韩国财政部近日宣布，该国将于明年提供总额高达14万亿韩元（约合100亿美元）的低息贷款，旨在帮助半导体行业克服当前的挑战。据韩国财政部及相关媒体报道，为了应对来自美国新政府的政策不确定性以及中国半导体行业的快速发展，韩国计划于明年推出一项规模庞大的低息贷款计划，以支持其半导体产业。据路透社报道，这笔贷款将由韩国的国营银行负责发放。其中，1.8万亿韩元（约合12.6亿美元）将专门用于安装电力传输线路，以支持新建芯片聚落的企业运营。这一举措将有助于提高韩国的芯片制造能力，并吸引更多的芯片设备和无晶圆厂公司入驻。目前，韩国三星电子和SK海力士这两大半导体巨头正在首尔以南的龙仁市和平泽市建设巨型芯片聚落。这一项目将吸引全球范围内的芯片设备和无晶圆厂公司前来投资。韩国半导体产业也面临着来自中国和美国的双重压力。一方面，中国半导体行业近年来发展迅速，已经成为韩国企业在该领域的重要竞争对手。三星上个月就曾表示，中国竞争对手传统芯片供应量的增加对其第三季度的盈利结果产生了影响。另一方面，美国当选总统特朗普的政策方向也给韩国半导体产业带来了不确定性。特朗普在周一（25日）表示，他将在上任首日对墨西哥和加拿大的所有产品征收25%的关税，并对中国商品额外征收10%的关税。这一举措可能会引发全球贸易紧张局势的进一步升级，并对韩国半导体产业造成冲击。此外，韩国还担心特朗普政府可能会对其半导体产业采取更为严厉...
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在智能手机市场竞争日益激烈的背景下，安卓智能手机制造商普遍依赖高通和联发科等芯片供应商提供的“现成”芯片。据报道，2024年和2025年的大多数高端安卓智能手机都包含骁龙8 Elite和天玑9400等高端芯片。小米作为安卓智能手机市场的重要参与者，也在很大程度上依赖这两家公司。然而，随着市场竞争的加剧和成本的上升，小米开始意识到，在未来维持对这些合作伙伴的依赖可能会让成本变得更加昂贵，而提高盈利能力的关键之一是启动其定制芯片业务。根据最新报道，小米将于2025年正式推出自研的3nm SoC（系统级芯片）芯片。据悉，小米已经完成了其首款3nm芯片的流片，并计划在2025年实现量产。前尚无法确定这款处理器将应用于哪一款机型。小米自研3nm SoC芯片的推出，不仅有助于提高其自给自足能力，还可能在由高通客户主导的安卓市场中脱颖而出。这款芯片预计将为小米带来更高的性能和更低的功耗，从而提升其智能手机的市场竞争力。报道指出，小米在选择芯片代工合作伙伴方面，将主要依赖台积电。鉴于三星在提高其3nm GAA技术产量方面面临的问题，小米作为中国大陆公司，与台积电的合作成为其量产3nm芯片的关键。然而，这一合作也可能受到特朗普政府相关政策的限制，中国大陆实体可能需要获得许可证才能从台积电接收芯片出货。台积电在芯片代工行业占据主导地位，其5nm和3nm的产能利用率达到100%，这得益于英伟达的AI热潮...
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美国拜登政府明年1月卸职前，持续强化限制中国科技发展措施。美国全国商会（US Chamber of Commerce）透露，最快在28日感恩节前夕，公布限制中国科技发展的新出口管制措施，预计将有约200家中国芯片公司纳入贸易限制名单，无法获取美国公司的产品。紧接着，另一套限制高频宽存储（HBM）出口到中国的规定，也预计在12月间对外公布。该规定是更广泛限制中国人工智慧（AI）产业发展的一环。路透23日报导，该极具影响力的商会22日寄给会员的电子邮件揭露了上述内容。大多数美国供应商将禁止出货给在贸易限制名单的中国企业。报导引述知情人士指出，美方新措施可能包括限制晶片制造设备，出口到中国。报导指出，若上述消息属实，显示拜登即将卸任、特朗普明年1月20日开启第二任期之前，美国政府仍推动打击中国科技发展的计划。实际上，美国近期持续更新对中国的限制措施。10月24日，美国工业安全局公布一系列规则，扩大和强化对先进半导体与制造设备，以及超级电脑等项目的出口管制，避免中国获取这些对提升军事能力至关重要的产品。数日后，美国财政部公布最终规则，限制美国资金投资中国半导体、部分AI和量子科技等领域，并在明年1月生效。另外，11月上旬还传出美国商务部要求台积电与韩国三星电子自本月11日起，停止向中国客户供应7纳米或更先进技术的AI芯片。 来源：芯闻社
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自SK海力士官网获悉，11月21日，SK海力士官方宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）14D NAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。据悉，SK海力士在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug2”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形3材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。此次321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。SK海力士NAND闪存开发相关负责人表示，率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储（Storage，存储装置）市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，将跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。来源：未来半导体
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11月14日消息，国产碳化硅衬底大厂天岳先进通过微信公众号宣布，其于11月13日在2024德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）上，发布了业界首款300mm（12英寸）碳化硅衬底产品，宣告正式迈入超大尺寸碳化硅衬底的新时代。这一创新产品的亮相，不仅刷新了行业标准，更在发布会当天吸引了众多行业客户的热烈讨论和广泛关注。随着新能源汽车、光伏储能等清洁能源、5G通讯及高压智能电网等产业的快速发展，满足高功率、高电压、高频率等工作条件的碳化硅基器件的需求也突破式增长。300mm碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。天岳先进表示，通过增加300mm碳化硅衬底产品，打造了更多的差异化的产品系列，并在产品品质、性能等方面满足客户多样化的需求。这一产品问世响应了市场对高性能碳化硅材料的迫切需求，也体现了公司对技术创新和产品升级的持续投入，同时是对未来市场趋势的前瞻性布局。天岳先进将始终坚持创新，追求突破，致力于为客户提供高品质的产品和服务，成为全球客户信赖的合作伙伴。来源：芯智讯
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欧洲计算机芯片制造商意法半导体（ST）CEO宣布与中国晶圆代工厂华虹半导体合作的新计划，称在中国拥有本地制造工厂对其竞争地位至关重要。意法半导体CEO Jean-Marc Chery发表上述言论之际，欧洲、美国和中国都要求在当地进行更多芯片制造，许多芯片公司都在新加坡和马来西亚扩张，以服务亚洲市场。但意法半导体是电动汽车用节能碳化硅（SiC）芯片的最大制造商，客户包括特斯拉和吉利。Jean-Marc Chery表示，中国市场本身是不可或缺的，因为中国市场是电动汽车规模最大、最具创新性的市场，不可能从外部进行充分竞争。“如果我们把在中国的市场份额让给另一家在工业或汽车领域工作的公司，中国公司将主导他们的市场，”他说“而且他们的国内市场如此庞大，这将是他们在其他国家竞争的绝佳平台。”Jean-Marc Chery补充说，意法半导体正在采用在中国市场学到的最佳实践和技术，以用于西方市场。Jean-Marc Chery发表上述言论之前，该公司在投资者日上更新了其长期财务预测，该公司受到工业芯片市场低迷的严重打击。意法半导体于2023年与三安在重庆成立了一家SiC合资企业，三安提供晶圆。周三，意法半导体表示，它正在与中国第二大定制芯片制造商华虹合作，到2025年底在无锡生产40nm节点的微控制器（MCU）芯片。意法半导体制造主管Fabio Gualandris表示，在中国生产的其他原因包括本...
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