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  • 新华网报道,4月8日,工信部电子信息司集成电路处处长任爱光介绍了中国集成电路产业发展的最新情况。2018年中国集成电路产业销售额6532亿元,2012年到2018年的复合增长率20.3%。其中,中国集成电路设计业销售收入2519.3亿元,所占比重从2012年的35%增加到38%;制造业销售收入1818.2亿元,所占比重从23%增加到28%;封测业销售收入2193.9亿元,所占比重从42%变为34%,中国集成电路产业结构趋于优化。与全球半导体市场比较,2018年全球半导体市场规模4779.4亿美元,2012年到2018年的复合增长率为7.3%,中国集成电路产业规模复合增长率是全球的近三倍。不过,在设计、制造与封测产业链上,我国集成电路仍有需要做强的地方。任爱光介绍,我国集成电路设计业产业规模不断壮大,先进设计水平达到7纳米,但仍以中低端产品为主;集成电路制造业,存储器工艺实现突破,14纳米逻辑工艺即将量产,但与国外仍有两代差距;集成电路封装测试业是与国际差距最小的环节,高端封装业务占比约为30%,但产业集中度需进一步提高。版权归原作者所有,如涉及版权等问题,请联系删除。
    发布时间 :  2019 - 04 - 10
  • 国家知识产权局办公室关于开展2019年全国专利调查工作的通知国知办函规字〔2019〕286号各有关省、自治区、直辖市知识产权局(知识产权管理部门):  根据工作计划,我局将继续开展全国专利调查工作,该工作为国家统计局批准执行的统计调查制度,批准文号:国统制﹝2018﹞36号。现将有关事项通知如下:一、调查对象  2019年全国专利调查对象涉及全国25个省(区、市)拥有有效专利的专利权人及相关专利信息。调查样本及问卷另行提供。二、调查安排(一)调查采取全国统一规划、地方分块实施的方式进行。我局统一制定调查问卷,并与地方知识产权局或其他相关地方项目承担单位签订专利调查项目合同,约定工作内容、进度、经费等事项。(二)本次调查采用网络填答方式,项目承担单位负责组织调查对象填答调查问卷,并开展督促及核查工作。我局将对调查问卷进行复核,对于有疑问或不合格的问卷退回重新核实调查。(三)调查完成后,我局将对调查情况进行总结,并应要求反馈调查数据。三、有关要求(一)此次调查受《中华人民共和国统计法》保护,任何单位或者个人均有责任和义务积极配合调查工作。(二)此次调查是掌握我国专利活动状况、深入实施知识产权战略、建设知识产权强国的一项重要基础性工作,务必高度重视,明确责任,精心组织,切实防止瞒报、漏报、虚报现象发生。(三)要明确分管局领导,指派专门处室具体负责调查工作,于2019年4月10日前将负责此...
    发布时间 :  2019 - 04 - 09
  • 4月8日,工业和信息化部电子信息司在广东省深圳市组织召开了2019年全国电子信息行业工作座谈会。会议以习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神为指导,全面落实党中央、国务院工作部署,按照全国工业和信息化工作会议要求,明确了当前电子信息产业的基本形势,总结了2018年工作,部署了2019年主要任务。工业和信息化部党组成员、副部长王志军出席会议并讲话,深圳市副市长王立新出席会议并致辞,工业和信息化部电子信息司司长乔跃山作工作报告。会议由工业和信息化部电子信息司副司长吴胜武主持。  王志军指出,在党中央、国务院的正确领导下,在全行业的共同努力下,我国电子信息产业继续保持平稳较快的发展态势,转型升级步伐加快,产业结构持续优化。  王志军要求,面对错综复杂的国内外发展环境,认真研判电子信息产业发展面临的新形势、新特点,深入分析我国电子信息产业发展面临的新机遇、新挑战,充分发挥市场在资源配置中的决定性作用,主动作为、因势利导,避免市场无序竞争,构筑电子信息产业发展新优势。全行业要按照高质量发展要求,以供给侧结构性改革为主线,强化创新驱动发展,全面深化开放合作,加快推动产业转型升级,培育引领经济社会发展的新动能,满足人民日益增长的美好生活需要。  王志军强调,今年电子信息产业要重点做好六方面工作:一是落实创新驱动战略,补齐核心技术短板。要支持创新中心建设,加强关键共性技术攻关。积极推进创...
    发布时间 :  2019 - 04 - 09
1958年,杰克•基尔比先生和罗伯特•诺伊斯先生,先后发明了基于不同材料的集成电路,随着CPU、存储器等的发明和创新应用,人类文明进入了信息化时代。为纪念集成电路发明60周年,由中国电子学会、国家自然科学基金委员会信息科学部、中国科学院信息技术科学部、中国工程院信息与电子工程学部共同主办、清华大学微电子学研究所、北京未来芯片技术高精尖创新中心协办的“纪念集成电路发明60周年学术会议”于10月11日在清华大学举办。会议现场清华大学副校长王希勤在致辞中指出,集成电路是国之重器,是信息社会各行各业的基石。清华大学深度参与创新驱动发展战略的实施,要在国家集成电路的发展中有所作为。王希勤介绍了清华大学近年来在人事改革、教学改革、科研改革、现代化治理体系改革等方面的举措,提出集成电路这一学科的发展对学校事业发展有着重要的作用,要举全校之力培养出一批集成电路领军人才,为中国集成电路的自主创新发展贡献力量。王希勤致辞工业和信息化部电子信息司吴胜武副司长,中国电子学会副理事长、中国科学院副院长李树深院士分别代表指导和主办单位致辞。吴胜武表示,中国集成电路产业机遇与挑战并存,要坚持创新驱动发展战略,持续加大研发投入,持续推进国际合作,建设国家级集成电路创新平台。李树深表示,60年来,集成电路支撑着庞大的军民和民用市场,我们要向60年前的两位发明人致敬,用更多的电子信息技术服务人类社会发展。吴胜武致辞李...
