晋江市集成电路产业优秀人才认定标准（试行）
晋江市集成电路产业优秀人才分为五类，符合《晋江市优秀人才认定标准（2015年）》和下列任一条目的人才均可认定为我市集成电路产业对应类别优秀人才。对于同时符合多个类别或条目的，按从高从优不重复原则确定优秀人才类别。对于未涵盖的其他相应层次的人才，由市委人才办会相关部门组织专家组或委托专业机构评定后报市委人才工作领导小组批准可纳入相应优秀人才类别。
第一类人才
（一）诺贝尔奖物理学奖、化学奖获得者；
（二）国际电气和电子工程师协会（IEEE）奖章获得者；
（三）美国工程界三大最高奖项：德雷铂奖（Charles Stark Draper Prize）、拉斯奖（Fritz J. and Dolores H. Russ Prize）、戈登奖（Bernard M. Gordon Prize）获得者；
（四）中华人民共和国国际科学技术合作奖获得者；
（五）中国机械工程学会科技成就奖、青年科技成就奖获得者；
（六）中国机械工业科学技术奖特等奖前3位完成人；
（七）美国、英国、德国、法国、日本、意大利、加拿大、瑞典、丹麦、挪威、芬兰、比利时、瑞士、奥地利、荷兰、西班牙、澳大利亚、新西兰、俄罗斯、以色列、印度、乌克兰、新加坡、韩国等的科学院院士、工程院院士（即成员member或高级成员fellow，见中国科学院国际合作局网站http://www.bic.cas.cn），台湾中央研究院院士；
（八）国际电气和电子工程师协会会士（IEEE Fellow）；
（九）国际工程技术学会会士（IET Fellow）；
（十）国际计算机学会会士（ACM Fellow）；
（十一）近10年，在《Nature》、《Science》或《Reviews of Modern Physics》杂志上以第一作者或通讯作者发表集成电路相关论文者；
（十二）在全球前25大半导体公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者；
（十三）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计7年以上者；
（十四）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计7年以上者。
第二类人才
（一）国际电气和电子工程师协会（IEEE）技术奖获得者；
（二）中国机械工业科学技术奖一等奖前2位完成人；
（三）在世界大学排名前200名的学校获评教授，并从事集成电路相关研究或教学者；
（四）取得博士学位，且近5年在期刊分区表中列入大类一区的学术期刊上以第一作者或通讯作者发表4篇以上集成电路相关论文者;
（五）在全球前25大半导体公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者；
（六）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（七）在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计7年以上者；
（八）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者。
第三类人才
（一）中国机械工业科学技术奖二等奖第1位完成人；
（二）国际电气和电子工程师协会高级会员（IEEE Senior Member）；
（三）国际计算机学会资深会员 (ACM Senior Member)；
（四）国际工程技术学会高级会员（IET Member with post-nominals）；
（五）在世界大学排名前200名的学校获评副教授，并从事集成电路相关研究或教学者；
（六）在世界大学排名201-500名的学校获评教授，并从事集成电路相关研究或教学者；
（七）取得博士学位，且近5年在期刊分区表中列入大类一区的学术期刊上以第一作者或通讯作者发表2篇以上集成电路相关论文者；
（八）在全球前25大半导体公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者；
（九）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（十）在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（十一）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（十二）取得世界大学排名前200名学校的博士学位，所学专业学科门类为理学、工学，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。
第四类人才
（一）中国机械工业科学技术奖三等奖第1位完成人；
（二）在全球前25大半导体公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、资深工程师、主任工程师或其他相应职务以上累计5年以上者；
（三）在集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、资深工程师、主任工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（四）在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（五）在集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、资深工程师、主任工程师或其他相应职务以上累计7年以上者；
（六）在国家知识产权优势企业担任一级科研、技术、工程等部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；
（七）取得世界大学排名前200名学校的硕士学位，所学专业学科门类为理学、工学，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。
第五类人才
（一）在国家鼓励的集成电路企业担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；
（二）在高新技术企业担任一级科研、技术、工程等部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；
（三）在省级知识产权优势企业担任一级科研、技术、工程等部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者；
（四）取得世界大学排名前500名学校的学士学位，所学专业学科门类为理学、工学，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者；
（五）取得“985工程”大学、中国科学院大学的理学、工学学士学位，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者；
