据安徽日报报道，目前合肥通富微电子一期项目每天的产能可达到1700万颗集成电路，并且还在继续扩产。据了解，合肥通富微电子一期项目总投资33亿元人民币，专注于引线封装，建设有高标准厂房、智能化生产流水线，占地面积约198亩，总建筑面积约18万平方米，生产厂房面积5.9万平方米。至于项目二期则规划生产厂房面积5万平方米，总投资27亿元人民币。项目两期全部达产后可实现年产集成电路115亿块及集成电路先进封装晶圆凸块120万片的生产能力，可实现年销售33亿元人民币，年产值67亿元人民币。合肥通富微电子有限公司副总经理袁国强介绍，自开业以来，合肥通富微电子一期项目每个月的产能利用率都达到了产能极限，订单供不应求。目前一期项目每天的产能已达到1700万颗集成电路，还在继续扩产。据悉，合肥通富微电子项目是安徽省重点项目，也是通富微电在合肥建设的先进封装测试产业化基地。该项目专业从事集成电路封装和测试，涵盖框架类（超高密度，SHDLF）,基板类，内存芯片(Memory)、晶圆凸块类等不同工艺技术的封测。版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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6月27日，华为发布了创新和知识产权白皮书，并呼吁勿将知识产权问题政治化。华为首席法务官宋柳平在深圳总部召开的新闻发布会上表示，知识产权是创新的基础，将知识产权问题政治化会威胁全球技术的进步。华为首席法务官宋柳平宋柳平表示，“如果知识产权沦为政客的工具，将伤害人们对专利保护制度的信心。如果某些政府选择性剥夺一些公司的知识产权，将会摧毁全球创新的根基。”这份白皮书名为《尊重和保护知识产权是创新的必由之路》，详细介绍了华为公司在创新与知识产权保护上实践与贡献。华为知识产权部部长丁建新发布白皮书白皮书指出，创新和知识产权保护是华为在过去30多年成功的基础。截至2018年底，华为累计获得授权专利87,805项，其中有11,152项是美国专利。自2015年以来，华为获得的知识产权收入累计超过14亿美元。除了自身专利外，华为累计对外支付超过60亿美元专利费用于合法使用其他公司的专利，其中近80%支付给美国公司。宋柳平表示，知识产权是受到法律保护的私有财产，华为主张通过法律程序来解决知识产权纠纷。在华为过去30多年的经营和发展历程中，没有一起案件被法庭认定存在恶意窃取知识产权的行为，华为也没有因此被法庭判决承担赔偿责任。众多华为技术创新成果已融入至3G、4G和5G公开标准中，这表明华为对于知识产权采取合作、尊重的态度。宋柳平指出，即使有些国家的客户没有直接购买我们的产品，他们事实上也在使用这些核...
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据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估，汽车，电气设备，信息和通信设备等领域对下一代功率半导体（SiC和GaN）需求的预计将增加。预计2030年（与2018年相比）SiC成长10倍，GaN翻至60倍，Si增长45.1％。该机构指出，SiC功率半导体市场主要在中国和欧洲扩张，从2017年~2018年，SiC增长41.8％至3.7亿美元。目前，SiC-SBD（肖特基势垒二极管）占70％，并且主要在信息和通信设备领域需求增加。6英寸晶圆的推出使得成本降低，预计将进一步增长。此外，SiC-FET（场效应晶体管）主要在汽车和电气设备领域大大扩展。海外汽车制造商计划在2022年左右将SiC功率半导体用于驱动逆变器模块，预计汽车和电气元件的需求将增加。尤其是欧洲和中国的需求领先，大型商用车和豪华车的采用正在扩大，预计将在2025年左右主流车辆开始采用。目前，Si功率半导体被用于驱动逆变器模块，车载充电器和DC-DC转换器，但预计将被SiC功率半导体取代。在铁路车辆领域，对新型高速车辆的需求正在增加，并且在工业领域中，预期将在大功率设备相关应用中比较常见。虽然市场一直在放缓，但由于未来的高耐压，预计GaN功率半导体将主要在汽车和电气元件领域得到广泛采用。与SiC功率半导体相比，目前市场扩张速度缓慢，入门级制造商预计2022年需求将全面增长。由于GaN功率半导体...
