据报道，半导体行业迎来重大进展。韩国存储巨头SK海力士宣布，将独家为英伟达新一代Blackwell Ultra架构芯片提供第五代12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一合作进一步拉大了SK海力士与三星电子、美光科技等竞争对手的技术差距，并巩固其在高端AI内存市场的领先地位。
技术优势与性能突破
SK海力士的12层HBM3E芯片于2024年9月全球率先量产，单颗最大容量达36GB，运行速度高达9.6Gbps。在配备四个HBM的GPU上运行“Llama 3 70B”大语言模型时，每秒可读取35次700亿个参数，展现了其卓越的数据处理能力。与竞争对手的8层产品相比，SK海力士的12层堆叠设计不仅容量提升50%，还通过优化封装工艺（如Advanced MR-MUF技术）降低了功耗和散热压力。
市场影响与竞争格局
此次独家供应协议标志着英伟达对SK海力士技术的高度认可。此前，SK海力士已与英伟达达成紧密合作，例如2024年11月，英伟达CEO黄仁勋要求其提前六个月供应下一代HBM4芯片。而三星电子虽在2025年2月获得英伟达8层HBM3E的供应批准，但在堆叠层数和性能上仍落后于SK海力士。美光科技虽计划量产12层HBM3E，但未进入英伟达当前供应链，其重点转向2026年HBM4的量产。
未来布局：HBM4加速推进
SK海力士的技术领先不仅限于HBM3E。2025年3月19日，该公司宣布已向客户提供12层HBM4样品，单封装容量36GB，带宽达2TB/s，速度较HBM3E提升60%以上，并计划于下半年量产。此外，其HBM4测试良率已突破70%，为快速商业化奠定基础。
行业展望
随着AI算力需求激增，HBM技术成为半导体竞争的核心战场。SK海力士通过持续创新和与英伟达的深度绑定，或将在未来数年主导高端内存市场。而三星电子虽面临“生死存亡”危机，仍需加大研发投入以扭转颓势。此次合作不仅为英伟达的AI芯片提供了关键支持，也再次凸显了SK海力士在全球半导体产业链中的不可替代性。
来源：半导体国产化