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  • 近日,2019年秋季“集成电路产业课程进校园”开班仪式在各相关承办院校相继举行。11月6日上午,晋江职业中专学校举行“集成电路产业课程进校园”开班仪式这是继年初开展的春季“集成电路产业课程进校园”活动取得良好成效后,福建省集成电路产业建设筹备工作组、泉州半导体高新技术产业园区晋江分园区管理委员会、中共晋江市委人才办、晋江市教育局,以及在地各院校再次牵手推进的集成电路人才在地培养的有效举措。 秋季“集成电路产业课程进校园”开班仪式在各院校相继举行此次参与秋季“集成电路产业课程进校园”活动的在地学校包括泉州职业技术大学、泉州轻工学院、晋江职业中专学校、晋江华侨职业中专学校、安海职业中专学校、晋江晋兴职业中专学校、闽南理工学院共7所院校,涵盖中职、高职、本科等不同院校。 当前,晋江集成电路产业上下游企业落地发展,对集成电路相关性人才的需求更加明显。“集成电路产业课程进校园”活动,是晋江探索有效解决集成电路产业面临的人才紧缺问题,持续做大集成电路人才基数,精准培育多层次结构化的产业型人才梯队的积极尝试。筹备组人才组副组长陈永益前往各所院校参加开班仪式据了解,课程主要目的在于强化本地和周边院校学生对集成电路新兴产业的认知度、提升认同感,从而引导毕业后选择就职本地集成电路产业;同时,传授相应基础知识和基本技能,缩短人才产学差距,促进企业用工需求与院校人才培养形成无缝衔接。该...
    发布时间 :  2019 - 11 - 12
  • 11月11日,以“知识产权与开放型经济”为主题的第四届紫金知识产权国际峰会在南京开幕。国家知识产权局局长申长雨,江苏省委常委、南京市委书记张敬华,江苏省副省长马秋林、欧洲专利局局长安东尼奥·坎普诺斯出席开幕式并致辞。世界知识产权组织总干事弗朗西斯·高锐发来视频致辞。  申长雨指出,此届峰会的主题高度契合当前中国扩大开放、推动经济高质量发展的需要,具有重要的现实意义。产权保护特别是知识产权保护是塑造良好营商环境的重要方面,是构建开放型经济的重要支撑,中国政府始终高度重视,在完善知识产权保护法律体系、提高知识产权审查质量和效率、加强知识产权保护国际合作等方面取得积极进展。站在新的历史起点上,中国开放的大门只会越开越大,保护知识产权的力度也只会越来越强,国家知识产权局将更大力度加强知识产权保护国际合作,努力营造市场化、法治化、国际化的营商环境,更好支撑开放型经济发展。  张敬华表示,近年来,南京充分运用科技、行政、经济、法律等多种手段,大力推动知识产权创造、运用、保护协同并进。作为全国首批知识产权强市创建市、国家知识产权运营服务体系建设重点城市,南京将坚持把创新驱动发展和知识产权工作摆在更加突出的重要位置,把健全知识产权保护制度作为推进治理体系和治理能力现代化的重要环节,坚定不移实施知识产权战略、建设知识产权强市。  马秋林表示,江苏一直高度重视知识产权工作,我们坚持...
    发布时间 :  2019 - 11 - 11
  • 11月10日,记者今天从中国科学院金属研究所获悉,该所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”,成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,并将其截止频率由兆赫兹提升至吉赫兹领域。相关成果已于近日在线发表于国际学术期刊《自然•通讯》。据该成果论文的通讯作者、中科院金属所研究员孙东明介绍,这一研究工作提升了石墨烯基区晶体管的性能,未来将有望在太赫兹领域的高速器件中应用,为最终实现超高速晶体管奠定了基础。(硅-石墨烯-锗晶体管相关器件示意图)1947年,第一个双极结型晶体管诞生于美国贝尔实验室,引领人类社会进入信息技术的新篇章。在过去的几十年里,提高双极结型晶体管的工作频率,成为科学界的不懈追求,异质结双极型晶体管和热电子晶体管等高速器件相继被研究报道。然而,当需要进一步提高频率时,这些器件遭遇了瓶颈。异质结双极型晶体管的截止频率,最终被基区渡越时间所限制,而热电子晶体管的发展,则受限于无孔、低阻的超薄金属基区的制备难题。石墨烯,这个性能优异的二维材料,近年来倍受关注。科学界提出将石墨烯作为基区材料制备晶体管,其原子级厚度将消除基区渡越时间的限制,同时其超高的载流子迁移率也有助于实现高质量的低阻基区。“目前已报道的石墨烯基区晶体管,普遍采用隧穿发射结,然而隧穿发射结的势垒高度,严重限制了该晶体管作为...
