2月25日，美光科技公司（Micron Technology）宣布推出采用极紫外光刻技术（EUV）的1γ（1-gamma）工艺制造的16Gb DDR5内存芯片。这一新型内存器件不仅在性能上超越了前代产品，还在功耗和制造成本方面取得了显著优化。美光计划将1γ工艺逐步推广至其他DRAM产品线，包括GDDR7、LPDDR5X以及数据中心级存储产品，使其成为未来存储产品的核心工艺。
美光的1γ工艺DDR5内存芯片数据传输速率达到9200 MT/s，远高于当前DDR5标准规格的最高速率。与前代采用1β工艺的16Gb DDR5芯片相比，1γ工艺芯片的功耗降低了20%，比特密度提高了30%。美光表示，随着新芯片产量的提升，其生产成本有望进一步降低，从而在市场中更具竞争力。
此外，美光强调，该芯片能够在JEDEC标准速度等级下稳定运行，同时更高的速度等级将为未来的验证和与下一代CPU的兼容性提供支持。美光还计划推出基于CXL（Compute Express Link）的内存模块，其速度有望突破JEDEC标准，达到10000 MT/s以上，为高性能计算和数据中心应用提供更强大的支持。
美光的1γ工艺是其首次引入EUV光刻技术的制造节点。EUV技术的引入使得美光能够在关键层上实现更精细的图案化，从而减少多模式DUV（深紫外光刻）技术的使用，显著缩短生产周期并提升产量。美光并未透露1γ工艺中EUV层的具体数量，但明确表示1γ工艺结合了EUV和多模式DUV技术，并采用了下一代高k金属栅极技术和全新的后端线（BEOL）电路。
美光DRAM技术开发高级副总裁Shigeru Shiratake表示：“1γ工艺不仅引入了EUV技术，还结合了下一代高k金属栅极CMOS和先进的后端工艺，实现了9200 MT/s的数据传输速率，性能较1β DRAM提升了15%，功耗降低了约20%。”
目前，美光正在与笔记本电脑和服务器制造商合作，对1γ工艺制造的16Gb DDR5芯片进行抽样测试。预计相关产品将在一到两个季度内完成认证，这意味着美光的1γ工艺DDR5芯片有望在2025年中期正式进入零售市场。美光计划将1γ工艺逐步推广至台式机、笔记本电脑和服务器等全系列内存模块，以满足不同市场的需求。
美光的1γ工艺不仅为台式机提供了更高的性能，还为笔记本电脑和服务器降低了功耗，使其在各个细分市场都具备显著的优势。随着1γ工艺的成熟，美光还计划将其应用于其他存储产品，如GDDR7、LPDDR5X（最高支持9600 MT/s）以及数据中心级产品，进一步巩固其在存储市场的领先地位。
目前，美光的1γ工艺DRAM主要在日本的晶圆厂生产，该公司于2024年在日本安装了首台EUV设备。随着1γ工艺产量的提升，美光计划在日本和台湾的晶圆厂增加更多的EUV系统，以满足市场需求。
美光此次推出的1γ工艺DDR5-9200内存芯片，不仅展示了其在EUV技术应用上的突破，也为未来的高性能存储市场树立了新的标杆。
来源：芯片行业