2025年10月，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上正式宣布量产LPDDR5X系列产品，最高速率突破10667Mbps，标志着国产存储技术首次跻身国际主流水平。这一突破不仅打破了海外厂商在高端移动内存市场的垄断，更以66%的性能提升和30%的功耗优化，为5G时代智能终端性能升级提供了关键支撑。
作为第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器，LPDDR5X通过创新的封装技术和内存架构优化，实现了三大核心突破：速率跃升、能效优化和兼容性增强。最高速率达10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%，可轻松支撑8K视频连拍、高帧率游戏等高频场景；功耗降低30%，工作电压进一步下探，显著延长移动设备续航；同时完整兼容LPDDR5标准，支持平滑升级路径。其中，10667Mbps速率产品已启动客户送样，其性能实测显示，运行大型语言模型时响应效率提升显著，有效解决了端侧AI应用的内存带宽瓶颈。
长鑫存储首创的uPoP®小型封装技术成为另一亮点。该封装通过三维堆叠设计，将内存颗粒与逻辑芯片集成于单一封装内，厚度可挑战0.58mm极限，满足旗舰手机"更轻更薄"的设计需求。这一创新不仅缩小了主板占用空间，更通过缩短信号传输路径进一步提升了能效比。
此次突破具有三重战略价值：技术对标方面，速率与SK海力士2024年量产的同规格产品完全持平，实现国产存储首次技术并跑；生态突破方面，产品覆盖12Gb/16Gb颗粒、12GB-32GB模组全形态，已与多家国产终端品牌完成验证；产能跃升方面，随着2025年底产能达30万片/月，LPDDR5X市场份额有望快速提升。
在AI应用爆发与终端性能竞赛白热化的背景下，长鑫存储的突破不仅为国产高端设备提供了"内存自主"的解决方案，更通过uPoP封装等创新技术，为全球移动存储市场开辟了新的技术路径。这一里程碑式进展，预示着国产存储产业正从技术追赶迈向创新引领的新阶段。
来源：SISC半导体芯科技