7月29日，第三届全国集成电路“创业之芯”大赛北京分站赛路演活动在中关村集成电路设计园芯创空间顺利举办。经过前期的严格筛选，高精度信号链芯片项目、FMCW激光雷达芯片化、用于MR及3D计算机视觉的AI处理器、基于R-SpiNNaker架构AI芯片的泛在机器触觉、为端侧AI计算赋能--可重构存算芯片等8个项目参与了本次路演活动。项目涉及核心芯片、智能装备、触觉传感、人工智能、精密光学、激光雷达技术等多个集成电路创新热点，覆盖多个高新应用领域。▲路演活动现场据统计，本次参赛的团队共拥有知识产权超过100个，多数项目已获得过融资且经过市场检验，有100万到1000万不等的年营收。▲路演活动现场活动中，共有清控资本、中科创星等18家投资机构30多位代表、技术专家及投资人参与其中，在现场与项目负责人进行了深度互动，并与部分项目达成了初步投资意向。▲项目现场对接全国集成电路“创业之芯”大赛是由工业和信息化部人才交流中心主办，晋江市人民政府承办，福建省集成电路产业园区建设筹备工作组、泉州半导体高新技术产业园区晋江分园区管理委员会共同参与的国内首个专注于集成电路领域中早期项目的全国赛事。▲第三届全国集成电路“创业之芯”大赛启动仪式本届大赛于2019年11月正式启动，于3月31日启动线上路演对接活动，先后举办4场创业导师辅导活动、22场项目精准对接活动、3场主题对接活动，路演项目涉及5G核心芯片、A...
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中芯国际现在已经开始生产14纳米芯片，且成功步入了能够生产FinFET的半导体厂家（Foundry）的行列。此外，中芯国际还继续扩大投资，并已经回到科创板上市，募集资金。然而，由于特朗普政政权的干预，中芯国际无法使用一部分尖端的半导体生产设备。在这种情况下，中芯国际能否长期、稳定地为SoC的尖端厂家提供技术工艺支持呢？位于中国北京的中芯国际工厂 中芯国际是中国大陆主要的半导体代工厂，在中国提供着最尖端的工艺技术，且被人们期待能够为中国芯片行业做出巨大贡献。目前，中芯国际正竭力追赶在半导体工艺（采用了EUV蚀刻的工艺）中领先的TSMC和三星电子。然而，按照媒体所说，由于禁令的缘故，中芯国际未成功买到计划中的先进光刻机。从营收上看， 全球最大的Foundry—-TSMC的销售额几乎是三星电子的三倍，而三星的销售额是排名第三的GLOBALFOUNDRIES的三倍左右，也是排名第四的UMC的三倍左右。位于第五名的中芯国际与GLOBALFOUNDRIES和UMC之间的差距也不小。中芯国际积极获取投资与专注于某项特殊技术的GLOBALFOUNDRIES和UMC不同，中芯国际致力于尖端节点（Node）技术，因此，从理论上来讲，中芯国际可以与TSMC和三星电子这样的拥有健全财务体制的厂家分庭抗礼。研发尖端节点技术需要花费数十亿美金的成本，此外，要产生利润，还需要300mm晶圆生产产线（这...
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据Gartner预测：2020年世界半导体晶圆代工（Foundry）市场预计为680亿美元，较2019年的627亿美元同比增长8.5%，占到世界半导体产业销售收入的14.6%，较2019年的占比下降0.5个百分点。中国大陆晶圆代工行业起步较晚，目前中国大陆产能只占全球12.5%。据芯谋研究（IC Wise）报道，2015年中国集成电路设计企业有736家，到2018年增加到1698家，2019年1780家。芯谋预测：到2020年中国集成电路设计企业将突破3000家。在短短的5年里，中国集成电路设计企业增长4倍之多，有力地促进了我国集成电路产业的发展，同时也为世界半导体晶圆代工业的发展作出了贡献。
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各县（市、区）市场监管局（知识产权局）、开发区分局： 根据《国家知识产权局办公室关于规范知识产权管理体系贯标认证工作的通知》（国知办发运字〔2019〕34号，见附件1）及《泉州市市场监督管理局关于组织申报2020年上半年市知识产权专项补助资金的通知》（泉市监函〔2020〕152号，以下简称《通知》）文件精神，经研究，我局决定组织对今年申报2019年1月1日至2020年5月31日新通过《企业知识产权管理规范》（GB/T29490－2013）国家标准认证（以下简称“贯标”）的企业开展评审，择优给予补助，现就有关事项通知如下： 一、评审对象 已按照上述（泉市监函〔2020〕152号）《通知》要求向泉州市市场监督管理局申报知识产权管理规范认证补助资金的企业（具体名单见附件2）。 二、需要提交的评审材料 （一）申报企业对照《泉州市企业知识和产权贯标考核评分表》（附件3，以下简称《评分表》），逐项认真对照自评，填写每项自评得分，需要提供佐证材料，并在表中注明对应佐证材料的页码（填写示例见附件4）。上述《评分表》...
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趋势1：摩尔定律将在未来8到10年内持续下去在接下来的8到10年中，CMOS晶体管的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV图案化（patterning）方面的进展以及通过引入能够实现逻辑标准单元缩放的新型设备架构来实现。在7nm技术节点中引入了极紫外（EUV）光刻技术，可在一个曝光步骤中对一些最关键的芯片结构进行图案化。除了5nm技术节点之外（例如，当关键的后端（BEOL）金属间距小于28-30nm时），多图案EUV光刻变得不可避免，从而大大增加了晶圆成本。 最终，我们预计高数值孔径（high-NA）EUV光刻技术将可用于构图该行业1nm节点的最关键层。该技术将把其中一些层的多图案化推回单一图案化，从而降低成本，提升良率并缩短周期。 例如，Imec通过研究随机缺陷率，为推进EUV光刻做出了贡献。孤立的缺陷，例如微桥，局部折线以及缺少或合并的触点。随机缺陷率的改善可以导致使用较低剂量，从而提高产量。我们试图了解，检测和减轻随机故障，并且最近可能会报告随机缺陷率提高了一个数量级。 为了加快高NA EUV的引入，我们正在安装Attolab –允许在使用高NA工具之前测试一些用于高NA EUV的关键材料（例如掩模吸收层和抗蚀剂）。该实验室中的光谱表征工具将使我们能够在亚秒级的时间范围内观察抗蚀剂的关键EUV光子反应，这对于理解和减轻随机缺陷的形成也很重...
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近日，兆易创新在投资者互动平台上表示，公司DRAM芯片自主研发及产业化项目于2020年5月完成资金募集，现项目研发工作正在进行中。2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金，以实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破。公告显示，兆易创新DRAM芯片研发及产业化项目计划投资总额约40亿元，拟投入募集资金33亿元。兆易创新拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。根据兆易创新此前发布的《非公开发行A股股票申请文件一次反馈意见的回复》显示，兆易创新对DRAM芯片研发及产业化项目各个阶段的实施时间、整体进度进行了安排。根据安排，兆易创新计划在2020年定义首款芯片的生产制程，并将经过验证后的设计展开流片试样，经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证；2021年，首款芯片客户验证完成后进行小批量产，测试成功后进行大批量产；2022年至2025年，兆易创新计划完成多系列产品陆续研发及量产。资料显示，兆易创新自2005年设立并进入闪存芯片设计行业，通过技术开拓、业务并购，目前已成为中国大陆最为领先的芯片设计企业之一，其主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的...
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