将取代英特尔,成为全球第一大半导体厂商,也将终结英特尔连续24年称霸半导体的历史。

在三星刚开始进入半导体行业时,三星电子创始人李秉哲曾表示,三星要成为全球第一大半导体厂商,并将在全球半导体行业之巅保持一百年。

不过,只有德州仪器,曾经做过25年半导体老大。


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