自SK海力士官网获悉，11月21日，SK海力士官方宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）14D NAND闪存。
SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。
据悉，SK海力士在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug2”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形3材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。
此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。
SK海力士NAND闪存开发相关负责人表示，率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储（Storage，存储装置）市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，将跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。
来源：未来半导体