11月13日，聚力成半导体（重庆）有限公司奠基仪式在大足高新区举行，该项目以研发、生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片、芯片为主。这项拟投资50亿元的高科技芯片项目，有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈，形成自主制造能力。聚力成半导体项目占地500亩，拟投资50亿元，将在大足打造集氮化镓外延片制造、晶圆制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。项目建成达产后可实现年产值100亿元以上，解决就业岗位2500个。此外，该企业还在大足建设中国区总部、科研及高管配套项目等。据业内人士介绍，第一代半导体材料以硅和锗为代表，第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在诸多领域有广阔的应用前景。目前，全球拥有氮化镓全产业链的仅有德国、日本、美国等国少数几家企业。我国在第三代半导体器件的研发方面起步并不算晚，但因为在关键材料和关键制作技术方面没有取得较好的突破，国内一直没有形成自己的制造能力。聚力成公司在大足建设的基地，是其在中国大陆的第一个生产、研发基地，将有望打破上述局面。该项目建成后，可为高铁、新能源汽车、5G通讯、雷达、机器...
发布时间 :
2018
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