据镓仁半导体官微消息，3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。
据悉，镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业记录。
中国氧化镓率先进入8英寸时代，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机，有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。
来源：集成电路材料创新联合体