趋势1：摩尔定律将在未来8到10年内持续下去在接下来的8到10年中，CMOS晶体管的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV图案化（patterning）方面的进展以及通过引入能够实现逻辑标准单元缩放的新型设备架构来实现。在7nm技术节点中引入了极紫外（EUV）光刻技术，可在一个曝光步骤中对一些最关键的芯片结构进行图案化。除了5nm技术节点之外（例如，当关键的后端（BEOL）金属间距小于28-30nm时），多图案EUV光刻变得不可避免，从而大大增加了晶圆成本。 最终，我们预计高数值孔径（high-NA）EUV光刻技术将可用于构图该行业1nm节点的最关键层。该技术将把其中一些层的多图案化推回单一图案化，从而降低成本，提升良率并缩短周期。 例如，Imec通过研究随机缺陷率，为推进EUV光刻做出了贡献。孤立的缺陷，例如微桥，局部折线以及缺少或合并的触点。随机缺陷率的改善可以导致使用较低剂量，从而提高产量。我们试图了解，检测和减轻随机故障，并且最近可能会报告随机缺陷率提高了一个数量级。 为了加快高NA EUV的引入，我们正在安装Attolab –允许在使用高NA工具之前测试一些用于高NA EUV的关键材料（例如掩模吸收层和抗蚀剂）。该实验室中的光谱表征工具将使我们能够在亚秒级的时间范围内观察抗蚀剂的关键EUV光子反应，这对于理解和减轻随机缺陷的形成也很重...
发布时间 :
2020
-
07
-
28