（六）取得相关国家部委支持（筹备）建设示范性微电子学院高校的示范性微电子学院学士学位，且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。
说明
国际电气和电子工程师协会（IEEE）奖章：
IEEE Medal of Honor
IEEE Alexander Graham Bell Medal
IEEE Edison Medal
IEEE James H. Mulligan, Jr.Education Medal
IEEE Medal for Environmental and Safety Technologies
IEEE Founders Medal
IEEE Richard W. Hamming Medal
IEEE Medal for Innovations in Healthcare Technology
IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal
IEEE/Royal Society of Edinburgh (RSE) Wolfson James Clerk Maxwell Award
IEEE Jun-ichi Nishizawa Medal
IEEE Robert N. Noyce Medal
IEEE Dennis J. Picard Medal for Radar Technologies and Applications
IEEE Medal in Power Engineering
IEEE Simon Ramo Medal
IEEE John von Neumann Medal
IEEE Honorary Membership
国际电气和电子工程师协会（IEEE）技术奖项：
IEEE Biomedical Engineering Award
IEEE Cledo Brunetti Award
IEEE Components, Packaging, and Manufacturing Technology Award
IEEE Control Systems Award
IEEE Electromagnetics Award
IEEE James L. Flanagan Speech and Audio Processing Award
IEEE Fourier Award for Signal Processing
IEEE Andrew S. Grove Award
IEEE Herman Halperin Electric Transmission and Distribution Award
IEEE Masaru Ibuka Consumer Electronics Award
IEEE Internet Award
IEEE Reynold B. Johnson Information Storage Systems Award
IEEE Richard Harold Kaufmann Award
IEEE Joseph F. Keithley Award in Instrumentation and Measurement
IEEE Gustav Robert Kirchhoff Award
IEEE Leon K. Kirchmayer Graduate Teaching Award
IEEE Koji Kobayashi Computers and Communications Award
IEEE William E. Newell Power Electronics Award
IEEE Daniel E. Noble Award for Emerging Technologies
IEEE Donald O. Pederson Award in Solid-State Circuits
IEEE Frederik Philips Award
IEEE Photonics Award
IEEE Emanuel R. Piore Award
IEEE Judith A. Resnik Award
IEEE Robotics and Automation Award
IEEE Frank Rosenblatt Award
IEEE David Sarnoff Award
IEEE Marie Sklodowska-Curie Award
IEEE Innovation in Societal Infrastructure Award
IEEE Charles Proteus Steinmetz Award
IEEE Eric E. Sumner Award
IEEE Nikola Tesla Award
IEEE Kiyo Tomiyasu Award
IEEE Transportation Technologies Award
IEEE Frederik Philips Award
三、全球前25大半导体公司，集成电路设计、制造、集成器件制造（IDM）、封测、装备等领域全球前10大公司和大陆或台湾前10大公司，及集成电路材料（硅片、光罩材料等）、电子设计自动化（EDA）工具软件、硅智财（SIP）全球前5大公司名单参照国际级研究机构IC Insights、Trendforce、Gartner、IDC或IHS发布的最近年度企业排名。在此类公司总部任职人员，按照本标准认定人才类别；在此类公司的分公司、全资子公司、控股子公司或地区总部任职人员按照本标准降低一级认定人才类别；
四、世界大学排名参照英国泰晤士高等教育发布的最近年度高等教育世界大学排名；
五、期刊分区参照中国科学院发布的论文发表当年度期刊分区情况；
六、专业学科门类认定参照国家相关部委发布的最新版《学位授予和人才培养学科目录》；
七、“985工程”学校名单（39所）：北京大学、中国人民大学、清华大学、北京航空航天大学、北京理工大学、中国农业大学、北京师范大学、中央民族大学、南开大学、天津大学、大连理工大学、东北大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、复旦大学、同济大学、上海交通大学、华东师范大学、南京大学、东南大学、浙江大学、中国科学技术大学、厦门大学、山东大学、中国海洋大学、武汉大学、华中科技大学、湖南大学、中南大学、国防科学技术大学、中山大学、华南理工大学、四川大学、电子科技大学、重庆大学、西安交通大学、西北工业大学、西北农林科技大学、兰州大学；
八、支持（筹备）建设示范性微电子学院的高校名单、国家鼓励的集成电路企业名单、国家（省级）知识产权优势企业名单、高新技术企业名单以相关部门发文公布的最新版为准；
九、本标准中所有奖项、荣誉、职称等的获得都必须源于集成电路领域的成就与贡献；
十、本标准中的“以上”包括本级（本数）；
十一、本标准自发布之日起30日后施行，截止日期至2021年10月11日，发布实施后，将适时根据实际运行情况及集成电路重点鼓励业态的变动予以相应调整。