中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）宣布公司荣获首届上海市知识产权创新奖（保护类）。该创新奖由上海市政府和世界知识产权组织（WIPO）首次联合颁发，旨在表彰奖励本市在知识产权创造、保护、运用方面具有突出成就的创新主体。2019年5月，上海市启动了该奖项的评选工作，历时近4个月，经5轮筛选，中微公司等9家企事业单位脱颖而出，分别获得了“上海市知识产权创新奖”的创造、保护和运用三类奖项。中微公司是首批科创板上市公司之一，是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，为全球集成电路和LED芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量服务。中微公司基于在半导体装备产业多年耕耘积累的专业技术，涉足半导体芯片前端制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观制程的高端设备领域，瞄准世界科技前沿，坚持自主创新。中微公司长期坚持研发创新，并高度重视知识产权管理和国际保护，建立了较为科学的研发和知识产权保护体系。中微公司的专利曾荣获“中国专利金奖”、“中国专利优秀奖”、“上海市发明创造奖”、“浦东新区优秀专利奖”。中微公司于2017年、2018年连续入选科睿唯安发布的《2017年中国大陆创新企业百强》、《2018年中国大陆创新企业百强》。12年来，中微公司成功应对来自三家国际半导体设备领先公司的数轮国际知识产权诉讼挑战，涵盖商业秘密...
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近日，长沙市委书记胡衡华专题调研集成电路产业链时指出，长沙发展集成电路产业的重点在于设计和设备、第三代半导体、功率半导体以及集成电路在北斗、智能驾驶等领域的融合应用。为加快推进新一代半导体和集成电路产业发展，近日，长沙市政府发布《关于印发长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策的通知》。根据文件内容，该政策共十二条，其中第一条主要明确支持范围和重点，第二条、第三条主要明确产业专项资金和基金，第四条至第十条，主要明确支持范围及支持方式，第十一条，主要明确资金使用方式，第十二条为附则，主要明确实施期限和政策有效期。以下为政策的主要内容：· 设立规模为3亿元的产业发展专项资金，用于支持新一代半导体和集成电路产业及企业发展，重点支持企业研发创新、人才培育、市场拓展及重大项目的引进、新（扩）建。· 充分发挥政府产业引导基金的作用，鼓励发起设立长沙市新一代半导体和集成电路产业发展投资子基金，子基金规模可增加至100亿元。· 对企业的晶圆（MPW）试流片、全掩膜（FULL MASK）工程产品首次流片，购买IP核费用，分别给予该企业实际交易额60%，50%，50%的补贴，最高补贴500万元。· 对企业采购长沙市内企业生产的材料、芯片、关键零部件及设备，按照采购金额的10%给予补贴，单个企业最高500万元。...
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10月16日，中国一汽与中兴通讯在吉林长春签署战略合作协议，中国一汽董事长徐留平和中兴通讯董事长李自学出席签约仪式。双方将在5G自动驾驶、车路协同、智能制造、智慧园区、法务合规等业务领域展开深入合作，并联合开展基于5G网络建设、5G的创新应用场景、方案研究及相关标准和课题的申报等方面的工作，加快5G新应用的研发和商业化进程，共同打造5G行业应用示范。 当前全球汽车业正在进入巨大的变革时期，其中变革的关键因素除了消费者的推动，其主要的驱动力包括：新能源汽车、智能网联技术、新材料技术和人工智能。这四大领域当中，创新和融合正在加速推动汽车产业变革时期的到来。同时当下汽车产业的变革和转型正处于阵痛期，新产业形态处于孵化和塑造期，也是旧产业形态的一种淘汰期。中兴通讯高度重视汽车产业向数字化、智能化的发展，为了更好地服务汽车产业，于2018年12月6日正式成立一级子公司深圳市英博超算科技有限公司，并成功完成了“挚途4.0计算平台项目”的第一阶段交付验收工作，为中国一汽开发了红旗PHEV H7高速L3自动驾驶样车。此次中国一汽与中兴通讯的战略合作，将进一步助力中国一汽抢占智能网联和智能制造核心技术制高点。根据中国一汽与中兴通讯签署的战略协议，双方将共同探索5G、C-V2X、云计算、边缘计算等技术与智能驾驶、智能制造等技术的深度融合，在智能网联汽车的产品研发、生产、测试、运营、服务、管理...
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2019年10月21日，上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”）与合肥新站高新技术产业开发区管委会签订《上海新阳半导体材料股份有限公司第二生产基地项目投资合作协议》，启动位于合肥新站高新技术产业开发区的第二生产基地项目建设。根据上海新阳的公告指出，该项目主要从事用于芯片制程使用的关键工艺材料的研发、生产和销售。经初步测算，该项目总投资金额约为6亿元人民币，占地面积115亩，项目计划分二期建设。其中一期投资约3亿元人民币，占地50亩，项目一期计划于三年内完成建设并投产。二期投资约3亿元人民币，占地约65亩。一期达产后形成年产15000吨超纯化学材料产品的生产能力，包括芯片铜互连超高纯电镀液系列产品4500吨、芯片高选择比超纯清洗液系列产品8500吨、芯片高分辨率光刻胶系列产品500吨、以及芯片级封装与集成电路传统封装引线脚表面处理功能性化学材料1500吨。上海新阳表示，随着半导体产业快速持续的发展，公司目前的产能已不足以满足未来客户需求，扩大产能成为迫切需要。项目投产将使公司超纯化学材料产品的产能获得极大提高。本项目建设符合公司长期发展的战略需求。版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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10月21日，SK海力士宣布开发第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。根据SK海力士资料，与第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不使用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产。该款1Z纳米DRAM还支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内的最高速度。且功耗也有显著提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。据悉，SK海力士第三代10纳米级DDR4 DRAM计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应。版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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近日，武汉市国土资源和规划局对华为技术有限公司武汉研发生产项目（二期）A地块-海思光工厂项目规划设计方案调整进行批前公示。公示资料显示，该项目原方案仅有1栋厂房，调整后的方案有7栋建筑物，分别为软件工厂、生产厂房1、动力站、仓库1、仓库2、仓库3、以及氢气供应站。图片来源：武汉市国土资源和规划局此外，二期项目建筑占地面积也进行了大幅增加，由5905.53㎡调整为42682.19㎡；建筑面积也随之增加，由11836.59㎡调整为179731.72㎡。项目总投资18亿元。根据华为在此前在其募集说明书透露的信息显示。截至2019年6月底，华为披露的在建工程达5项，包括贵安华为云数据中心项目、华为岗头人才公寓项目、苏州研发项目、华为松山湖终端项目二期和松山湖华为培训学院，拟建项目则有上海青浦研发、武汉海思工厂，总投资分别为109.85亿元和18亿元。 图片来源：华为2019年度第一期中期票据募集说明书版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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