国产芯片技术新进展,紫光赵伟国:2019年将量产64层128Gb 3D NAND

日期: 2018-08-24
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昨日,紫光集团董事长赵伟国透露,紫光将在2018年底量产32层64Gb的3D NAND,2019年量产64层128Gb的3D NAND,并同步研发128层256Gb的3D NAND。


国产芯片技术新进展,紫光赵伟国:2019年将量产64层128Gb 3D NAND


就目前中国在NAND Flash芯片技术上的发展而言,虽然相较于三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等国际大厂在2019年量产96层3D NAND,紫光量产64层3D NAND落后一个技术等级,但弥补了中国在NAND Flash芯片自主研发领域的空白。


另外,长江存储(YMTC)发布了突破性技术—Xtacking,使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps,比传统3D NAND拥有更高的存储密度。


同时,紫光存储向全球发布了企业级NVMe 产品P8160、P8130、企业级SATA SSD产品S6110、消费类NVMe SSD产品P5120、渠道SATA SSD产品S100、渠道NVMe SSD产品P100、嵌入式产品eMMC、UFS全系产品,满足大数据和本土市场存储需求。


赵伟国表示,紫光正在努力布局芯片行业,且已落户重庆。2017年包括手机芯片在内,数量上已经是全球第三。紫光每年还生产6、7亿套的智能卡,这个领域紫光份额第一。同时,紫光在专用CPU领域也有布局。


在营收方面,赵伟国预计,2018年紫光在云网方面的收入将达到600亿,集成电路方面的收入200亿,网络和计算方面的收入大概会达到400亿。


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