6月19日消息，据外媒报道，6月18日美国芯片巨头德州仪器宣布计划在美国7个半导体工厂投资超过600亿美元（约合人民币4314亿元），在美国制造数十亿种基础半导体。这是美国历史上对基础半导体制造的最大投资。德州仪器表示这笔资金将用于升级现有工厂及新建项目，包括美国德克萨斯州和犹他州3个制造巨型工厂的7个美国半导体工厂，将每天生产数亿颗美国制造的芯片，支持6万多个新的美国工作岗位，但具体进度取决于市场需求。德州仪器强调其长期资本支出计划未变，现有资金已分配至部分在建工厂的投产准备阶段。德州仪器公司高管向投资者表示，新建更先进的本土工厂，是提升竞争力的关键，尤其是巩固和提升其在模拟芯片领域的地位。模拟芯片是德州仪器的主导产品，这类芯片虽技术相对成熟，但负责将声音、压力等物理信号转化为电子信号，广泛应用于日常电子产品。在美国特朗普政府要求美国半导体供应链回流、重振美国制造业的压力下，德州仪器是最新一家加大美国本土生产的芯片制造商。德州仪器明确表示，税收优惠是其扩张的重要激励。此前格芯、美光等芯片制造商也宣布了类似的支出计划。与此同时，特朗普政府继续向苹果、三星等消费电子巨头施压，要求它们在美国生产产品。 “近一个世纪以来，德州仪器一直是推动技术和制造创新的美国公司。”美国商务部长Howard Lutnick说，“特朗普总统将增加美国的半导体制...
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据悉，2025年6月16日，韩国SK集团宣布将与全球云服务巨头亚马逊网络服务（AWS）合作，在蔚山美浦国立工业园区建设超大规模人工智能（AI）数据中心。该设施将配备60000个图形处理器（GPU），建成后将成为韩国规模最大的AI专用数据中心。据业内人士透露，项目计划于本月末正式发布，8月动工，分两阶段推进：一期41兆瓦（MW）设施预计2027年11月完工；二期于2029年2月将容量提升至 103兆瓦（MW）。SK集团的愿景是最终将该中心扩展至1千兆瓦（GW），打造东北亚领先的AI数据中心枢纽。双方将共同投入数万亿韩元，其中很大一部分资金来自SK电信和SK宽带此前公布的2028年前AI领域3.4万亿韩元（24亿美元）投资计划。业内预估仅AWS投资就可能达40亿美元（约5.47万亿韩元）。SK Gas、SK海力士等集团子公司也将提供支持。另外，蔚山基地毗邻SK Gas的液化天然气（LNG）热电联产电厂，能有效保障数据中心所需的海量电力供应。该项目被视作SK集团AI战略的核心支点，其服务模式聚焦“定制化AI基础设施”——从科技巨头的大规模算力需求，到初创企业的轻量化技术部署，均能提供适配的算力解决方案。此举不仅将强化韩国在AI算力领域的区域竞争力，更有望通过AWS的全球云服务网络，推动东北亚地区AI产业与国际算力生态的深度融合。 来源：唐普咨询TANGPUINFO
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据香港券商报告，三星电子2025年6月未能通过第三次英伟达12层HBM3E芯片认证。三星电子目前计划于9月进行第四次认证。三星最新的认证工作未能达到英伟达的标准，这为其进入下一波AI工作负载HBM供应的时间表带来了进一步的不确定性。尽管三星提前提升了HBM3E的产量，但由于未能获得认证，其供应计划被推迟。与此同时，美光科技似乎正取得新进展。美光公司利用韩美半导体的热压键合（TCB）设备，提高8层和12层HBM3E芯片的良率。12层HBM3E芯片的良率已达到70%，而8层HBM3E芯片的良率则达到75%。 来源：TechSugar
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6月11日消息，据Tom's hardware援引台媒Digitimes的消息报道称，由于近期地缘政治形势和需求变化促使台积电重新调整其全球产能投资策略。具体来说，为了应对美国特朗普政府日益增长的本土制造需求压力，台积电已将其即将在美国新建的2nm及A16制程的晶圆厂建设工期提前了多达6个月。相反，台积电在日本的一家晶圆厂目前表现不佳，第二座晶圆厂也面临延期。此外，德国汽车行业的萎缩，可能也会减缓台积电在德国晶圆厂的进一步投资。