据台媒报道，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）正在积极推进其DDR5和LPDDR5 DRAM工艺升级。供应链消息人士透露，长鑫存储的样品近期已通过测试，质量已经与南亚科技的产品相当，目标2025年底量产。
报道称，长鑫存储在2024年年底开始生产其 DDR5 内存，不过长鑫存储当时使用的可能是其相对落后的第 4 代 DRAM 工艺节点（特征尺寸约为16nm，相当于三星2021年推出的第 3 代 10nm 级节点DDR5）来制造其 16 GB DDR5芯片，这就是为什么与三星生产的 16GB DDR5 芯片相比要大40%的原因。这意味着，与三星的DDR5芯片相比，长鑫存储DDR5芯片的制造成本要高得多，这使得长鑫存储DDR5芯片在市场竞争当中处于弱势，且无利可图。
来源：中电网