新兴的非易失性存储器（eNVM）在CMOS的基础上，拓展了应用范围。在几种选择中，相变存储器，自旋转移转矩随机存取存储器（STT-RAM）、电阻式随机存取存储器（RRAM），以及英特尔的Optane等是主要的新兴存储技术。尽管有COVID-19疫情影响，还有贸易争端，再有，英特尔的Optane DIMM延迟，以及许多其它负面影响因素，但新兴的存储市场仍将在未来十年中显着增长。由Objective Analysis和Coughlin Associates联合发布的最新报告“新兴存储找到了方向”表明，新兴存储技术正在迅速发展，到2030年的总收入将达到360亿美元。这是由两种动力驱动的：首先是当今领先的嵌入式存储技术SRAM和NOR闪存无法有效扩展到28nm以上，因此将被嵌入式磁阻RAM（MRAM）或其他技术取代；第二个因素是采用了英特尔的Optane DIMM，正式称为“ Optane DC持久存储模块”，它有望抢占服务器DRAM市场的大量份额。美光和英特尔推出了3D XPoint存储技术，其使用了一种相变技术，具有很高的耐用性，性能比NAND好得多，尽管它比DRAM慢一些，但密度比DRAM高。这些优点正在影响市场对传统DRAM的需求。英特尔于2017年推出了采用Optane技术（基于3D XPoint）的NVM SSD，并于2019年开始销售Optane DIMM模块。另外，磁性R...
发布时间 :
2020
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06
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