    发布时间 :  2019 - 11 - 11
集成电路被称为信息技术产业的“粮食”,是所有电子产品的核心部件。但与此同时,集成电路也是一个“烧钱”的行业。流片作为芯片生产过程中重要的一环,也是极为耗钱的一个环节。 以台积电的5nm与7nm为例,据透露,台积电5nm全光罩流片费用大概要3亿人民币,而且费用还不包含IP授权,所以目前看来只有苹果和华为海思准备切入到这一最先进的工艺节点,其他家芯片厂都还在考虑阶段。台积电第二代7nm EUV工艺的流片费用大约为3000万美元,大约在2亿人民币左右。 尽管鲜有本土IC企业会触及5nm、7nm工艺,但从其中也能感受到流片费用的耗钱程度。 因此,“流片补贴”也成为我国集成电路相关政策中重要的补贴项目。深圳 今年4月29日,深圳市人民政府办公厅印发了《关于加快集成电路产业发展若干措施》,多措施推进深圳集成电路产业重点突破。 其中,专门指出将加强对设计企业流片支持。对于使用多项目晶圆进行研发的设计企业,给予多项目晶圆直接流片费用最高70%、年度总额不超过300万元的资助。对于首次完成全掩膜工程产品流片的企业,给予流片费用最高50%、年度总额不超过500万元的资助。 此外,深圳坪山科技创新局还专门开展了2019年集成电路第三代半导体专项资金申报工作。 在支持流片专项资助方面,对集成电路设计企业参加MPW项目,按MPW直接费用的...
发布时间 :  2019 - 08 - 06
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据中新网8月3日报道, 国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统已经受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。据了解,长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体。根据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示,武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展,长江存储器基地一期已实现量产,一季度产能达到5000片/月,办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。2019年7月3日,湖北省委副书记、省长王晓东在调研国家存储器基地时指出,要优化环境、全力支持,更大力度争取国家支持并落实支持政策,完善服务机制,当好项目“秘书”,解决实际难题,全力保障国家存储器基地建设,为加快“一芯两带三区”区域和产业发展布局提供重要支撑。据了解,国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。根据此前的资料显示,长江存储今年底前将正式量产64层3D NAND产品,明年将直攻128层以缩减与其他供应商的差距。国家存储器基地的建立,以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,标志着芯片自主创新之路迈出可靠而...
发布时间 :  2019 - 08 - 05
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近日,中兴通讯H股入选富时社会责任指数系列(FTSE4Good Index Series),自2018年首次被纳入富时社会责任指数系列以来,中兴通讯连续第二次入选。 富时社会责任指数是一项在全球范围内得到广泛认可的社会责任投资指数,旨在衡量企业在环境、社会和公司治理等方面的杰出表现,并为负责任的投资者提供一系列基准和交易指数。该指数系列包括超过15支基准,基于对46个发达市场和新兴市场逾3,000只股票的研究为依据。入选公司必须在满分为5分的ESG评级中取得至少3.1分,才可加入。此次入选,进一步证明了国际社会对中兴通讯在环境、社会和公司治理等方面努力的肯定。不断优化企业经营与管理中兴通讯明确合规红线,将合规嵌入业务流程,加强合规稽查,实现闭环管控,构建一流的合规管理体系,为公司创造价值。强化内部控制,优化治理结构,防范企业风险,从严追究违法行为,打造系统的审计监督体系,净化经营环境,守护公司价值。勇于承担环境与社会责任中兴通讯充分识别环境与社会的风险因素,在公司内部建立了行之有效的政策和管控措施,全面加强和供应链的协作。完善公司节能减排委员会,采取多项措施降低公司运营和产品对环境的影响;围绕公司主业,构建人才高地,建设、培养、激励并激活了能够支撑公司未来发展的人才队伍;制定健康安全工作愿景,调整健康安全组织架构,任命公司首席健康安全官;围绕教育扶贫、医疗扶贫、弱势救助三...
