为进一步贯彻落实国务院《关于印发新时期促进集成电路产
业和软件产业高质量发展若干政策的通知》(国发〔2020〕8 号)
和《工业和信息化部电子信息司关于“芯火”双创基地建设工作
方案指导意见的函》（工电子函〔2018〕577 号）等文件精神，推
动无锡高新区集成电路产业高质量发展，加快国家“芯火”双创基
地（平台）建设，特制定如下政策意见。
一、适用范围
本意见适用于在无锡高新区范围内注册、登记和纳税，符合
国家布局规划和产业政策，从事集成电路设计、制造、封装、测
试、装备、材料和 EDA（电子设计自动化）研发等业务的各类企
事业单位。经区集成电路产业推进工作领导小组认定后列入的相
关科研机构、高等院校、功能平台、创新载体等机构在高新区实
施的集成电路产业相关项目亦可享受本政策。
二、主要内容
（一）构筑完整产业结构
1. 鼓励企业集聚。对于新引进投资（指固定资产、无形资产
和费用化的研发投入）300 万元以上的集成电路设计、装备和材
料企业，给予办公、研发及生产装备使用空间的房租补贴，补贴
期 5 年。
2. 支持项目优先布局。对新设立或迁入的集成电路设计及设
计服务企业,经对其核心技术、工艺水平和市场前景认定后，按照3 年内企业实缴资本给予不超过 20%的补贴，补贴总额不超过 500万元。对新引进的集成电路关键装备及核心零部件企业，经认定后，按照三年内固定资产投资给予不超过 10%、最高 1 亿元补贴；按照地方经济贡献，给予五免五减半奖励。对新引进投资额 5 亿元（含）以上的制造、封装、测试和材料等企业，经论证通过后按照三年内固定资产投资给予不超过8%、最高 4 亿元补贴，特别重大项目采取“一事一议”方式给予支持。
（二）支持企业创新发展
3. 支持关键领域企业规模化发展。对拥有自主知识产权产品
的设计企业，年度应税销售首次突破 5000 万元、1 亿元、5 亿元、10 亿元、20 亿元的，给予企业核心团队 100 万元、150 万元、300万元、600 万元、1300 万元的一次性奖励。对拥有自主知识产权产品的集成电路装备和材料企业，年度应税销售首次突破 5000万元、1 亿元、5 亿元、10 亿元的，经认定后分别给予企业核心团队 200 万元、800 万元、1200 万元、1500 万元的一次性奖励。对于用于关键装备的核心零部件（自主研发）企业，应税销售首次突破 1000 万元、2000 万元、5000 万元、1 亿元的，给予企业核心团队 50 万元、100 万元、200 万元、400 万元一次性奖励。
4. 鼓励产业链互动。支持区内集成电路企业采购区内装备企业生产的拥有自主知识产权的首台关键专用装备，按照采购金额的 25%，一次性给予最高 500 万元的资助。对于区内集成电路关键专用装备企业自主研发的装备首次在集成电路企业验证或出售
的，给予单台装备销售额的 25%支持，一次性给予最高 500 万元的资助。对为集成电路设计企业进行封装和测试的企业（不含关联企业），按照封测费用 5%的比例给予支持，对单个企业年度支持总额不超过 200 万元。对集成电路制造企业开放产能为区内企业代工流片的，按照每片（折合 8 寸片）100 元的标准给予资金支持，对单个企业年度支持总额不超过 1000 万元。
5. 鼓励企业兼并重组。鼓励引导我区集成电路企业通过兼
并、收购等形式开展跨地区、跨行业、跨所有制、跨国（境）的
兼并重组和投资合作。对成功并购国内外集成电路设计或装备企业，并购方对目标企业的实际现金购买价格、承担债务金额或目标企业净资产作价入股金额超过 1000 万元的，最高按照并购实际发生金额的 10%给予并购补贴，单个项目总额不超过 1000 万元。
（三）支持企业自主创新
