近日，英国南安普敦大学宣布，成功开设了日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的尖端电子束光刻 (EBL) 中心，可以制造下一代半导体芯片。这也是全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。
据介绍，该电子束光刻中心采用了日本JEOL的加速电压直写电子束光刻 (EBL) 系统，这也是全球第二台200kV 系统（JEOL JBX-8100 G3）（第一台在日本），其可以在 200 毫米晶圆上实现低于5纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至 10 微米的光刻胶中实现，且侧壁几乎垂直，可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。JEOL的第二代EBL 设备——100kV JEOL JBX-A9 将计划用于支持更大批量的 300 毫米晶圆。
来源：中电网