近日，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。作为一种高性能光电材料，薄膜铌酸锂具备超快电光效应、宽带宽、低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而，由于薄膜铌酸锂材料脆性大，大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战。为了攻克薄膜铌酸锂晶圆的制备工艺难题，上海交大无锡光子芯片研究院为无锡光量子芯片中试平台引进了110台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。依托尖端设备以及领先的纳米级加工能力，研究院在6寸薄膜铌酸锂晶圆上实现了110 nm高精度波导刻蚀，在兼顾高集成度的同时，调制带宽突破110 GHz、插入损耗低至3.5 dB以下，信号强度和抗干扰能力等性能指标达国际一流水平。“一片直径6寸的晶圆可以切割出350颗芯片，这些芯片如同‘心脏’，驱动着高性能薄膜铌酸锂调制器高效运行。”中试平台负责人介绍，达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。未来平台将与更多产业链上下游企业合作，加速科技成果转化落地，推动我国光子芯片核心器件从技术研发向产业化应用的实质性跨越。 来源：无锡滨湖发布
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1—4月，我国电子信息制造业生产稳步增长，出口小幅波动，效益逐步回升，投资平稳增长，行业整体发展态势良好。一、生产稳步增长1—4月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长11.3%，增速分别比同期工业、高技术制造业高4.9个和1.5个百分点。4月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.8%。1—4月，主要产品中，微型计算机设备产量1.05亿台，同比增长4.7%；手机产量4.54亿台，同比下降6.8%；集成电路产量1509亿块，同比增长5.4%。二、出口小幅波动1—4月，规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比增长4.5%，较一季度回落2.6个百分点。4月份，规模以上电子信息制造业实现出口交货值同比下降2.7%。据海关统计，1—4月，我国出口笔记本电脑4384万台，同比下降0.4%；出口手机2.24亿台，同比下降7.1%；出口集成电路1063亿个，同比增长20%。三、效益逐步回升1—4月，规模以上电子信息制造业实现营业收入5.12万亿元，同比增长10.1%；营业成本4.5万亿元，同比增长10.3%；实现利润总额1597亿元，同比增长11.6%；营业收入利润率为3.1%，较一季度提高0.4个百分点。4月份，规模以上电子信息制造业营业收入1.34万亿元，同比增长8.4%。四、投资平稳增长1—4月，电子信息制造业固定资产投资同比增长9%，较一季度回落1.5个百分点，比同期工业投资增...
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近日，中微公司在接受机构调研时透露，公司多款先进逻辑设备已通过客户验证，并在国内客户量产的先进逻辑产线刻蚀环节取得一定市场份额。中微公司2024年研发投入达24.52亿元，同比增长94.31%，占收入比例超27%。公司目前正推进六大类超过20种新设备开发，通过模块化设计和人工智能应用，大幅缩短研发进程至2年或更短，约60%-70%的部件可实现复用，显著提高了研发转换率。在业务进展方面，中微公司的高深宽比设备，包括等离子体刻蚀和金属薄膜沉积设备已批量出货给国内先进存储客户产线。公司金属钨系列薄膜产品已在客户端取得批量订单，并随着客户扩产持续放量。同时，等离子体刻蚀、薄膜以及EPI等新产品均在客户的先进逻辑产线全面验证，多款设备已通过验证。中微公司表示，公司与客户保持紧密关系，从技术线路选择、产品研发到验证流程等环节与客户紧密绑定，推动设备产品更快导入及验证。随着各类新产品的推出，公司在国内先进逻辑产线的份额有望继续提升，充分受益于国内先进逻辑产线的扩产。在人才建设方面，中微公司人员扩张保持稳定增速，研发人员占比约48%，人才梯队持续完善。供应链方面，公司与全球880家供应商合作，关键零部件国产化进展良好，确保供应链安全可控。此外，中微公司还在先进封装领域布局刻蚀、CVD、PVD及晶圆量检测设备，已发布相关新品。公司MOCVD业务占比已降至低个位数，但新开发设备覆盖Micro-LED等...
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在先进制程的赛道上，3nm制程的热度还未完全消退，2nm制程的角逐已正式开启，在苹果、高通、联发科这三大巨头里，联发科的动作相对更快。据媒体报道，联发科首席执行官蔡力行在COMPUTEX上发表主题演讲，蔡力行表示，过去10年，全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片，地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片。他还宣布，联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段，相较3nm制程，2nm性能将提升15%，功耗下降25%。根据爆料的消息，联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程，明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺，这将是联发科第一款2nm芯片。据悉，台积电2nm制程采用全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）架构，相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。伴随着2nm时代的到来，其成本也会跟着水涨船高，消息称台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%，这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。 来源：电子创新网
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全球领先的晶圆代工厂台积电近日宣布，将对其先进制程晶圆价格进行调整。据知情人士透露，这一价格调整主要受到海外建厂成本上升及资本支出计划的影响。具体来看，台积电的2nm工艺晶圆价格将较此前上涨10%，若以去年300mm晶圆预估的3万美元计算，新定价将达到3.3万美元左右。此外，台积电还将对其4纳米制造节点的价格进行调整，涨幅预计在10%至30%之间。此次价格调整是台积电在全球半导体供应链中的重要举措，反映了公司在应对全球芯片需求增长和成本上升方面的策略调整。台积电此举旨在保持其在半导体制造领域的竞争力，同时确保公司能够持续投资于研发和扩大生产能力。台积电此次涨价的原因主要有两个方面。首先，公司在美国等海外地区建设晶圆厂的成本上升，这直接导致了生产成本的增加。其次，台积电需要回收其今年高达380亿至420亿美元的资本支出计划，这也是涨价的一个重要考量。台积电的价格调整可能会对整个半导体行业产生连锁反应。一方面，这可能会增加下游客户的成本，尤其是那些依赖台积电先进制程的客户。另一方面，价格上涨可能会影响台积电的市场份额，尤其是在竞争激烈的晶圆代工市场。然而，考虑到台积电在技术上的领先地位，其价格调整可能不会对其市场地位造成太大影响。面对成本上升和市场需求的双重压力，台积电正在积极采取措施以维持其业务的稳定增长。公司将继续加大研发投入，以保持技术领先，并扩大其在全球的生产网络，以满足不断增...
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台积电副总经理张宗生15日在技术论坛上表示，随着全球AI应用与高效能运算（HPC）需求快速扩张，台积电持续加快制程升级与全球建厂脚步，今年预计新增9座厂区，包括8座晶圆厂与1座先进封装厂，3nm今年产能将大幅提升，成长有望超过6成。台积电3nm量产已经迈入第三年，张宗生指出，今年3nm产能预计年增加60%，2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充，海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到，AI驱动晶圆需求持续放大，台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建9个厂，包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖5个厂，中国台湾方面台中Fab 25厂预计2028年量产2nm与更先进技术，高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技术。封装领域方面，张宗生表示，台积电3D Fabric平台整合SYC与COAS技术，在复杂性大幅提升的同时仍维持高良率表现。自2022年至2026年，SYC与COAS产能分别成长逾100%与80%。位于台中、嘉义、竹南与龙潭的新封装厂将支援大量AI与HPC应用需求，并规划设立海外封装基地。 来源：艾邦半导体网
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