发布时间 :  2019 - 08 - 05
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纳米片器件计划最快在2021年用于3纳米节点。即将出现的新形状:纳米片场效应晶体管使电流流经多叠层硅片,这些硅片完全被晶体管栅极所环绕。这种设计减少了电流泄漏的途径,并增加了器件所能传输的电流量。现代微处理器是世界上最复杂的系统之一,不过其核心却是很简单、我们认为很精巧的装置:晶体管。如今一块微处理器里面就有数十亿个晶体管,它们几乎一模一样。因此,想使微处理器及其驱动的计算机更顺畅地工作,提高这些晶体管的性能和密度是最简单直观的方法。这就是摩尔定律的前提,尽管现在摩尔定律几乎走到尽头。众所周知,为微处理器制造尺寸更小性能更好的晶体管变得越来越难,更不用说成本高昂了。只有英特尔、三星和台积电才有实力专注于器件小型化的这个前沿。它们都在制造相当于所谓的7纳米节点的集成电路。这个名称是摩尔定律早期时代的遗迹,不再具有明确的实际意义,不过体现了集成电路上元件和器件小型化的程度。目前,7纳米最先进,但三星和台积电在4月宣布它们开始转向下一个节点:5纳米。三星还发布了另外几个消息:它认定业界近十年来一直使用的那种晶体管已走到头了。针对下一个节点3纳米(应该会在2020年前后开始限量生产),它正在开发一种全新的设计。这种晶体管设计名称不一:环绕栅极(gate-all-around)、多桥沟道和纳米束,但在研究界我们一直称之为纳米片(nanosheet)。名称不是很重要。重要的是,这种设计不只是逻...
发布时间 :  2019 - 08 - 05
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2019年8月伊始,SSD固态硬盘市场传来好消息,得一微电子成功牵手台电科技,为其SSD固态硬盘产品供应得一微电子的存储控制芯片。品质至上,精益求精台电科技是国内消费电子行业最有影响力的品牌之一,始终坚持品质至上,精益求精的原则,严格控制品质。此次选择得一微电子的SSD控制芯片,显示出对得一微电子其产品的高度认可。 之所以能够打入台电科技SSD的供应链,得一微电子市场总监罗挺表示,最主要的原因是得一微电子具有专业的技术,全面的服务以及提供成熟领先的主控方案。 他说,得一微电子可以给客户提供从主控芯片到固件方案,再到闪存芯片的配对等一整套固态硬盘的解决方案,还能够根据厂商的个性化需求进行定制化的服务。 同时,得一微电子的闪存控制芯片拥有完全的自主知识产权,产品和技术自主可控,令客户能够放心地选择。 据悉,此次并非双方的第一次合作,双方在存储U盘项目有着长期稳定的合作,得一微主控品质稳定可靠,经受住了市场长期的考验。 如今,在SSD固态硬盘领域,台电科技依然选择与得一微电子合作,不仅是因为过往愉快的合作建立的信任关系,更是因为得一微SSD主控性能高,稳定性强,通过了台电严格的品质检测。 深耕市场,布局未来对于此次固态存储项目的合作,得一微电子与台电科技的高管均表示充满信心。罗挺说,很高兴得一微电子与台电科技的合作拓展至SSD固...
发布时间 :  2019 - 08 - 02
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