Gartner报告显示,针对物联网市场, MCU于2020年的出货量将接近40亿颗,增幅远大于同期的FPGA/PLD、CPU、ASIC、AP和ASSP。低功耗是制胜物联网市场的关键。华虹宏力专为物联网打造的0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,具有超低功耗优势,其N/P 管静态漏电< 0.2 pA/μm,同时还支持RF-CMOS无线连接模块的集成。
图:华虹宏力0.11微米ULL eFlash平台参数
可见,华虹宏力0.11微米平台的器件漏电甚至低于业界一些55纳米低功耗平台。此外,0.11微米ULL eFlash平台还支持低电压操作模式,可在1.5至1.2V电压下稳定工作,兼顾动态、静态功耗。
SRAM IP的低功耗和高速度较难平衡,需要设计者折衷考量。如果需要低功耗设计,就可以选择0.11um ULL SRAM,它的漏电电流只有0.18um IBG工艺的5%。李德红指出,0.11um ULL平台SRAM的速度最高可达120MHz,能满足大部分物联网终端的需求。
从eFlash IP的设计、工艺到测试,华虹宏力都有自主团队,经验丰富,可以为客户提供灵活的定制服务。
图:华虹宏力自有Flash IP的关键参数简介
在智能卡市场,主要包括二代身份证、金融IC卡和SIM卡等,作为全球最大的智能卡芯片制造商,华虹宏力牢牢占据着领导者的位置。基于其嵌入式平台的银行卡已经通过了CC EAL5+、EMVCo和CQM等多项国际认证。在未来的物联网芯片中,增加安全方面的硬件模块很有必要:或者放在SoC中,或者在主芯片旁边单独设计一块安全芯片,来保障终端产品及其数据安全,这在华虹宏力的嵌入式平台上也已实现。
