当地时间11月30日，二十国集团领导人第十三次峰会在阿根廷布宜诺斯艾利斯举行。国家主席习近平出席第一阶段会议并发表题为《登高望远，牢牢把握世界经济正确方向》的重要讲话，强调二十国集团要坚持开放合作、伙伴精神、创新引领、普惠共赢，以负责任态度把握世界经济大方向。（当地时间11月30日，二十国集团领导人第十三次峰会在阿根廷布宜诺斯艾利斯举行。国家主席习近平出席第一阶段会议并发表题为《登高望远，牢牢把握世界经济正确方向》的重要讲话。李涛 摄|新华社 ） 当地时间中午，峰会开始。阿根廷总统马克里主持。 习近平发表了引导性讲话，指出今年是国际金融危机发生10周年，也是二十国集团领导人峰会10周年。尽管世界经济整体保持增长，但危机的深层次影响仍未消除，经济增长新旧动能转换尚未完成，各类风险加快积聚。世界经济再一次面临历史性的选择。二十国集团要从历史大势中把握规律，引领方向。世界经济时有波折起伏，但各国走向开放、走向融合的大趋势没有改变。各国相互协作、优势互补是生产力发展的客观要求，也代表着生产关系演变的前进方向。在这一进程中，各国逐渐形成利益共同体、责任共同体、命运共同体。携手合作、互利共赢是唯一正确选择。面对重重挑战，我们既要增强紧迫感，也要保持理性，登高望远，以负责任态度把握世界经济大方向。 习近平强调，保持世界经济稳定发展的共同需要催生了二十国集团。10年来，我们同舟共济、勠力同心...
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知名分析机构IC Insights日前修订了他们对半导体企业资本支出的统计。根据他们的数据显示，三星2018年在IC方面的的资本支出领先于所有的竞争对手。虽然相对于2017年的242亿美元支出，三星在今年的表现稍微下滑，但他们在2018年的资本支出也达到了惊人的226亿美元，与2016相比还是翻了一倍。如果统计三星在近两年的资本支出，我们会发现这个数据会达到惊人的468亿美元。为了说明三星这个资本支出的可怕性，我们可以与华为进行对比。他们在最近的采访中曾提过，每年投入到研发中的成本为100到两百亿美元，也就是说三星光是半导体上面的资本支出是华为的两倍多。与Intel今年150亿美元的资本支出相比，三星也是遥遥领先。如上图所示，三星半导体的资本支出首次超过100亿美元是在2010年，直到 2016年，他们平均每年的支出也仅为120亿美元。然而，在2016年支出113亿美元后，该公司的2017年资本支出预算直接增加了一倍以上，在2018年同样保持了强劲资本支出势头，这一事实同样令人印象深刻。IC Insights认为，三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响。已经开始的一个影响是3D NAND闪存市场的产能过剩期。这种产能过剩的情况不仅归因于三星对3D NAND闪存的巨额支出，还来自竞争对手（例如SK海力士，美光，东芝，英特尔等）的投入，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的...
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2018年11月28-29日，为期两天的“2018（第十四届）中国制造业产品创新数字化国际峰会”在无锡举行。本届峰会以“智能产品的自主创新之道”为主题，围绕着支撑制造业产品创新的数字化技术与应用，深入研讨在智能制造大背景下产品的自主创新变革之道。峰会吸引了来自全国各地近千名制造企业和科研院所主管研发和信息化的专家领导，以及国内外领先信息化厂商的热情参与。作为制造业研发信息化领域规模、影响力兼具的专业论坛，天喻软件连续5年积极参与。在本届峰会展区，公司技术人员与来自全国的制造企业和科研院所产品研发第一线的负责人进行互动交流，不仅学习到最新的产品技术，了解到企业的实际需求，更通过展示汽车、装备等各行业信息化解决方案，为企业今后的数字化、智能化转型提供了借鉴与参考。
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这个项目最主要的成果就是中国科学家研发成功世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻机，365nm波长即可生产22nm工艺芯片，通过多重曝光等手段可以实现10nm以下的芯片生产。国内的半导体芯片对进口依赖非常高，特别是高端的内存、闪存、处理器等芯片，国内的技术落后，还不能完全国产替代。国内半导体在制造领域是落后最多的，很多人都知道光刻机在芯片生产中的的重要性，荷兰ASML公司目前垄断了高端光刻机的研发、生产。昨天中科院发布消息，中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目通过验收，这个项目最主要的成果就是中国科学家研发成功世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻机，365nm波长即可生产22nm工艺芯片，通过多重曝光等手段可以实现10nm以下的芯片生产。来自中科院官方的消息报道，中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家罗先刚研究员介绍说，2012年，该所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形...
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薄膜制备是半导体领域重要技术之一，为进一步提升代理人的专业素养，更好的服务于半导体领域申请人，2018年11月20日，成创同维（TOWINIP）特荣幸邀请到中科院物理研究所赵柏儒研究员为我司专业人员做专题技术讲座和指导。本次讲座围绕“薄膜生长原理技术和设备”主题展开，重点解析了技术发展路线、原理以及相应优缺点等，内容十分丰富、深入、专业。我司全体代理人踊跃参加，并受益颇丰。赵柏儒老师曾任中科院物理研究所研究员、博士生导师，国家特殊津贴获得者，是超导薄膜技术领域的重要科学家。多年从事超导体和相关材料薄膜、多层膜和异质结生长，物理特性和应用研究工作，在薄膜制备技术方面有极为深刻的见解。在国际重要刊物上发表论文130余篇，并多次获得中科院进步奖和国家级进步奖。成创同维是一家专注于半导体领域精品代理所，自成立至今一直非常注重专业人员的业务能力培养，公司将持续定期邀请外部专家做专题讲座，以进一步提升我司的专业服务质量，从而更好的打造精品知识产权服务。
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集创北方指纹传感器芯片ICNF7332为刚刚上市的中国移动N5手机安全支付保驾护航，在保障用户使用安全的同时，也带来更安全、更便捷、高品质、高舒适的使用体验。ICNF7332系列指纹芯片特性：• 80x64 像素传感阵列；• 4.0x3.2（mm²）感应区域；• 508 dpi 分辨率；• 256 灰度等级；• 最高支持10MHz 4 线SPI 接口；• 2.8~3.3V 单电源供电；• I/O 接口可兼容1.8V/3.3V；• 6mA图像采集模式电流；• 50uA 手指侦测模式电流；• 高鲁棒性；• 自动校准功能；• 安全支付功能；• 多种芯片厚度可选: 0.65mm/0.80mm/0.88mm。ICNF7332系列指纹芯片基于集创北方最新的第三代电容指纹传感技术，具有优异的ESD性能和解锁体验，同时解锁速度大幅提升，具体性能指标如下：1.ICNF7332系列芯片FAR/FRR 测试结果FRR 0.65%@FAR 1/50000，分数指标处于业界领先水平。2. ICNF7332AL解锁速度（采图+匹配）平均时间集创北方十年...
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