发布时间 :  2018 - 10 - 15
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金风送爽、春华秋实,值此收获时节,喜迎华虹无锡项目又一阶段性成果——华虹七厂F1生产厂房最后一榀钢屋架吊装顺利完成。自8月12日F1生产厂房首榀钢屋架吊装至今,争分夺秒的两个月里,工地现场不间断交叉作业,一派热火朝天的景象。今天,无锡市副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记王进健,华虹集团党委书记、董事长张素心,高新区党工委副书记、管委会副主任、新吴区委副书记、副区长洪延炜,以及总包联合体十一科技和上海建工集团、同济监理相关领导等共计200余人再次齐聚一堂,共同见证华虹七厂F1生产厂房钢屋架吊装顺利完成。华虹宏力党委书记、执行副总裁、华虹半导体(无锡)副总裁徐伟主持仪式。他首先向出席领导和嘉宾致意,接着介绍了近两个月以来的项目建设进展:“主厂房钢结构共计1.18万吨,主桁架99榀,托桁架64榀;挖土方近2万立方米,支模板11万立方米,绑扎钢筋近6000吨,浇筑砼近51万立方米。目前项目整体进展顺利,钢屋架吊装进度节点较原计划(10月25日)提前了13天,预计2018年底主体结构完成。”随后总包联合体十一科技院长何平和上海建工集团董事长徐征也分别发表致辞。华虹和无锡在共同推进信息产业高质量发展的新征程中再迈出了坚实的一步,王进健副市长表示:“将会以更加主动的态度、更为积极的措施为华虹项目建设、投产提供全面服务,全力支持华虹公司在锡投资经营、发展壮大。”项目建设高筑安全防线,把牢品质标...
发布时间 :  2018 - 10 - 15
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(香港讯,2018年10月10日)全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业--华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布,其第二代0.18微米/40VBCD工艺平台已经成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至 20 mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-Area, SOA),保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件,包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外,该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse,从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。目前,在与国内外多家客户紧密合作下,公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证,并成功进入量产。以绿色科技为主导,电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理(PMIC)BCD工艺方案,在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来,华虹半导体将继续发挥在BCD...
发布时间 :  2018 - 10 - 12
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美国物理学会Physical Review Letters(PRL)期刊2018年10月5日在线发表了北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心和“新型半导体低维量子结构与器件”创新群体的最新研究成果“Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN”。III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体具有一系列优异的物理、化学性质,是发展半导体照明、新一代移动通信、新一代通用电源、新能源汽车、固态紫外光源等不可替代的新型半导体材料。掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。但作为IV族元素,C杂质在GaN中具有两性特征,既可替代N原子,也可替代Ga原子,或者与其他杂质和缺陷形成复合体,使GaN中C的掺杂机理非常复杂,成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一,确定C杂质在GaN中的晶格位置对于解决上述问题至关重要。由沈波教授领导的北京大学宽禁带半导体研究团队与其合作者近期在这一问题上取得了重要进展。该团队与中科院苏州纳米所和中国科技大学等合作单位采用红外光谱和拉曼光谱技术,克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题,实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模,并结合...
发布时间 :  2018 - 10 - 12
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10月11日晚间,紫光国微披露,拟将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称西安紫光国芯)100%股权以约2.2亿元人民币转让给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。交易完成后,将不再持有西安紫光国芯股权。2015年,紫光国微收购西安紫光国芯,后者则承担着国家科技重大专项“核高基”和国家高技术发展计划“863”等多个存储器领域的重大专项研究项目和课题。若上述关联交易获股东大会批准,则意味着西安紫光国芯将不再囊括在紫光国微上市平台内。据紫光国微以及西安紫光国芯官网介绍,西安紫光国芯是专业的DRAM存储器芯片设计公司,主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售,并提供相关集成电路的设计、测试服务,目前的主要产品为DRAM存储器芯片和模组。也就是说,交易完成后,紫光存储将有NAND Flash和DRAM业务两大产品线。西安紫光国芯运营情况根据披露的财务数据,西安紫光国芯2017年度经审计营业收入约3.43亿元,净利润-1200.23万元,2018年1-7月营业收入约3.27亿元,净利润-585.23万元,截至2018年7月31日净资产2755.6万元。紫光存储截至2018年7月31日净资产8.2亿元,2018年1-7月实现营业收入36.43万元,净利润-2001.16万元。紫光国微称,对西安紫光国芯100%股权评估时,最终选择收益法的评估...
发布时间 :  2018 - 10 - 12
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