年内完成批量生产 SK海力士开发第三代10纳米DDR4 DRAM
日期：
2019-10-21
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10月21日，SK海力士宣布开发第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
根据SK海力士资料，与第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不使用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产。
该款1Z纳米DRAM还支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内的最高速度。且功耗也有显著提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。
据悉，SK海力士第三代10纳米级DDR4 DRAM计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应。
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