深度云存储产品是武汉深之度科技有限公司针对安全可靠国产CPU平台发布的企业级私有云存储产品， 为用户在安全可靠平台上提供面向文件数据的管理、协同、共享、多端访问的一站式解决方案。目前，在安全可靠国产CPU平台上的文件共享主要依靠传统的局域网共享方式，尚无一套完整的私有云存储方案， 深度云存储产品基于优秀的上游开源云存储产品seafile在龙芯平台上重新构建，在继承开源产品强大稳定的云存储功能的基础上，可以为用户提供国产化平台上的可定制私有云存储解决方案。本次在龙芯平台的产品发布包括私有云存储的服务器软件和桌面客户端软件，服务器后台可对企业内部使用云存储的用户账号及服务端设置进行管理，并允许用户通过浏览器访问私有云上的文件。龙芯桌面上的深度云存储客户端软件支持与私有云端的文件进行同步，支持多用户对共享的文件进行协同操作。此外，龙芯平台上的深度云存储服务器端支持seafile原生的手机客户端通过局域网接入并访问云端的文件，实现国产化平台下私有云的多终端访问。深度科技专注于基于Linux的操作系统的产品研发，面向党政、金融、能源、教育、医疗等行业提供基于Linux操作系统的解决方案、技术支持和培训等专业服务。深度科技将致力于在该平台上为用户提供更专业的企业化云计算、虚拟化解决方案技术支撑，提供更高效能的开源云基础设施选项，完成国产化云平台突破。用户与合作伙伴，可以陆续从深度科技...
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2018
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12月3日，武汉新芯对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆（如逻辑、存储和传感器等）垂直键合，在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比，晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽，降低延时，提高性能，降低功耗。武汉新芯技术副总裁孙鹏表示，三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平，已积累了6年的大规模量产经验，可为客户提供工艺先进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。”武汉新芯成立于2006年，由省市区三级政府集体决策投资107亿，建设中部地区第一条12英寸集成电路生产线，2008年建成投产。2016年，在武汉新芯基础上，紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司，武汉新芯整体并入长江存储，成为长江存储全资子公司。武汉新芯自2012年开始布局三维集成技术，并于2013年成功将三维集成技术应用于背照式影像传感器，良率高达99%，随后陆续推出硅通孔（TSV）堆叠技术、混合键合（Hybrid Bonding）技术和多片晶圆堆叠技术。晶圆级的三维集成技术为后摩尔时代芯片的设计和制造提供了新的解决方案，在对带宽、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智能和物联网领域...
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在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一，但与NAND闪存或英特尔的3D XPoint存储设备相比，它的密度严重受限。 到目前为止，MRAM大多都应用在嵌入式系统中，MRAM可以取代小型闪存芯片或电池供电的DRAM和SRAM缓存。Everspin是目前唯一的MRAM芯片供应商，其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片将在今年年底前提供样品，从而推动产能提升。他们不再在飞思卡尔提供的晶圆上自己制造，而是与GlobalFoundries来进行合作，以便在他们的22nm FD-SOI工艺上制造MRAM。容量的增加使得MRAM在大数据处理系统中更具有吸引力，尽管目前它们的容量仍然太小而不能用作主存存储器。IBM现有的FlashSystem设备使用自定义外形尺寸和系统级别的掉电保护设计，以及基于FPGA的控制器。 新系统切换到标准的2.5“U.2尺寸，这需要在每个设备级别实现掉电保护。IBM发现使用足够大的超级电容以保持FPGA控制器能够运行足够长时间以刷新写缓存的DRAM是不切实际的。但MRAM固有的非易失性可以解决对超级电容的需求。用于IBM FlashSystem的新SSD具有64层 3D TLC NAND闪存，可用存储容量高达19.2TB，使...
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当地时间11月30日，二十国集团领导人第十三次峰会在阿根廷布宜诺斯艾利斯举行。国家主席习近平出席第一阶段会议并发表题为《登高望远，牢牢把握世界经济正确方向》的重要讲话，强调二十国集团要坚持开放合作、伙伴精神、创新引领、普惠共赢，以负责任态度把握世界经济大方向。（当地时间11月30日，二十国集团领导人第十三次峰会在阿根廷布宜诺斯艾利斯举行。国家主席习近平出席第一阶段会议并发表题为《登高望远，牢牢把握世界经济正确方向》的重要讲话。李涛 摄|新华社 ） 当地时间中午，峰会开始。阿根廷总统马克里主持。 习近平发表了引导性讲话，指出今年是国际金融危机发生10周年，也是二十国集团领导人峰会10周年。尽管世界经济整体保持增长，但危机的深层次影响仍未消除，经济增长新旧动能转换尚未完成，各类风险加快积聚。世界经济再一次面临历史性的选择。二十国集团要从历史大势中把握规律，引领方向。世界经济时有波折起伏，但各国走向开放、走向融合的大趋势没有改变。各国相互协作、优势互补是生产力发展的客观要求，也代表着生产关系演变的前进方向。在这一进程中，各国逐渐形成利益共同体、责任共同体、命运共同体。携手合作、互利共赢是唯一正确选择。面对重重挑战，我们既要增强紧迫感，也要保持理性，登高望远，以负责任态度把握世界经济大方向。 习近平强调，保持世界经济稳定发展的共同需要催生了二十国集团。10年来，我们同舟共济、勠力同心...
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知名分析机构IC Insights日前修订了他们对半导体企业资本支出的统计。根据他们的数据显示，三星2018年在IC方面的的资本支出领先于所有的竞争对手。虽然相对于2017年的242亿美元支出，三星在今年的表现稍微下滑，但他们在2018年的资本支出也达到了惊人的226亿美元，与2016相比还是翻了一倍。如果统计三星在近两年的资本支出，我们会发现这个数据会达到惊人的468亿美元。为了说明三星这个资本支出的可怕性，我们可以与华为进行对比。他们在最近的采访中曾提过，每年投入到研发中的成本为100到两百亿美元，也就是说三星光是半导体上面的资本支出是华为的两倍多。与Intel今年150亿美元的资本支出相比，三星也是遥遥领先。如上图所示，三星半导体的资本支出首次超过100亿美元是在2010年，直到 2016年，他们平均每年的支出也仅为120亿美元。然而，在2016年支出113亿美元后，该公司的2017年资本支出预算直接增加了一倍以上，在2018年同样保持了强劲资本支出势头，这一事实同样令人印象深刻。IC Insights认为，三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响。已经开始的一个影响是3D NAND闪存市场的产能过剩期。这种产能过剩的情况不仅归因于三星对3D NAND闪存的巨额支出，还来自竞争对手（例如SK海力士，美光，东芝，英特尔等）的投入，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的...
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2018年11月28-29日，为期两天的“2018（第十四届）中国制造业产品创新数字化国际峰会”在无锡举行。本届峰会以“智能产品的自主创新之道”为主题，围绕着支撑制造业产品创新的数字化技术与应用，深入研讨在智能制造大背景下产品的自主创新变革之道。峰会吸引了来自全国各地近千名制造企业和科研院所主管研发和信息化的专家领导，以及国内外领先信息化厂商的热情参与。作为制造业研发信息化领域规模、影响力兼具的专业论坛，天喻软件连续5年积极参与。在本届峰会展区，公司技术人员与来自全国的制造企业和科研院所产品研发第一线的负责人进行互动交流，不仅学习到最新的产品技术，了解到企业的实际需求，更通过展示汽车、装备等各行业信息化解决方案，为企业今后的数字化、智能化转型提供了借鉴与参考。
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