10月12日，由中国科学院集成电路创新研究院（筹）工艺总体部策划并组织的“集成电路先导技术系列研讨会”在中科院微电子所成功举办。微电子所党委副书记（主持工作）、副所长、集成电路创新研究院筹建组副组长戴博伟出席会议并致辞，所长助理、先导中心主任王文武研究员，科技处孙文勇副处长，先导中心韦亚一、都安彦、殷华湘、谢玲、罗军、杨涛、吴振华、粟雅娟、杨红等科研骨干出席并合影。韦亚一研究员主持“先进光刻——先进节点设计与工艺协同优化技术”会场，他诚挚欢迎高校和企业研究学者和技术专家参会，希望大家畅所欲言，加强合作与交流。粟雅娟副研究员介绍会议背景，简要介绍了中科院微电子研究所的历史、架构、人才培养、科研方向和研究成果，介绍了中国科学院集成电路创新研究院（筹）的筹建思路、未来规划和任务使命，介绍了在设计与工艺协同优化研发方向的未来研究趋势和研讨会主题。陈睿副研究员介绍了我所期刊JoMM，期刊致力于出版先进微电子制造技术，以高质量的SCI期刊为目标，涵盖了从早期学术理论、实验到工业化制造应用半中导体制造科学与技术的研究。北京大学刘晓彦教授、复旦大学微电子学院解玉凤副教授、睿初科技(深圳)有限公司肖艳军产品经理、明导（上海）电子科技有限公司杜春山技术主管、新思科技（上海）有限公司孟晓东经理受邀参加了本主题研讨会。中国科学院微电子研究所韦亚一、谢常青、粟雅娟、陈睿、张利斌、苏晓菁等技术骨干参加并讨论。...
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1958年，杰克•基尔比先生和罗伯特•诺伊斯先生，先后发明了基于不同材料的集成电路，随着CPU、存储器等的发明和创新应用，人类文明进入了信息化时代。为纪念集成电路发明60周年，由中国电子学会、国家自然科学基金委员会信息科学部、中国科学院信息技术科学部、中国工程院信息与电子工程学部共同主办、清华大学微电子学研究所、北京未来芯片技术高精尖创新中心协办的“纪念集成电路发明60周年学术会议”于10月11日在清华大学举办。会议现场清华大学副校长王希勤在致辞中指出，集成电路是国之重器，是信息社会各行各业的基石。清华大学深度参与创新驱动发展战略的实施，要在国家集成电路的发展中有所作为。王希勤介绍了清华大学近年来在人事改革、教学改革、科研改革、现代化治理体系改革等方面的举措，提出集成电路这一学科的发展对学校事业发展有着重要的作用，要举全校之力培养出一批集成电路领军人才，为中国集成电路的自主创新发展贡献力量。王希勤致辞工业和信息化部电子信息司吴胜武副司长，中国电子学会副理事长、中国科学院副院长李树深院士分别代表指导和主办单位致辞。吴胜武表示，中国集成电路产业机遇与挑战并存，要坚持创新驱动发展战略，持续加大研发投入，持续推进国际合作，建设国家级集成电路创新平台。李树深表示，60年来，集成电路支撑着庞大的军民和民用市场，我们要向60年前的两位发明人致敬，用更多的电子信息技术服务人类社会发展。吴胜武致辞李...
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金风送爽、春华秋实，值此收获时节，喜迎华虹无锡项目又一阶段性成果——华虹七厂F1生产厂房最后一榀钢屋架吊装顺利完成。自8月12日F1生产厂房首榀钢屋架吊装至今，争分夺秒的两个月里，工地现场不间断交叉作业，一派热火朝天的景象。今天，无锡市副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记王进健，华虹集团党委书记、董事长张素心，高新区党工委副书记、管委会副主任、新吴区委副书记、副区长洪延炜，以及总包联合体十一科技和上海建工集团、同济监理相关领导等共计200余人再次齐聚一堂，共同见证华虹七厂F1生产厂房钢屋架吊装顺利完成。华虹宏力党委书记、执行副总裁、华虹半导体（无锡）副总裁徐伟主持仪式。他首先向出席领导和嘉宾致意，接着介绍了近两个月以来的项目建设进展：“主厂房钢结构共计1.18万吨，主桁架99榀，托桁架64榀；挖土方近2万立方米，支模板11万立方米，绑扎钢筋近6000吨，浇筑砼近51万立方米。目前项目整体进展顺利，钢屋架吊装进度节点较原计划（10月25日）提前了13天，预计2018年底主体结构完成。”随后总包联合体十一科技院长何平和上海建工集团董事长徐征也分别发表致辞。华虹和无锡在共同推进信息产业高质量发展的新征程中再迈出了坚实的一步，王进健副市长表示：“将会以更加主动的态度、更为积极的措施为华虹项目建设、投产提供全面服务，全力支持华虹公司在锡投资经营、发展壮大。”项目建设高筑安全防线，把牢品质标...
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（香港讯，2018年10月10日）全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业--华虹半导体有限公司（“华虹半导体”或“公司”，股份代号：1347.HK）宣布，其第二代0.18微米/40VBCD工艺平台已经成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm2，达到该节点领先工艺水平，可提高产品的驱动能力，减小芯片面积，扩大高压管安全工作区（Safe-Operation-Area, SOA），保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件，包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外，该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse，从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。目前，在与国内外多家客户紧密合作下，公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证，并成功进入量产。以绿色科技为主导，电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理（PMIC）BCD工艺方案，在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来，华虹半导体将继续发挥在BCD...
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美国物理学会Physical Review Letters（PRL）期刊2018年10月5日在线发表了北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心和“新型半导体低维量子结构与器件”创新群体的最新研究成果“Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN”。III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体具有一系列优异的物理、化学性质，是发展半导体照明、新一代移动通信、新一代通用电源、新能源汽车、固态紫外光源等不可替代的新型半导体材料。掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一，确定C杂质在GaN中的晶格位置对于解决上述问题至关重要。由沈波教授领导的北京大学宽禁带半导体研究团队与其合作者近期在这一问题上取得了重要进展。该团队与中科院苏州纳米所和中国科技大学等合作单位采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合...
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10月11日晚间，紫光国微披露，拟将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司（以下简称西安紫光国芯）100%股权以约2.2亿元人民币转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司（以下简称“紫光存储”）。交易完成后，将不再持有西安紫光国芯股权。2015年，紫光国微收购西安紫光国芯，后者则承担着国家科技重大专项“核高基”和国家高技术发展计划“863”等多个存储器领域的重大专项研究项目和课题。若上述关联交易获股东大会批准，则意味着西安紫光国芯将不再囊括在紫光国微上市平台内。据紫光国微以及西安紫光国芯官网介绍，西安紫光国芯是专业的DRAM存储器芯片设计公司，主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售，并提供相关集成电路的设计、测试服务，目前的主要产品为DRAM存储器芯片和模组。也就是说，交易完成后，紫光存储将有NAND Flash和DRAM业务两大产品线。西安紫光国芯运营情况根据披露的财务数据，西安紫光国芯2017年度经审计营业收入约3.43亿元，净利润-1200.23万元，2018年1-7月营业收入约3.27亿元，净利润-585.23万元，截至2018年7月31日净资产2755.6万元。紫光存储截至2018年7月31日净资产8.2亿元，2018年1-7月实现营业收入36.43万元，净利润-2001.16万元。紫光国微称，对西安紫光国芯100%股权评估时，最终选择收益法的评估...
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