随着第六代高带宽存储器（HBM4）在存储半导体行业的竞争日趋激烈，对下一代HBM的需求也日益凸显，促使三星电子和SK海力士加快研发步伐。从第七代HBM（HBM4E）开始，下一代HBM的市场预计将从按照既定标准开发和大规模生产的“通用”产品，转向根据客户需求设计和供应核心组件的“定制”产品。
据韩媒报道称，有业内消息透露，三星电子与SK海力士已设定目标，力争最早于明年上半年完成HBM4E的开发工作。据悉，HBM4E将搭载于包括英伟达“Rubin”平台旗舰型号R300在内的全球大型科技企业的新一代人工智能（AI）加速器中。鉴于搭载HBM4E的AI加速器计划于2027年正式发布，相关厂商正加速推进研发，争取在明年下半年完成产品品质验证。
据TrendForce报道，新一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。到了HBM4E，有望从标准化产品转向更多的定制解决方案，其中核心部件将根据个人客户的需求进行定制，这种转变有可能成为影响供应商竞争的一个重要因素。
所谓的定制设计，意思是HBM基础裸片（Base Die）可以根据特定客户的要求来进行设计和制造。能进入定制HBM领域，意味着DRAM厂商需要强大的设计能力和先进的生产工艺，以快速响应客户需求。
从HBM4开始，三星就开始利用自家的代工厂生产基础裸片，这可能是其获得优势的基础。虽然SK海力士也是从HBM4开始将基础裸片的生产转移到代工厂，不过其选择与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产。
来源：半导体行业观察、超能网