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全球最大的硅晶圆生产商之一SUMCO宣布，2018年调升12英寸硅晶圆价格20%，2019年还会再次调升价格，执行长Hashimoto Mayuki向媒体承认此消息。带动硅晶圆价格上涨主因为12英寸硅晶圆短缺，此规格的硅晶圆主要用于制造处理器、显卡及存储器。SUMCO也预估，至2020年时，全球的晶圆需求将增长至每月660万片，以现况来看，价格估计将会持续攀升。国内晶圆代工厂商产能陆续开出，恐推升硅晶圆价格涨价幅度SUMCO释出的涨价消息确定持续至2019年，然而硅晶圆制造端大多采用去瓶颈化方式缓慢增加12英寸空白硅晶圆产能，扩产动作相对保守许多，硅晶圆涨价仅意谓客户端愿意以较高价格确保硅晶圆供货无虞，并没有消息有客户因涨价而不愿跟进。实际上供给端的产能虽然紧，但仍足以应付既有需求量，只要有客户愿意追价跟进，硅晶圆涨价就可能持续，而国内新增的产能将陆续于2018下半年开出，以中国积极发展半导体态度来看，硅晶圆需求端并不缺愿意追价跟进的玩家，硅晶圆价格涨价幅度可能因此推升。硅晶圆制造厂商以保守扩产方式测试客户端可接受的价格底线虽然客户端对终端市场的需求如5G、物联网、车用电子及AI等题材的发展偏向乐观，也确实成为带动硅晶圆涨价的驱动力，然这些题材是否能确实带起硅晶圆需求仍是未知。国内扩产后的产能需求能维持多久也是未知，在此情形下，历经长期亏损的硅晶圆制造厂商，将采取保守扩产方式，来测...
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近日，网宿科技宣布正式上线洛杉矶、新加坡和日本三大安全节点，大举拓展网宿云安全在海外地区市场及资源。同时，欧洲地区的安全节点也将于今年落地。届时，网宿的安全节点覆盖能力将辐射亚太、北美及欧洲地区，“网宿网盾”的安全防护网将更为紧密坚固。 近年来，网络安全事件频发，网络安全的攻击性也越来越强。而随着互联网带宽规模的扩容，大流量攻击呈现不断增长的趋势，年均攻击规模以100G为单位逐年上升。数据显示，2013年以前，DDoS攻击规模基本没有超过200Gbps，到2016年6月，网宿平台成功抗击的DDoS攻击峰值达500Gbps；2017年，网宿平台成功抗击的DDoS攻击带宽峰值达到774Gbps。当前，数百G的流量攻击正在成为常态，网络安全形势愈发严峻，不排除2018年DDoS的T级攻击将会多次出现。市场呼唤更快捷专业的流量清洗技术，从而更快分散清洗攻击流量。此次网宿科技最新上线的海外安全节点，实现实时监测，且全部采用BGP Anycast技术，用智能化的调度机制，通过BGP AnyCast与DNS调度相结合的方式，将网络攻击分散开来，从而达到攻击流量智能分散及清洗的效果。事实上，网宿已经具备T级的DDoS防护能力。此次海外安全节点运用BGP AnyCast技术，将进...
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来源：富士康资料图原题目：政府报告明确了！集成电路被列入实体经济发展首位3月5日，第十三届全国人民代表大会第一次会议在北京人民大会堂开幕。集成电路也再次被写入政府工作报告。国务院总理李克强在《政府工作报告》“对2018年政府工作的建议”中指出，要加快制造强国建设。具体而言，主要是推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展，实施重大短板装备专项工程，发展工业互联网平台。大幅压减工业生产许可证，强化产品质量监管。全面开展质量提升行动，推进与国际先进水平对标达标，弘扬工匠精神，来一场中国制造的品质革命。值得注意的是，这并不是集成电路首次被列入政府工作报告。事实上，自2014年首次列入以来，集成电路已多次出现在政府工作报告中。不过与此前不同的是，此次集成电路被列入了实体经济发展的第一位。尽管集成电路产业没有出现在2016年《政府工作报告》中，但该报告提到“抓新兴产业培育”、“到2020年，先进制造业、现代服务业、战略性新兴产业比重大幅提升”等内容，2017年的《政府工作报告》即明确提出“要加快培育壮大新兴产业，加快集成电路等技术研发和转化，做大做强产业集群”。这也足以证明作为集成电路产业最大的产品需求国，中国实现集成电路产业国产化的迫切需求。尽管据工信部和海关总署统计的数据显示，2017年1-10月，集成电路产品进口金额高达2071.9亿美元，同比上涨14.5%...
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DRAM内存商用已历经50年，NAND Flash闪存面世也已经有30年，从最初的群雄并举演化到当前的寡头格局，地域上也可分出韩国、美日、和中国台湾这3个梯队；以长江存储、长鑫、晋华和紫光DRAM项目为主的中国新晋力量受到广泛关注。中国存储器产业如何发展？本文从纯市场的角度，就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考：DRAM数据来源：IHSPC：DDR4；利基：DDR3DDR3和DDR4内核并无本质差别，逻辑部分同为8位预加载，晶圆制成大同小异。定位PC和服务器市场，DDR4是不二选择。车载等利基市场产品应用滞后主流技术1代，定位利基市场需要在市场准入和可靠性方面打开局面并建立多产品小批次的运营模式，DDR3不失为一种选择，但是必须考虑到市场容量问题。目前市场上已经出现紫光国芯品牌的DDR3内存条，也许可以理解为是一种前奏。紫光国芯的前身为2003年建立的英飞凌西安DRAM设计部门，2009年被浪潮收购开始独立运作。紫光国芯具有一流的设计能力，从事利基型DRAM和设计服务，晶圆主要由台湾的合作伙伴供应。这种类似金士顿的模式需要强大的渠道控制力和品牌号召力，且成本较高；但是由此可以实现零的突破，建立品牌和分销模式，为今后的大发展奠定一个基础。移动：LPDDR4移动DRAM在受手机市场的推动量价齐升。根据IDG公布的数字，2017年全球智能手机年产量14....
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根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平泽市官员说法报导指出，三星电子将召开管理委员会议，决定是否兴建第2座芯片厂，并于农历新年后宣布决定。报导指出，总投资额可能约为30万亿韩元（约27.6亿美元）。而根据《FN News》的进一步报导，目前三星已经在韩国平泽市有了一座大型工厂，这座工厂从2017年开始在进行64层堆叠NAND Flash快闪存储器颗粒的生产工作。而新工厂暂时名为P2 Project，就在距离旧工厂不远处。目前该新工厂的投资额达30万亿韩元（约27.6亿美元），不过暂时不清楚是初步投资金额还是总投资金额。至于会采用独资或者是合资的方式来兴建，三星目前也没有透露更多的消息。报导进一步指出，现在这座新工厂已经开始建设，而且管道铺设工程也已经接近尾声。未来，新工厂完成兴建之后，将会拥有同时生产DRAM、NAND Flash快闪存储器的能力。但是目前三星并没有对外披露具体的生产计划。外界预估，届时DRAM、NAND Flash快闪存储器的生产应该会各占产能的一半，而且三星会根据市场的需要进行动态调整，以此来决定DRAM或NAND Flash快闪存储器的产能高低。根据规划，三星的这一座新工厂将会在2019年年底完工。因为，...
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