多年来，台积电一直是全球晶圆制程产业当中规模最大的产能建设者和投资者，每年都在持续建设多个新的晶圆制造工厂。2025年，台积电列出了总共9个在建的新工厂（尽管其中一些工厂于2024年开工，而另一些工厂实际上是开始运营，而不是开始建设）。其中，位于美国亚利桑那州凤凰城附近的Fab 21工厂被列为两个独立的部分，将生产不同的制程工艺。4nm晶圆厂已经投产，3nm晶圆厂目前处于设备配备阶段，2nm和A16制程生产设施已于今年4月开工建设。目前，该工厂的建设预计将加速，台积电表示已将竣工日期提前了6个月。作为该计划的一部分，台积电已经将在美国制造领域的投资追加了1000亿美元，使其在美国的总投资达到1650亿美元。这些投资将在未来几年内投入使用，到2030年，美国将能够生产更先进的工艺节点。随着下一代工艺节点的晶圆生产价格将大幅上涨，在美国的本地化生产可能将...
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近日，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。作为一种高性能光电材料，薄膜铌酸锂具备超快电光效应、宽带宽、低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而，由于薄膜铌酸锂材料脆性大，大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战。为了攻克薄膜铌酸锂晶圆的制备工艺难题，上海交大无锡光子芯片研究院为无锡光量子芯片中试平台引进了110台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。依托尖端设备以及领先的纳米级加工能力，研究院在6寸薄膜铌酸锂晶圆上实现了110 nm高精度波导刻蚀，在兼顾高集成度的同时，调制带宽突破110 GHz、插入损耗低至3.5 dB以下，信号强度和抗干扰能力等性能指标达国际一流水平。“一片直径6寸的晶圆可以切割出350颗芯片，这些芯片如同‘心脏’，驱动着高性能薄膜铌酸锂调制器高效运行。”中试平台负责人介绍，达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。未来平台将与更多产业链上下游企业合作，加速科技成果转化落地，推动我国光子芯片核心器件从技术研发向产业化应用的实质性跨越。 来源：无锡滨湖发布
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1—4月，我国电子信息制造业生产稳步增长，出口小幅波动，效益逐步回升，投资平稳增长，行业整体发展态势良好。一、生产稳步增长1—4月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长11.3%，增速分别比同期工业、高技术制造业高4.9个和1.5个百分点。4月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.8%。1—4月，主要产品中，微型计算机设备产量1.05亿台，同比增长4.7%；手机产量4.54亿台，同比下降6.8%；集成电路产量1509亿块，同比增长5.4%。二、出口小幅波动1—4月，规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比增长4.5%，较一季度回落2.6个百分点。4月份，规模以上电子信息制造业实现出口交货值同比下降2.7%。据海关统计，1—4月，我国出口笔记本电脑4384万台，同比下降0.4%；出口手机2.24亿台，同比下降7.1%；出口集成电路1063亿个，同比增长20%。三、效益逐步回升1—4月，规模以上电子信息制造业实现营业收入5.12万亿元，同比增长10.1%；营业成本4.5万亿元，同比增长10.3%；实现利润总额1597亿元，同比增长11.6%；营业收入利润率为3.1%，较一季度提高0.4个百分点。4月份，规模以上电子信息制造业营业收入1.34万亿元，同比增长8.4%。四、投资平稳增长1—4月，电子信息制造业固定资产投资同比增长9%，较一季度回落1.5个百分点，比同期工业投资增...
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