三星和SK海力士2020年投产HBM2E Flashbolt DRAM

日期: 2020-02-05
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韩国存储器大厂三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高宽带)DRAM。这是第3代HBM技术,未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。


三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年内,于Nvidia 2019年GTC(GPU技术大会)首次宣布Flashbolt HBM DRAM,这项储存技术预计用于AMD和Nvidia即将推出的高性能GPU。

三星第3代HBM技术,HBM2E Flashbolt DRAM可达到每针脚最高3.2Gbp/s的最大数据传输速度,较前一代最高2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。三星解释,就是1秒内能传输82部高画质影片。

另外,透过缓冲芯片顶部垂直堆栈的8层10纳米级(1y)16Gb DRAM,可达16GB最大容量。该HBM2E封装是以40,000多个直通硅通孔(TSV)微型凸块的精确排列互连,每个16Gb芯片均包含5,600多个此类微小孔。

三星指出,在超频环境下,HBM2E Flashbolt DRAM可提供每针高达4.2Gb/s数据传输速率,和538GB/s的DRAM频宽。三星表示,这些DRAM芯片将于2020上半年投产。

目前除三星外,韩国另一家存储器大厂SK Hynix也正在积极开发HBM2E的DRAM产品,预计也是2020年投产,使HBM2E DRAM产品市场竞争加剧。


来源:全球半导体观察、TechNews科技新报

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