受先进人工智能（AI）芯片需求强劲推动，芯片制造设备供应商泛林集团（Lam Research）公布的第三财季营收超出华尔街预期。泛林集团开发半导体制造必不可少的设备，产品主要用于各种晶圆加工和半导体器件的布线。根据伦敦证券交易所汇编的数据，泛林集团截至3月30日的季度营收为47.2亿美元，超过分析师预期的46.5亿美元。该公司第三财季系统收入30.4亿美元，包括沉积、刻蚀、清洗和其他晶圆制造市场的新型尖端设备的销售额。Summit Insights Group高级分析师Kinngai Chan表示，第三财季的“优异表现得益于对中国台湾地区的出货量增加，而对中国大陆的出货量依然强劲。”该财季，泛林集团31%的收入来自中国大陆，24%的收入来自中国台湾。尽管美国出口管制和关税问题持续存在，给半导体行业带来挑战，但该公司仍然取得了强劲的业绩。公司预计第四财季营收为50亿美元，上下浮动3亿美元，而分析师的预期为45.9亿美元。今年2月，泛林集团首席财务官Douglas Bettinger表示，预计到2028年营收将在250亿~280亿美元之间，较2024年的162亿美元大幅增长。 来源：芯探007
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台积电在其2025年北美技术研讨会上透露，计划于2028年开始使用其A14制程技术生产芯片，该技术将超越其现有的最先进的3nm制程和今年晚些时候即将推出的2nm技术。台积电还计划在2026年底推出A16芯片制程。在会上，台积电还表示，公司已按计划在2024年第四季度开始使用其性能增强的N3P（第三代3nm级）制程技术生产芯片。N3P是继N3E之后，针对需要增强性能的同时保留3nm级IP的客户和数据中心应用。然而，3nm级制程技术在高性能应用领域的时代并未止步于N3P。该节点之后台积电将推出N3X，承诺与N3P相比，在相同功率下将最大性能提高5%，或在相同频率下将功耗降低7%。台积电一直保持着稳定的升级步伐，成功吸引了苹果和英伟达的芯片制造业务。该公司今年计划投入约400亿美元的资本支出，其高层管理人员表示，其长期计划仍旨在捕捉强劲的AI驱动需求。台积电高级副总裁张晓强表示，台积电仍然相信半导体整体需求将继续上升，到本十年末，行业总收入将“轻松”超过1万亿美元。尽管这是芯片行业普遍接受的销售目标，但近期投资者对AI泡沫的担忧随着美国宣布广泛的关税而加剧。 来源：集微网
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4月22日消息，据Tom's hardware报道，针对此前台积电因在不知情的情况下为被美国列入黑名单的中企生产AI计算小芯片，或将面临 10 亿美元的罚款一事，台积电在其最新的年度报告中承认，在其代工的芯片离开晶圆厂后，难以确保客户不会将芯片转移，以及了解芯片最终用途。换句话说，台积电不能保证类似的事件不会重演。台积电表示，2024年10月，台积电通知美国和中国台湾有关当局，其所生产的一种客户芯片可能已被转移到受限制实体或用于受限制实体的产品，此后，台积电即持续配合有关当局要求提供更多相关资讯及文件。即使台积电尽最大努力遵守所有相关的出口管制和制裁法规，仍不能保证其商务活动不会被发现有未遵守出口管制法规之情形。台积电解释称，其在半导体供应链中的角色先天限制了其对包含其所制造半导体芯片的最终产品之下游使用或使用者的能见度和信息，从而阻碍了台积电充分确保其所制造的半导体芯片不会被转移（包括经由台积电的业务合作伙伴与具有规避意图的第三方）到非预期的最终用途或最终使用者的能力。此外，如果台积电或台积电的业务合作伙伴未能获得适当的进口、出口或再出口许可，或被发现违反了可适用的出口管制或制裁相关法律，台积电也可能会受到声誉损害以及其他负面后果的不利影响，包括政府调查和相关法律程序导致的处罚。据了解，当台积电与客户签订生产芯片的合同时，会向其提供一个 GDS 文件，其中包含制造该芯片所...
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英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。 集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联，或者通过控制器缩短死区时间。然而，无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动宽禁带半导体材料的发展。...
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4月17日，国际半导体行业标准组织JEDEC正式发布了新一代高带宽内存标准HBM4。新标准在带宽、通道数、电源效率等方面进行了显著改进，将为生成式AI、高性能计算（HPC）、高端显卡和服务器等领域带来革命性的变化。HBM4 继续使用垂直堆叠的DRAM芯片，这是HBM系列的标志，但与前身HBM3相比，HBM4带来了许多改进，比如在带宽、效率和设计灵活性方面有了重大进步。它支持 2048-bit接口，传输速度高达 8 Gb/s，可以提供高达 2 TB/s 的总带宽。其中一项关键升级是每个堆栈的独立通道增加了一倍，从HBM3的16个增加到HBM4的32个，现在每个通道都有两个伪通道。这种扩展允许在内存操作中实现更大的访问灵活性和并行性。在电源效率方面，HBM4也取得了显著进展。该标准支持供应商特定的VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V或0.9V）和VDDC（1.0V或1.05V）电平，从而有效降低了功耗并提高了能源效率。此外，HBM4接口定义确保了与现有HBM3控制器的向后兼容性，允许在各种应用中实现无缝集成，并支持单个控制器在需要时同时与HBM3和HBM4一起工作。HBM4还结合了定向刷新管理（DRFM）技术，以改进行对row-hammer攻击的缓解效果，并拥有更高的可靠性、可用性和可维护性（RAS）。这一特性对于确保数据的安全性和系统的稳定性至关重要。在容量方面，HBM4还支持4...
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近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens），推出Automotive Sensor（AT）Series系列3MP高性能车规级图像传感器——SC360AT。此款新品是思特威首颗采用CarSens®-XR Gen 2工艺技术打造的Stacked BSI + Rolling Shutter架构图像传感器产品。作为3.0µm像素尺寸图像传感器，SC360AT搭载了SuperPixGain HDR™ 2.0、LFS等多项先进技术，集高感度、高动态范围（高达140dB）、低噪声、低功耗等性能优势并支持LED闪烁抑制，为侧视、后视、环视等多种ADAS应用提供精准可靠的实时影像，满足智能汽车感知系统的升级需求。此外，SC360AT符合ISO 26262 ASIL-B汽车功能安全和ISO 21434汽车网络安全两项车规标准要求，以高可靠性和高安全性，助力汽车智能化与网联化的加速革新。 来源：中电网
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