10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。
随着会津工厂的投产，加上德州达拉斯现有的氮化镓生产基地，德州仪器内部氮化镓功率半导体的产能将增加四倍。
德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示：“德州仪器已成功认证了8英寸（200mm）氮化镓技术，并开始在日本会津工厂进行大规模生产。到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保公司整个氮化镓半导体产品组合的供应。”
德州仪器指出，氮化镓作为硅的替代材料，在能效、开关速度、电源解决方案的尺寸和重量、整体系统成本以及高温高压条件下的性能等方面都具有优势。
德州仪器依托新氮化镓制造技术，正将氮化镓芯片的拓展至更高的电压——从900V开始并逐步提升至更高压。
此外，德州仪器扩展投资还包括今年早些时候在12英寸（300mm）晶圆上成功开发氮化镓制造工艺的试点。进一步来说，德州仪器扩大的氮化镓制造工艺完全可转移到12英寸技术，使公司能够随时根据客户需求进行扩展，并在未来转向12英寸。
值得一提的是，在12英寸氮化镓方面，除了德州仪器，英飞凌今年9月就已宣布开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。
据悉，12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。
英飞凌表示，因为氮化镓和硅的制造工艺非常相似，其12英寸氮化镓技术的一大优势是可以利用现有的12英寸硅晶圆制造设备。后续，英飞凌将根据市场需求进一步扩大GaN产能。
来源：集邦化合物半导体