使用MRAM取代DRAM，IBM迈出重要一步

在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一，但与NAND闪存或英特尔的3D XPoint存储设备相比，它的密度严重受限。 到目前为止，MRAM大多都应用在嵌入式系统中，MRAM可以取代小型闪存芯片或电池供电的DRAM和SRAM缓存。

Everspin是目前唯一的MRAM芯片供应商，其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片将在今年年底前提供样品，从而推动产能提升。他们不再在飞思卡尔提供的晶圆上自己制造，而是与GlobalFoundries来进行合作，以便在他们的22nm FD-SOI工艺上制造MRAM。容量的增加使得MRAM在大数据处理系统中更具有吸引力，尽管目前它们的容量仍然太小而不能用作主存存储器。

IBM现有的FlashSystem设备使用自定义外形尺寸和系统级别的掉电保护设计，以及基于FPGA的控制器。 新系统切换到标准的2.5“U.2尺寸，这需要在每个设备级别实现掉电保护。IBM发现使用足够大的超级电容以保持FPGA控制器能够运行足够长时间以刷新写缓存的DRAM是不切实际的。但MRAM固有的非易失性可以解决对超级电容的需求。