近日，国家工信部副部长王志军在接受媒体采访时谈及中国芯片产业发展表示，我国集成电路产业自2012年以来，以年均20%以上的速度快速增长，2018年全行业销售额6532亿元，技术水平也不断提高。当前，我国芯片设计水平提升3代以上，海思麒麟980手机芯片采用了全球最先进的7纳米工艺；制造工艺提升了1.5代，32/28纳米工艺实现规模量产，16/14纳米工艺进入客户导入阶段；存储芯片进行了初步布局，64层3D NAND闪存芯片预计今年下半年量产；先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%；刻蚀机等高端装备和靶材等关键材料取得突破。不过，王志军也表示，与国际先进水平相比，我国集成电路的总体设计、制造、检测及相关设备、原材料生产还有相当的差距。王志军指出，下一步，我国将更大范围更深层次地融入全球集成电路产业生态体系。坚持开放创新合作发展，推进产业链各环节开放式创新发展。坚持优化环境、机遇共享，对内外资一视同仁，加强知识产权保护，与全球集成电路产业界共同分享中国市场带来的发展机遇。版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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作为全球知名的存储器厂商，近日，美光召开了2019年投资者大会，在大会中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。据悉，美光的技术研发和Fab制造工厂遍布全球，其中核心技术研发主要集中在美国的爱达荷州（Idaho）基地。Fab工厂分布上，日本主要负责生产DRAM，新加坡主要生产NAND Flash，3D Xpoint工厂则设在美国的犹他州（Utah），中国台湾则负责封装。此外，为了满足汽车市场需求，美光还在美国弗吉尼亚州（Virginia）设立了工厂。最值得关注的是，美光在此次投资者大会上公布了DRAM和NAND Flash的最新技术线路图。DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，并且还将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技术之后，美光还将发展1α、1β、1γ。未来美光DRAM产品研发计划采用EUV技术。美光表示，其拥有从1Znm至1ynm的成熟的技术和成本效益，而多重曝光微影技术是它的战略性优势。目前，DRAM的EUV光刻技术正在进行评估中，准备在合适的时候实现对EUV技术的应用。NAND Flash方面，继96层3D NAND之后，美光计划下一代研发128层3D NAND，采用64+64层的结构。另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating ...
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近日，通信领域2019年度盛会--IEEE国际通信大会在上海召开， 中兴通讯作为最高级别赞助商参会，分享了人工智能与5G深度融合产生的行业聚变，畅想B5G、6G愿景与目标。当前，5G与AI加速融合，二者产生的聚变效应已经初露端倪。基于机器学习的AI技术助力无线网络，可大幅减少网络部署时间， 并实现网络快速自愈，提升网络运维效率。AI可同时实现端到端网络切片能力，全面满足万物互联时代的碎片化业务需求。中兴通讯无线标准与工业关系负责人王欣晖认为，5G+AI才刚刚起步，通过扎实的理论研究与架构实施，这一技术组合将为人类社会带来生产力水平的大幅跃升。5G已来，通讯行业标准专家们已将目光投向B5G和6G，中兴通讯无线标准总工袁弋非博士认为，B5G或6G将提供1Tb / s超快速率，100 Gbps / m2超高密度数据和中兴通讯标准团队在深挖5G商用价值的同时，已经投入B5G及6G技术研究，系统研究6G网络架构、新频谱、新空口以及和人工智能、区块链等技术的结合，并在6G相关的前沿基础材料、器件等领域同样予以关注和布局。版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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芯片，是人类最伟大的发明之一，是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到5G、物联网、云计算，全部都是基于芯片技术的不断突破。如今芯片越做越小，集成度越来越高，它会不会很快达到极限？我国芯片需求极为旺盛，但是整个芯片产业却还没有进入世界第一梯队，绝大多数计算机和服务器通用处理器95%的高端专用芯片、70%以上智能终端处理器以及绝大多数存储芯片依赖进口。我国芯片产业的现状怎样分析观察？能否后来居上？谁缔造了芯片奇迹？集成电路是一种芯片，我们天天都在用，比如说家庭当中用到的集成电路有三百块之多。我们在自己家里修一些电器的时候,你可以看见有很多黑黑的方块，这些黑黑的方块是什么？就是我们说的集成电路和芯片。这里面有大量的集成电路的基本元件，叫晶体管，可能有几十亿支甚至上百亿支。晶体管的原理非常简单，但是真正要把这样的晶体管发明出来，人类还是经过了非常长时间的探索。我们知道，世界上第一台电子计算机是1945年在美国的宾夕法尼亚大学发明的，我们用的是所谓的电子管，大概直径在两公分左右，高度有个五、六公分，通上电以后它会发亮，像个灯泡似的。这样的电子计算机用了17500支电子管，很多，但这个电子管的可靠性非常差，六分多钟就烧坏一支，一旦烧坏了怎么办呢？就得去换。换的时候，计算机的机房里的一些女士就要跑去把电关了，换一支电子管，再重新开机。这样的一个计算机使用效率是非常低的，因...
