台积电董事长刘德音昨（31）日主持台湾半导体产业协会（TSIA）年度论坛结语时透露，台积电会加大研发能量，将于竹科新建研发中心，打造成台湾的贝尔实验室，预计再扩增8,000名研发大军，投入未来二、三十年科技和材料研发及半导体产业的基础研究。
台积电目前在晶圆代工先进制程领先全球，这是刘德音首次针对台积电即将打造的全新研发中心，提出未来研发方针及定位。业界解读，台积电此举将可更进一步巩固领先地位，狠甩英特尔、三星等劲敌。
台积电过去五年已投资逾500亿美元在技术研发，以台积电打算打造台湾贝尔实验室的计划，预定未来几年仍会投入数百亿美元在新科技和新材料的研发，持续扮演台湾半导体业领头羊。
台积规划新研发中心，基地位于新竹县宝山乡，面积约32.7公顷，已向竹科管理局提出扩建计划，目前全案已进入环评补件阶段，根据台积电之前的资料，整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设，耗资超过4000亿新台币，折合879亿人民币或者130亿美元。。台积电幕僚表示，未来台积电3纳米以下的研发都会在此研发中心进行。
由于摩尔定律逐渐到了物理极限，3nm被认为是最后的一代硅基半导体工艺，因为1nm节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题，三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
与三星相比，台积电并没有公布过3nm工艺的具体技术细节，预计也会改用全新结构的晶体管工艺，只不过目前尚无明确消息。
但台积电方面表示，他们 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。
目前，3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比5nm工艺能提升多少，只是说3nm将是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。
台积电只是说，已经评估了3nm工艺所有可能的晶体管结构设计，并与客户一起得到了非常好的解决方案，具体规范正在进一步开发中，公司有信心满足大客户们的所有要求。
台积电此前曾披露，计划在2022年就量产3nm工艺。
台积电追求技术自主，这几年持续扩大研发规模，经费逐年提高，去年研发经费已占营收的8%，约达858.95亿元新高，较前年的807.32亿元增加，也超越台湾半导体业界，今年占比估为8.6%，金额站上千亿元，再写新猷。
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