2月19日，泛林集团宣布推出全球首个利用金属钼的能力生产尖端半导体的工具ALTUS Halo，可以为先进半导体器件提供卓越的特征填充和低电阻率、无空隙钼金属化的高精度沉积。
泛林集团表示，ALTUS Halo是ALTUS产品系列的最新成员，目前正在与所有领先的芯片制造商进行资格认证和爬坡，它代表了半导体金属化新时代的转折点，为未来人工智能、云计算和下一代智能设备的高级存储器和逻辑芯片的扩展铺平了道路。
ALTUS Halo利用钼的潜力随着下一代应用的性能要求不断提高，对更先进半导体和新制造工艺的需求也在增加。金属的逐原子沉积在当今所有尖端芯片的制造中都是必不可少的。钨基原子层沉积技术由泛林集团率先提出，二十多年来一直是用于接触和线的沉积和无空隙填充的主要金属化技术。然而，为了在未来扩展NAND、DRAM和逻辑器件，芯片制造商需要将金属化程度转变为超越目前钨集成所能实现的程度。凭借ALTUS Halo，泛林集团在半导体行业从钨到钼的过渡中发挥着领导作用。
“基于泛林集团深厚的金属化专业知识，ALTUS Halo是 20 多年来原子层沉积领域最重大的突破，”Lam Research 高级副总裁兼全球产品集团总经理Sesha Varadarajan 说。“它汇集了泛林集团的四站模块架构和ALD技术的新进展，为大批量制造提供工程化的低电阻率钼沉积，这是新兴和未来芯片变化的关键要求，包括1000层3D NAND、4F2DRAM 和先进的gate-all-around logic。
来源：芯智讯