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据华尔街日报报道，一位美国联邦法官裁定，高通公司(Qualcomm Inc. ,QCOM)在手机芯片市场上非法抑制了竞争，并利用其主导地位获取了过多的专利授权费用。这一决定可能给高通的业务模式带来挑战，并可能会给整个智能手机行业带来震动。这一裁定由圣何塞的美国联邦地区法官Lucy Koh做出，并在周二深夜得到公布。这一裁定与美国联邦贸易委员会(Federal Trade Commission, 简称FTC)在高通相关问题上的立场一致；FTC在2017年1月向高通发起了反垄断诉讼。在一个月前，高通刚刚就苹果公司(Apple Inc., AAPL)发起的另一桩类似的诉讼达成和解，苹果公司在和解中同意继续支付专利授权费用。法官Koh还认为，高通在5G智能手机调制解调器芯片开发中占据领先地位，这可能会使该公司继续此类行为。这位法官要求高通在与客户谈判或重新谈判授权协议时，不要采取不公平的做法，例如威胁停止供应高通芯片。高通在向芯片行业竞争对手授权专利时还必须以公平合理的价格进行，且不能与苹果公司等智能手机制造商签订排他性供应协议，这种协议会阻碍其他芯片供应商向智能手机制造商销售芯片。法官Koh还称，高通必须在未来七年接受观察，以确保该公司遵守这些要求。受消息影响，高通股价在周三美股盘前已跌超12%。周三当天，高通大幅低开11%，盘中跌破68美元，日内跌幅将近12.6%，最终收跌10.86%...
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5月17-19日，由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院、江苏省工业和信息化厅和南京市江北新区管委会联合主办的首届“世界半导体大会”在南京召开，北方华创微电子在“第三代半导体产业发展论坛”上发表了题为《5G芯片的刻蚀需求及NAURA的解决方案》的演讲。重点介绍了5G化合物芯片的技术和市场发展情况，以及对刻蚀技术和设备的需求，并展示了北方华创为各种新技术提供的最新解决方案，引起了与会听众的高度关注。随着5G通讯时代的到来，化合物半导体芯片也出现了越来越多的新应用。5G 基站的射频放大器芯片GaN-on-SiC HEMTs、5G基站电源管理芯片GaN-on-Si HEMTs和SiC MOSFETs、5G终端3D激光传感芯片GaAs VCSELs等的年复合增长率均在40%以上，市场前景广阔可期。挑战与机遇同在，北方华创微电子一直紧跟技术前沿，为5G相关新技术提供了国产化工艺与装备解决方案。 此外， 在本次会上，北方华创微电子被中国半导体行业协会评为“2018年中国半导体设备五强企业”。同时，公司生产的12英寸等离子体刻蚀机（NMC612系列）、数字式质量流量控制器（CS200）被中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会和中国电子报社联合评为“第十三届（2018年度）中国半导体创新产品和技术”。北方华创将继续秉持以客户需求为导向的持续...
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