这家企业见证了中国芯自主制造的历史……

“909”工程缔造中国第一条

8英寸集成电路生产线

华虹宏力创造的价值

华虹宏力的当家工艺

华虹宏力的嵌入式非易失性存储器平台是公司最重要的战略工艺平台之一，公司通过持续在该技术领域的深耕发展，已成为智能卡IC 生产领域的技术领导者、全球最大的智能卡IC 代工者。从0.35微米、0.18微米、0.11微米，到现在的90纳米，一路走来，他们始终保持着业界领先地位，以稳定可靠的工艺为全球客户提供了优质产品，受到广泛认可。随着华虹无锡集成电路研发和制造基地项目启动，该技术有望进一步延伸至65/55纳米。

华虹宏力研发的90纳米低功耗（LP）嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，是国内最先进的8英寸晶圆嵌入式存储器技术，可为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供极具性价比的芯片制造技术解决方案。该平台可与标准逻辑工艺完全兼容；在确保高性能和高可靠性的基础上，提供了极小面积的低功耗 Flash IP；具有极高集成度的基本单元库，与0.11微米eFlash工艺相比，门密度提升30%以上。

华虹宏力还针对8位微控制器市场，推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器（95纳米5V SG eNVM）工艺平台。该平台具低功耗、高性价比等显著优势，现已成功量产，产品性能优异。

2、功率器件

华虹宏力功率器件平台累计出货量突破 570万片8英寸晶圆。公司致力于为客户提供更高端的分立器件技术解决方案，并已推出第三代深沟槽超级结（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）工艺平台，其保持了前几代工艺流程紧凑的特点，而且还开发出了沟槽栅的新型结构，相比前两代的平面栅结构，可以更有效地降低结电阻，且进一步缩小了元胞面积。导通电阻与第二代工艺相比，更是下降了30%以上，以600V器件为例，单位面积导通电阻Rsp实测值为1.2ohm.mm2，技术参数达业界一流水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。

IGBT被誉为“功率半导体皇冠”，华虹宏力是全球首家提供场截止型（FS, Field Stop）IGBT量产技术的8英寸晶圆代工企业。凭借不断的研发创新，公司与多家合作单位陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺，成功解决了IGBT的关键工艺问题，包括硅片翘曲及背面工艺能力等，更是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业，包括背面薄片、背面离子注入、背面激光退火，背面金属。目前，公司还正全力研发新能源车用技术。

3、射频技术

移动互联网和无线通讯技术蓬勃发展，射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用也愈发广泛。射频SOI工艺非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端芯片。华虹宏力也推出了0.2微米射频SOI工艺设计套件（PDK）。该设计套件有助于客户提高设计流程的效率及输出优质的射频组件，从而减少设计改版及缩短产品推出市场的时间。0.13微米射频SOI的研发正在稳步推进中，有望今年面市，以应对智能手机出货量的持续增长及未来5G蜂窝通信的发展及应用。

此外，华虹宏力还可提供一系列高性能且具备成本效益的射频解决方案，包括射频CMOS，高阻硅IPD（集成无源器件）以及配备射频 PDK的嵌入式闪存工艺平台。

4、电源管理IC

华虹宏力可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米，电压范围覆盖1.8V到700V，性能卓越、质量可靠，可广泛应用于PMIC、快速充电（Fast Charge）、手机/平板电脑PMU以及智能电表等产品领域。

华虹宏力还是中国出货量最大的LED驱动IC晶圆代工企业，其超高压700V BCD技术迎合了节能环保热点，所支持的高压小电流LED 照明驱动应用市场发展前景十分广阔。基于700V LDMOS工艺的开关型LED驱动所用的超高压结型场效应晶体管（JFET）也已成功开发。更具性价比优势的700V BCD第二代产品也已经通过客户的评估并进入风险量产阶段，不久后将正式面市；Highside驱动600V BCD技术也在开发中，并已经成功通过客户端的电机驱动领域的测试评估；0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功实现单芯片产品Tapeout，其DMOS的导通电阻处于业界领先水平，1P2M 18层光罩使得平台极具成本竞争力。此外，华虹宏力的CZ6模拟系列平台，在业内有着广泛知名度，更是以稳定可靠的质量而著称。

（本文转载自电子工程专辑）