近日，新韩投资公司（Shinhan Investment）宣称，三星电子2017年在半导体方面的资本支出可能达到219.5亿美元（24.5万亿韩元），比2016年支出增长85.6%。此前三星半导体资本支出最高值出现在2015年，当年总共花费131.7亿美元。
新韩投资分析师Choi Do-yeon表示，在NAND型闪存上，三星将投资约108亿美元，在非存储类逻辑芯片方面（包含代工业务），投资将达71.7亿美元。他说：“这是三星的好机会。可以预见，在领先其他竞争对手进入3D NAND量产以后，通过新增投资，三星将在中远期不断扩大市场份额。三星在闪存方面的投资，将主要用在位于平泽市的Fab 18工厂二层产线建设及在中国西安的第二座工厂。”
三星官方对此消息回应中，并未透露资本支出预算金额。“因为还存在太多变数，所以我们还没有确认今年的投资计划，不过可以确认的是，今年投资一定会比去年多。”
第一季度三星电子总资本支出为88亿美元，其中半导体资本支出45亿美元，显示器资本支出为37.3亿美元。
由于存储器价格居高不下，多家分析机构都预测三星在2017年第二季度将取代英特尔，成为全球第一大半导体厂商，也将终结英特尔连续24年称霸半导体的历史。
在三星刚开始进入半导体行业时，三星电子创始人李秉哲曾表示，三星要成为全球第一大半导体厂商，并将在全球半导体行业之巅保持一百年。
不过，只有德州仪器，曾经做过25年半导体老大。