据镓仁半导体官微消息，3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。据悉，镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业记录。中国氧化镓率先进入8英寸时代，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机，有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。 来源：集成电路材料创新联合体
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台积电于2025年3月3日宣布，将在美国追加投资1000亿美元，用于新建5座半导体工厂（包括3座晶圆厂、2座先进封装厂）及研发中心。结合此前已投入的650亿美元（含亚利桑那州凤凰城工厂），其在美总投资将达1650亿美元。该计划符合《芯片与科学法案》要求，可享受25%的税收抵免。台积电在生产用于人工智能的先进半导体方面处于世界领先地位，是英伟达和苹果的主要芯片制造合作伙伴。在宣布这一消息后，英伟达表示，它将依靠台积电的新工厂，在美国建立一个有弹性的技术供应链。据报道，台积电提及了自身制造业务的现状，并告诉客户，订单激增导致台积电芯片工厂一直以“超过100%”的负荷运转着。为了满足需求，台积电表示将在全球范围内新建多个半导体工厂，并打算雇佣数千名工人来支持该计划。特朗普表示：“没有半导体，就没有经济发展，它们为从人工智能到汽车再到先进制造业的一切提供动力。”特朗普此前承诺要让美国在人工智能领域占据主导地位。他补充说道，此举意味着“世界上最强大的人工智能芯片将在美国制造。” 特朗普政府明确表示，此举旨在强化美国本土芯片制造能力，避免依赖海外供应链。若台积电在台湾生产后出口至美国，可能面临25%-50%的关税，而本土生产可规避这一成本。此前拜登政府已为凤凰城工厂提供66亿美元补贴，进一步推动其在地化进程。台积电董事长兼总裁魏哲家表示：AI正在重塑我们的日常...
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三星电子正在推动关键半导体材料的本土化，此举引起广泛关注，因为该公司试图减少对日本进口的严重依赖。在美国、日本、中国大陆和中国台湾的全球半导体主导地位竞争日益激烈的背景下，这一战略转变被视为应对韩日关系潜在紧张的主动措施。据业内人士透露，三星电子半导体部门正在加快努力用韩国国产替代品取代“ArF（氟化氩）空白掩模”。这些掩模在半导体光刻工艺中至关重要，占整个阶段的40%以上。目前，三星对这些掩模的采购严重依赖日本的Hoya。然而，三星现在正与韩国生产商S&S Tech密切合作，以实现本土化。一位业内人士透露，“三星一直在接收少量国产ArF空白掩膜，但最近已开始评估在特定工艺中全面采用。”除了ArF空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。对于目前由日本三井化学主导的EUV薄膜，三星正在与韩国FST合作实现本地化。此外，对于高带宽存储器（HBM）的关键材料非导电膜（NCF），三星正在与LG Chem合作。目前，NCF材料100%由日本Resonac供应给三星。三星材料供应链的多样化主要是为了应对人工智能（AI）革命引发的半导体需求激增。这种需求需要多样化目前由一两家公司垄断的工艺材料。该战略还考虑到与美国和日本以及中国大陆和中国台湾之间日益激烈的半导体主导地位竞争。日本则在培育Rapidus等新芯片制造公司，以增强国内半导体产业。如果日本再次对半导体材料实施类...
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2月25日，美光科技公司（Micron Technology）宣布推出采用极紫外光刻技术（EUV）的1γ（1-gamma）工艺制造的16Gb DDR5内存芯片。这一新型内存器件不仅在性能上超越了前代产品，还在功耗和制造成本方面取得了显著优化。美光计划将1γ工艺逐步推广至其他DRAM产品线，包括GDDR7、LPDDR5X以及数据中心级存储产品，使其成为未来存储产品的核心工艺。美光的1γ工艺DDR5内存芯片数据传输速率达到9200 MT/s，远高于当前DDR5标准规格的最高速率。与前代采用1β工艺的16Gb DDR5芯片相比，1γ工艺芯片的功耗降低了20%，比特密度提高了30%。美光表示，随着新芯片产量的提升，其生产成本有望进一步降低，从而在市场中更具竞争力。此外，美光强调，该芯片能够在JEDEC标准速度等级下稳定运行，同时更高的速度等级将为未来的验证和与下一代CPU的兼容性提供支持。美光还计划推出基于CXL（Compute Express Link）的内存模块，其速度有望突破JEDEC标准，达到10000 MT/s以上，为高性能计算和数据中心应用提供更强大的支持。美光的1γ工艺是其首次引入EUV光刻技术的制造节点。EUV技术的引入使得美光能够在关键层上实现更精细的图案化，从而减少多模式DUV（深紫外光刻）技术的使用，显著缩短生产周期并提升产量。美光并未透露1γ工艺中EUV层的具体数量...
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据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV 机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处理步骤的工作。目前英特尔已经利用High NA EUV光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆。资料显示，ASML的High NA EUV（EXE:5000）的分辨率为 8nm，可以实现比现有EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。英特尔此前就曾表示，High NA EUV光刻机将会首先会被用到其最新的Intel 18A制程的相关开发，预计基于Intel 18A制程的PC芯片将于今年下半年量产。此外，英特尔还计划在下一代的Intel 14A制程中全面导入High NA E...
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据彭博社援引知情人士的话称，AMD正在与亚洲多家公司讨论出售其服务器芯片制造厂，交易价值可能约为 40 亿美元，其中包括债务。随着AMD在人工智能和数据中心领域不断升级的竞争，出售的可能性也随之而来。为了与Nvidia和英特尔争夺人工智能半导体领域的霸主地位，该公司一直在扩展其面向人工智能的产品范围。周五AMD股价下跌2.2%，反映出市场普遍疲软。据报道，该交易计划于第二季度进行，旨在简化业务流程，并将更多资金投入人工智能和高性能计算机。涉案设施位于新泽西州和德克萨斯州，是AMD于2024年8月以49亿美元从ZT Systems手中收购的。ZT Systems对云计算解决方案的了解有望帮助为云和商业客户扩展由AMD提供支持的AI基础设施，此次收购旨在增强AMD数据中心AI系统的功能。彭博社称，潜在买家包括位于中国台湾的电子公司仁宝电子、英业达、和硕和纬创。这些企业专门为跨国科技公司提供合同制造服务；拥有AMD的设施将有助于他们提高人工智能和基于云的服务器的产能。如果交易成功，这将符合AMD更注重高利润半导体研发而非生产的策略。Nvidia等竞争对手也越来越多地依靠合同制造商来生产芯片，以便专注于研发和设计。AMD尚未对该谈话发表正式评论。仁宝、英业达、和硕和纬创的代表也对此不予置评。行业研究分析师Kunjan Sobhani和Oscar Hernandez Tejada之前估计这一...
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