4月29日消息，据媒体报道，中国台湾地区计划加强对先进制程技术出口以及对外半导体投资的管控，相关新规预计将对台积电等企业产生重大影响。
此次修订的规则基于修订后的《产业创新法》第22条，预计将于2025年底生效，不过经济部门表示，该法的实施日期将在各子法规修订后（六个月内）公布，这意味着最早可能在2025年底开始实施。
新的法律措施将强制执行“N-1”技术限制，实质上禁止台积电出口其最新生产节点，并对违规行为处以罚款。
中国台湾地区行政部门赵荣泰确认的“N-1”政策将适用于台积电在美国的计划生产，该政策限制了最先进工艺技术的出口，仅允许将比其早一代的技术部署到国外。
此前，中国台湾地区法规并未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控。此次修订还引入了此前未曾出现的处罚措施：未经事先批准在海外投资的公司可能面临5万至100万新台币（约合人民币22.54万元）的罚款；如果投资已获批准，但公司随后未能纠正已发现的违规行为（例如危害国家安全或损害经济发展），可处以50万至1000万新台币（约合人民币225.4万元）的重复罚款。
不过，鉴于台积电计划在其美国工厂投资1650亿美元，30万美元的罚款几乎不会影响公司的盈利。
此外，经中国台湾地区立法机构三读通过的修订法赋予中国台湾行政部门拒绝或取消海外投资的权力。如果这些投资被发现危害国家安全、损害中国台湾地区经济发展、违反条约义务或导致未解决的重大劳资纠纷，根据新法律，这六个条件得以保留，但现在得到了更高级别的立法支持。修订后的第22条还包括部分或全部拒绝投资或在批准时附加条件的可能性。如果公司获得批准但后来触发任何这些风险，主管部门有权要求采取纠正措施，如果问题严重，则完全撤销该投资。新法律将现有的投资限制从子法规上升为正式立法，并增加了不遵守规定的法律后果。
台积电最先进的制程技术存在相关情况。目前，台积电拥有一个尖端节点：N3P（3nm）制造技术。但到今年年底，它将开始采用N2制程生产芯片，而N2制程将成为其旗舰技术。
然而，从2026年底开始，台积电预计将拥有两个旗舰节点：面向不需要高级供电的客户端应用的N2P，以及面向高功耗HPC（高性能计算）应用、采用Super Power Rail背面供电技术的A16（1.6nm）。
目前尚不清楚哪种制程技术会被视为“旗舰”技术，从而受到出口限制；或者，当台积电推出N2P和A16的后续产品——A14和A16P节点时，中国台湾是否会在一年内禁止这两个节点的出口。
该法规的推出正值地缘政治风险不断上升之际，此前台积电宣布计划将其在美国产能的投资从四年内的650亿美元增加到1650亿美元（具体时间未披露）。
来源：IC Research