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中兴通讯严格遵循ETSI（欧洲电信标准化协会）的要求，及时披露中兴在5G标准中的标准必要专利。基于德国IPlytics统计，截止6月15日，中兴通讯向ETSI披露1424族的3GPP 5G SEP(标准必要专利)和专利申请，位列全球前三。拥有标准必要专利是行业内技术实力的主要体现之一。中兴通讯将5G作为公司发展核心战略，目前公司研发重点投入5G相关领域，包括无线、核心网、承载、芯片、终端等关键领域，形成技术领先优势。公司5G专利申请超3500件，5G芯片专利超过200件。2018年公司研发投入占营收比例达到12%以上，2019年公司将持续加大5G研发投入，坚持以技术创新为根本，持续提高客户满意度和提升市场占有率。中兴通讯位列全球专利布局第一阵营，是全球5G技术研究、标准制定主要贡献者和参与者。中兴通讯2018年PCT国际专利申请2080件 累计PCT申请超过2.9万件，连续九年PCT国际专利申请量位居全球前五，其中2011年、2012年、2017年PCT专利申请名列全球第一。截至2018年12月31日，中兴通讯已申请过的全球专利资产累计超过7.3万件，其中，全球授权专利累计超过3.5万件。中兴通讯是ITU、3GPP、ETSI、IEEE、NGMN、CCSA等70+个国际标准化组织和论坛的成员，30+名专家在全球各大国际标准化组织担任主席和报告人等重要职务，累计向国际标准化组织提交文稿...
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近日在山东省发改委公布的新旧动能转换重大项目库第二批优选项目名单中包含多个半导体功率项目。如济南富元电子高功率芯片产业园项目（年产8寸硅基功率器件36万片、6寸碳化硅功率器件12万片），韩国iA集团—大唐电信投资有限公司车规级功率半导体模块项目（实现复合全控型电压驱动式功率半导体器件IGBT年产值10亿元）等。最新消息是，总投资50亿的山东兴华半导体项目已经开工。据日照高新消息，6月15日，山东兴华半导体项目开工仪在日照高新区举行开工仪式。消息指出，该项目由东南亚最早的半导体制造公司——香港兴华半导体工业有限公司开工建设。图片来源：日照高新项目计划总投资50亿元，主要建设5寸/6寸和8寸半导体集成电路生产线各一条，主要设计制造市场前景广阔的半导体集成电路芯片，将建成国内主要的功率器件和集成电路供应商。量产后，5年内可实现产值7.2亿元，年税收1.4亿元。目前，该项目已完成立项和工商注册手续，一期项目厂房建设已奠基开工。事实上，近年来，有多个功率半导体项目都已经落户山东。其中富士康济南项目（富能高功率芯片生产项目）已于3月15日开工。根据济南高新区管委会此前发布的新闻稿称，富能高功率芯片生产项目将建设8寸晶圆厂功率半导体器件（主要生产MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圆厂碳化硅器件的研发、生产基地，项目一期用地317.92亩，建筑面积约24.5万平方米，投资50.5...
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6月21日至22日，由国家工业信息安全发展研究中心、工业信息安全产业发展联盟主办的2019年中国工业信息安全大会在北京举行，工业和信息化部总经济师王新哲出席21日上午会议并致辞。中国工程院院士邬贺铨、中国科学院院士尹浩等作主题演讲。 王新哲强调，全球正处于新一轮科技革命和产业变革的历史交汇期，以大数据、云计算、工业互联网、人工智能为代表的新一代信息技术与实体经济深度融合，工业经济加速由数字化向网络化、智能化拓展。伴随着工业互联网的快速发展，越来越多的工业生产设备和系统联网，制造环境走向开放、跨域、互联，工业信息安全问题日益突出。 王新哲表示，工业和信息化部将深入贯彻落实党中央、国务院的决策部署，加快完善工业互联网安全保障体系，加速提升工业互联网安全保障能力，全力保障工业经济平稳健康运行，为促进经济高质量发展和维护国家安全发挥积极作用。重点抓好以下工作： ■一是完善制度规范。推动出台加强工业互联网安全工作的指导意见，完善工业互联网安全管理制度机制，着力构建起企业负主体责任、政府监管的安全管理体系。加快重点领域的标准研制，完善工业互联网安全标准体系。 ■二是突破关键技术。加强关键核心技术攻关，补齐技术短板，强化安全技术手段建设。组织实施工业互联网创新发展工程，开展工业互联网安全技术研发、测试评估等工作。 ■三是构建安防体系。加快建成覆盖国家、地方、企业三级的安全技术防控体系，...
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