这个项目最主要的成果就是中国科学家研发成功世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻机，365nm波长即可生产22nm工艺芯片，通过多重曝光等手段可以实现10nm以下的芯片生产。国内的半导体芯片对进口依赖非常高，特别是高端的内存、闪存、处理器等芯片，国内的技术落后，还不能完全国产替代。国内半导体在制造领域是落后最多的，很多人都知道光刻机在芯片生产中的的重要性，荷兰ASML公司目前垄断了高端光刻机的研发、生产。昨天中科院发布消息，中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备——超分辨光刻装备项目通过验收，这个项目最主要的成果就是中国科学家研发成功世界首台分辨力最高的紫外超分辨光刻机，365nm波长即可生产22nm工艺芯片，通过多重曝光等手段可以实现10nm以下的芯片生产。来自中科院官方的消息报道，中科院光电所所长、超分辨光刻装备项目首席科学家罗先刚研究员介绍说，2012年，该所承担了超分辨光刻装备这一国家重大科研装备项目研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，项目组突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米(约1/17曝光波长)。在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形...
发布时间 :
2018
-
11
-
30