存储谷底逢春，迎来曙光。传两大美商美光、西部数据旗下品牌SanDisk（闪迪）双双发出涨价通知，拟自4月1日起调整产品价格，涨幅估超过10％。闪迪日前向客户及渠道商发出通知，预计将在4月1日起调涨价格10％，通知信中指出，由于存储产业的供需持续变动，预计产业将很快转变为供不应求的状态，加上最近的关税措施将影响供应并增加运营成本，因此将在4月1日起开始涨价，涨幅预计超过10％，此涨势适用于所有渠道商和消费者客户的产品。群联CEO 潘健成在3月7日法说会中表示，备货需求提升和主要大厂减产效应显现，“NAND Flash涨价已是进行式”，估计第三季价格仍续看涨。 来源：中电网
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国际电子商情6日讯 存储巨头美光科技（Micron）3月5日在官网新闻稿宣布，公司董事会将迎来两位重磅成员，台积电前董事长刘德音（Mark Liu）与德勤（Deloitte Touche Tohmatsu）资深稽核和签证合伙人Christie Simons正式加盟。公开资料显示，刘德音在半导体行业拥有逾30年资历，在台积电工作超过20年，担任过多个关键领导职务，包括高级副总裁、联席首席运营官、总裁兼联席首席执行官以及执行董事长。在他的领导下，台积电从28nm跨越至3nm工艺，迅速成长为全球最大的半导体代工厂，技术实力和市场影响力均处于行业领先地位。 2018年6月张忠谋退休后，刘德音接任董事长。2024年6月正式卸任董事长职务并退休。这是刘德音去年年中退休后，首度出任国际半导体大厂董事职。另一位新成员——Christie Simons，是德勤会计师事务所的高级审计与鉴证合伙人。她将于今年5月退休，拥有近30年为全球科技客户服务的经验。她在德勤担任过多个重要领导职务，带领团队解决客户最具挑战性的问题，包括全球股权和债务发行以及企业范围内的数字化转型。 据悉，此次加入美光科技董事会，她将为公司提供技术和金融方面的专业见解，优化公司战略决策框架，应对全球供应链及市场波动挑战，助力公司在AI时代的财...
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据镓仁半导体官微消息，3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。据悉，镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果，标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业记录。中国氧化镓率先进入8英寸时代，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机，有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。 来源：集成电路材料创新联合体
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台积电于2025年3月3日宣布，将在美国追加投资1000亿美元，用于新建5座半导体工厂（包括3座晶圆厂、2座先进封装厂）及研发中心。结合此前已投入的650亿美元（含亚利桑那州凤凰城工厂），其在美总投资将达1650亿美元。该计划符合《芯片与科学法案》要求，可享受25%的税收抵免。台积电在生产用于人工智能的先进半导体方面处于世界领先地位，是英伟达和苹果的主要芯片制造合作伙伴。在宣布这一消息后，英伟达表示，它将依靠台积电的新工厂，在美国建立一个有弹性的技术供应链。据报道，台积电提及了自身制造业务的现状，并告诉客户，订单激增导致台积电芯片工厂一直以“超过100%”的负荷运转着。为了满足需求，台积电表示将在全球范围内新建多个半导体工厂，并打算雇佣数千名工人来支持该计划。特朗普表示：“没有半导体，就没有经济发展，它们为从人工智能到汽车再到先进制造业的一切提供动力。”特朗普此前承诺要让美国在人工智能领域占据主导地位。他补充说道，此举意味着“世界上最强大的人工智能芯片将在美国制造。” 特朗普政府明确表示，此举旨在强化美国本土芯片制造能力，避免依赖海外供应链。若台积电在台湾生产后出口至美国，可能面临25%-50%的关税，而本土生产可规避这一成本。此前拜登政府已为凤凰城工厂提供66亿美元补贴，进一步推动其在地化进程。台积电董事长兼总裁魏哲家表示：AI正在重塑我们的日常...
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三星电子正在推动关键半导体材料的本土化，此举引起广泛关注，因为该公司试图减少对日本进口的严重依赖。在美国、日本、中国大陆和中国台湾的全球半导体主导地位竞争日益激烈的背景下，这一战略转变被视为应对韩日关系潜在紧张的主动措施。据业内人士透露，三星电子半导体部门正在加快努力用韩国国产替代品取代“ArF（氟化氩）空白掩模”。这些掩模在半导体光刻工艺中至关重要，占整个阶段的40%以上。目前，三星对这些掩模的采购严重依赖日本的Hoya。然而，三星现在正与韩国生产商S&S Tech密切合作，以实现本土化。一位业内人士透露，“三星一直在接收少量国产ArF空白掩膜，但最近已开始评估在特定工艺中全面采用。”除了ArF空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。对于目前由日本三井化学主导的EUV薄膜，三星正在与韩国FST合作实现本地化。此外，对于高带宽存储器（HBM）的关键材料非导电膜（NCF），三星正在与LG Chem合作。目前，NCF材料100%由日本Resonac供应给三星。三星材料供应链的多样化主要是为了应对人工智能（AI）革命引发的半导体需求激增。这种需求需要多样化目前由一两家公司垄断的工艺材料。该战略还考虑到与美国和日本以及中国大陆和中国台湾之间日益激烈的半导体主导地位竞争。日本则在培育Rapidus等新芯片制造公司，以增强国内半导体产业。如果日本再次对半导体材料实施类...
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2月25日，美光科技公司（Micron Technology）宣布推出采用极紫外光刻技术（EUV）的1γ（1-gamma）工艺制造的16Gb DDR5内存芯片。这一新型内存器件不仅在性能上超越了前代产品，还在功耗和制造成本方面取得了显著优化。美光计划将1γ工艺逐步推广至其他DRAM产品线，包括GDDR7、LPDDR5X以及数据中心级存储产品，使其成为未来存储产品的核心工艺。美光的1γ工艺DDR5内存芯片数据传输速率达到9200 MT/s，远高于当前DDR5标准规格的最高速率。与前代采用1β工艺的16Gb DDR5芯片相比，1γ工艺芯片的功耗降低了20%，比特密度提高了30%。美光表示，随着新芯片产量的提升，其生产成本有望进一步降低，从而在市场中更具竞争力。此外，美光强调，该芯片能够在JEDEC标准速度等级下稳定运行，同时更高的速度等级将为未来的验证和与下一代CPU的兼容性提供支持。美光还计划推出基于CXL（Compute Express Link）的内存模块，其速度有望突破JEDEC标准，达到10000 MT/s以上，为高性能计算和数据中心应用提供更强大的支持。美光的1γ工艺是其首次引入EUV光刻技术的制造节点。EUV技术的引入使得美光能够在关键层上实现更精细的图案化，从而减少多模式DUV（深紫外光刻）技术的使用，显著缩短生产周期并提升产量。美光并未透露1γ工艺中EUV层的具体数量...
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