长鑫存储官网上线首颗国产DDR4内存芯片产品

日期: 2020-02-27
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继2019年9月宣布量产8Gb DDR4后,长鑫存储DDR4内存芯片产品日前已在官方网站上线,包括DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模组等,并公布了具体产品资料。

据官网介绍,DDR4内存芯片是首颗国产DDR4内存芯片,是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3内存芯片,DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储自主研发的DDR4内存芯片满足市场主流需求,可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。

产品资料显示,长鑫存储DDR4内存芯片单颗容量8Gb,2666 Mbps速率,工作电压1.2V,工作温度0°C~95°C ,78-ball FBGA与96-ball FBGA两种封装规格。长鑫存储称该产品特点包括高速数据传输、多领域应用支持、多产品组合、可靠性保障等。

LPDDR4X内存芯片为第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多项降低功耗的设计。在高速传输上,LPDDR4X内存芯片相较于第三代有着更优越出色的低耗表现,服务于性能更高、功耗更低的移动设备。

参数方面,长鑫存储LPDDR4X内存芯片有2GB和4GB两种容量,3733Mbps速率,工作电压1.8V/1.1V/0.6V,工作温度-30°C ~ 85°C,采用200ball FBGA封装。

DDR4模组是第四代高速模组,相较于DDR3模组,性能和带宽显著提升,最高速率可达3200Mbps。长鑫存储表示,DDR4模组由其自主开发设计、原厂内存颗粒,是目前内存市场主流产品,可服务于个人电脑和服务器等传统市场,以及人工智能和物联网等新兴市场。

参数方面,DDR4模组容量8GB,2666 Mbps速率,工作电压1.2V,工作温度0°C~95°C,260-pin SODIMM、288-pin SODIMM两种封装规格。

官网信息显示,长鑫存储上述产品已接受技术咨询和销售咨询。

2016年5月,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目启动建设,历经3年多时间,2019年9月长鑫存储正式宣布投产,与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。


来源:全球半导体观察

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