三星和SK海力士2020年投产HBM2E Flashbolt DRAM
日期：
2020-02-05
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韩国存储器大厂三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高宽带）DRAM。这是第3代HBM技术，未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。
三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年内，于Nvidia 2019年GTC（GPU技术大会）首次宣布Flashbolt HBM DRAM，这项储存技术预计用于AMD和Nvidia即将推出的高性能GPU。三星第3代HBM技术，HBM2E Flashbolt DRAM可达到每针脚最高3.2Gbp/s的最大数据传输速度，较前一代最高2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。三星解释，就是1秒内能传输82部高画质影片。另外，透过缓冲芯片顶部垂直堆栈的8层10纳米级（1y）16Gb DRAM，可达16GB最大容量。该HBM2E封装是以40,000多个直通硅通孔（TSV）微型凸块的精确排列互连，每个16Gb芯片均包含5,600多个此类微小孔。三星指出，在超频环境下，HBM2E Flashbolt DRAM可提供每针高达4.2Gb/s数据传输速率，和538GB/s的DRAM频宽。三星表示，这些DRAM芯片将于2020上半年投产。目前除三星外，韩国另一家存储器大厂SK Hynix也正在积极开发HBM2E的DRAM产品，预计也是2020年投产，使HBM2E DRAM产品市场竞争加剧。
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