6. 支持新产品研发。对集成电路设计企业进行 MPW（多项
目晶圆）流片发生的费用，根据企业设立年限，最高给予 70%的支持。对拥有自主知识产权产品的工程批流片，最高按照该款产品首轮掩模版制作费用的 40%和流片费用的 50%给予支持；对通过本地企业进行掩模制版、流片的，最高按照该款产品首轮掩模版制作费用的 50%和流片费用的 60%给予支持。单个企业（单位）每年支持总额不超过 500 万元，对线宽小于 45nm（含）的每年支持总额不超过 2000 万元。
对集成电路设计企业购买 IP（硅知识产权）（专业 IP 提供商，或者 Foundry 厂、EDA 供应商）开展芯片研发，给予 IP 购买费用 50%补贴，单个企业每年最高不超过 500 万元。对从事集成电路 EDA 开发、IP 核研发的企业，给予研发费用加计扣除部分的50%奖励，单个企业每年最高不超过 3000 万元。
7. 鼓励企业资质备案。对首次通过“国家鼓励的重点集成电路设计企业”备案的，汽车电子车规级认证的，给予最高不超过100 万元的一次性奖励。对取得集成电路布图设计证书的，按每件 2000 元补贴。对获批国家级创新中心建设的，参照上级配套资
金，每年给予不超过 2000 万元的一次性建设补助，补贴不超过 3年，总金额不超过 5000 万元。
（四）支持产业生态建设
8. 推进公共服务平台建设与服务。对获得无锡国家“芯火”平台认定的专业公共服务平台，一次性给予当年实际建设投入5%的补贴，最高不超过 200 万元。对集成电路设计企业购买无锡国家“芯火”平台公共技术服务的，给予实际发生费用 50%的支持，单个企业年度支持总额不超过 30 万元。
9. 支持关键人才引进和扎根。对新引入的集成电路领域人才项目，参照《关于实施“飞凤人才计划”升级版的若干措施》进行支持，支持比例提升 50%，三年内给予项目资金不超过 1 亿元。支持集成电路企业引进和留住关键骨干、研发人才，对其新招聘的在区内首次就业的人才给予安家费，本科或中级职称每人2 万元；硕士或者副高职称每人 5 万元；博士或者正高职称每人 8万元；顶尖人才，经认定后，最高支持 300 万元。对于在集成电路企业工作的副总经理以上管理人员和研发人员，年薪 50 万元以上的，给予每人每年 6 万元薪酬补贴，年薪80 万元以上的，给予每人每年 10 万元薪酬补贴（对于在集成电路设计、关键装备及核心零部件企业工作的副总经理以上管理人员和研发人员，年薪 30 万元以上的，给予每人每年 3 万元薪酬补贴）；积极开展苏南自创区人才政策先行先试，对在我区集成电路企业工作的境内外高端人才和紧缺人才，经认定后，比照粤港澳大湾区政策给予补贴。
10. 支持企业参加展会。支持企业参加境内外顶级专业展销会、博览会等，对符合条件的，按照参展展位费、特装费、公共布展费等实际支出费用的 60%给予补贴，最高支持不超过 30 万元。区内企业或专业机构开展集成电路领域行业沙龙、产业高峰论坛等活动的，经区工信局备案审批，按实际费用的 30%给予支持，总额不超过 50 万元。对于国家级会展或其它有行业重大影响的活动，可根据实际情况采用一事一议方式给予支持。
三、附则
（一）其他区级文件中涉及到集成电路产业奖励的，统一归并至本意见实施，原有涉及集成电路产业扶持政策与本意见相抵触的，以本意见为准。“一事一议”项目如需兑现本意见相关政策，须在签订协议中统一注明，不重复享受。
（二）市、区两级同类政策，按就高原则，可以择优执行，但不重复享受。
（三）本政策意见由无锡高新技术产业开发区管理委员会制
定，由无锡高新区集成电路产业推进工作领导小组办公室负责解
释，自 2021 年 1 月 1 日起试行。