据报道，8月12日，台积电在新一期董事会上表示，为优化组织运作与精进营运效能，经完整评估，决定在未来2年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能，以提升营运效益。台积电指出，这决定是基于市场与长期业务策略，台积电正与客户紧密合作，确保在过渡期间保持顺利衔接，并致力在这期间继续满足客户需求，台积电仍将着重为合作伙伴及市场持续创造价值。此举不会影响其先前公布的财务目标。 来源：SEMI
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近日，工信微报发布2025年上半年软件业运行情况报告，指出2025年上半年，我国软件和信息技术服务业运行态势良好，软件业务收入稳健增长，收入70585亿元，同比增长11.9%。细分来看，信息技术服务收入保持两位数增长。上半年，信息技术服务收入48362亿元，同比增长12.9%，占全行业收入的68.5%。其中，云计算、大数据服务共实现收入7434亿元，同比增长12.1%，占信息技术服务收入的15.4%；集成电路设计收入2022亿元，同比增长18.8%；电子商务平台技术服务收入5882亿元，同比增长10.2%。 来源：中电网
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据璞璘科技官微消息，8月1日，璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收并交付至国内特色工艺客户。据悉，PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备攻克了步进硬板的非真空完全贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术难题，可对应线宽＜10nm 的纳米压印光刻工艺。PL-SR系列通过创新材料配方与工艺调控，提高胶滴密度与铺展度，成功实现了纳米级的压印膜厚，平均残余层＜10nm，残余层变化＜2nm，压印结构深宽比7:1的技术指标。发展了匹配喷胶步进压印工艺与后续半导体加工工艺的多款纳米压印胶体系，特别是开发了可溶剂清洗的光固化纳米压印胶，解决了昂贵石英模板可能被残留压印胶污染的潜在风险，为高精度步进纳米压印提供了可靠材料保障。此外，PL-SR重复步进压印系统还可满足模板拼接的需求，最小可实现20mmx20mm的压印模板均匀的拼接，最终可实现300mm（12in）晶圆级超大面积的模板。该款设备目前已经初步完成储存芯片、硅基微显、硅光及先进封装等芯片研发验证。 来源：SEMI
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2025年上半年，我国电子信息制造业生产快速增长，出口稳定向好，效益持续改善，投资略有下滑，行业整体发展态势良好。一、生产快速增长上半年，规模以上电子信息制造业增加值同比增长11.1%，增速分别比同期工业、高技术制造业高4.7个和1.6个百分点。6月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长11%。主要产品中，手机产量7.07亿台，同比下降4.5%，其中智能手机产量5.63亿台，同比增长0.5%；微型计算机设备产量1.66亿台，同比增长5.6%；集成电路产量2395亿块，同比增长8.7%。二、出口稳定向好上半年，规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比增长3.6%，较1—5月提高0.3个百分点。6月份，规模以上电子信息制造业实现出口交货值同比增长5%。据海关统计，上半年，我国出口笔记本电脑6675万台，同比下降2.8%；出口手机3.4亿台，同比下降7%；出口集成电路1678亿个，同比增长20.6%。三、效益持续改善上半年，规模以上电子信息制造业实现营业收入8.04万亿元，同比增长9.4%；营业成本7.02万亿元，同比增长9.6%；实现利润总额3024亿元，同比增长3.5%；营业收入利润率为3.76%，较1—5月提高0.4个百分点。6月份，规模以上电子信息制造业营业收入1.55万亿元，同比增长9.6%。四、投资略有下滑上半年，电子信息制造业固定资产投资同比增长4.6%，较1—5月回...
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据台媒报道，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）正在积极推进其DDR5和LPDDR5 DRAM工艺升级。供应链消息人士透露，长鑫存储的样品近期已通过测试，质量已经与南亚科技的产品相当，目标2025年底量产。报道称，长鑫存储在2024年年底开始生产其 DDR5 内存，不过长鑫存储当时使用的可能是其相对落后的第 4 代 DRAM 工艺节点（特征尺寸约为16nm，相当于三星2021年推出的第 3 代 10nm 级节点DDR5）来制造其 16 GB DDR5芯片，这就是为什么与三星生产的 16GB DDR5 芯片相比要大40%的原因。这意味着，与三星的DDR5芯片相比，长鑫存储DDR5芯片的制造成本要高得多，这使得长鑫存储DDR5芯片在市场竞争当中处于弱势，且无利可图。 来源：中电网
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2025年第二季度，山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺。12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发，是天成半导体发展史上的一个重要里程碑，更是我们迈向新征程的起点。接下来，天成半导体将全力以赴推进大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，深化研发投入，保持技术领先地位。 来源：天成半导体
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