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  • 据报道,三星计划斥资1,160亿美元用于其下一代芯片业务,其中包括为外部客户制造芯片代工业务,以期在2022年之前缩小与行业领导者台积电的差距。三星的策略是双重的:1.2022年下半年将量产3nm芯片,以与台积电匹配。2.如图1所示,采用更先进的全能栅极(GAA)技术代替TSMC的FinFET结构。图1资料来源:三星GAA在晶体管性能控制方面具有显着优势,因为它可以更精确地控制流经沟道的电流,缩小芯片面积并降低功耗。与FinFETs不同,在FinFETs中,更高的电流需要多个并排的鳍片,而GAA晶体管的载流能力通过垂直堆叠数个纳米片,栅极材料包裹在沟道周围而增加。三星声称,与7nm技术相比,其GAA工艺将能够使芯片面积减少45%,功耗降低50%,从而使整体性能提高35%。在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节。三星表示,传统的GAAFET工艺使用三层纳米线构造晶体管,并且栅极相对较薄。此外,三星MBCFET芯片工艺使用纳米片构造晶体管。目前,三星已经为MBCFET注册了商标。三星表示,这两种方法都可以达到3nm。在本文中,我从技术,产能和资本支出重点探讨了三星公司目前和未来的能力(三星存储部门除外),以及三星是否确实能够缩小7纳米以下节点的差距。总产能三星是否有能力在台积电主导的市场中占据重要份额?这是一个很...
    发布时间 :  2021 - 03 - 22
  • 《最高人民法院关于审理侵害知识产权民事案件适用惩罚性赔偿的解释》已于3月3日发布,为准确理解和适用《解释》,保证正确实施惩罚性赔偿制度,现发布“侵害知识产权民事案件适用惩罚性赔偿典型案例”。侵害知识产权民事案件适用惩罚性赔偿典型案例目录 一、广州天赐公司等与安徽纽曼公司等侵害技术秘密纠纷案[(2019)最高法知民终562号,最高人民法院]二、鄂尔多斯公司与米琪公司侵害商标权纠纷案[(2015)京知民初字第1677号,北京知识产权法院]三、小米科技公司等与中山奔腾公司等侵害商标权及不正当竞争纠纷案[(2019)苏民终1316号,江苏省高级人民法院]四、五粮液公司与徐中华等侵害商标权纠纷案[(2019)浙8601民初1364号,杭州铁路运输法院;(2020)浙01民终5872号,浙江省杭州市中级人民法院]五、阿迪达斯公司与阮国强等侵害商标权纠纷案[(2020)浙03民终161号,浙江省温州市中级人民法院]六、欧普公司与华升公司侵害商标权纠纷案[(2019)粤民再147号,广东省高级人民法院]一、广州天赐公司等与安徽纽曼公司等侵害技术秘密纠纷案【基本案情】广州天赐公司、九江天赐公司主张华某、刘某、安徽纽曼公司、吴某某、胡某某、朱某某、彭某侵害其“卡波”制造工艺技术秘密,向广州知识产权法院提起诉讼,请求判令停止侵权、赔偿损失、赔礼道歉。广州知识产权法院认定被诉侵权行为构成对涉案技...
    发布时间 :  2021 - 03 - 16
  • 来源;ittbank
    发布时间 :  2021 - 03 - 16
美国芯片制造商Wolfspeed公司于2024年10月23日宣布,由于电动汽车(EV)的采用速度较慢,公司已暂停在德国恩斯多夫(Ensdorf)建造一座半导体工厂的计划。该工厂原计划投资30亿美元,用于生产用于电动汽车的电脑芯片,此举突显了欧盟在提高半导体产量和减少对亚洲芯片依赖方面的挑战。Wolfspeed公司表示,该工厂计划生产的碳化硅芯片需求主要由全球电动汽车的采用推动,同时也用于工业和能源应用。该公司于2023年2月宣布了在德国建立工厂和研发中心的计划,这一决定对德国努力将自己定位为有吸引力的商业地点的努力构成了又一次挫折。据路透社周二报道,德国汽车供应商ZF公司有意退出与Wolfspeed在德国西部计划中的30亿美元微芯片制造项目。《金融时报》首次报道了这一新闻。此外,Wolfspeed公司的这一决定也影响了德国在半导体领域的竞争力。随着全球芯片供应链的紧张,各国都在寻求提高本国的芯片制造能力,以减少对外部供应商的依赖。Wolfspeed的这一决定可能会对德国在这一领域的努力产生负面影响。尽管如此,Wolfspeed公司并未完全放弃在德国的投资计划。公司可能会根据市场情况和电动汽车采用率的变化,重新评估其在德国的扩张策略。对于Wolfspeed以及整个半导体行业来说,这是一个不断变化和适应的时期。来源:全球产业研究
发布时间 :  2024 - 10 - 25
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2024年10月23日,全球半导体行业迎来了一次震撼性的消息——Arm公司决定取消对其长期合作伙伴高通的芯片设计许可。这一决策不仅引起了业界的广泛关注,更可能对全球智能手机和PC市场产生深远影响。据相关报道,Arm公司已经提前60天通知高通,将取消其基于Arm知识产权设计芯片的架构许可协议。这一协议原本允许高通基于Arm的标准设计自己的芯片,广泛应用于多数Android智能手机和其他智能设备中。高通每年销售数亿颗处理器,其技术占据了智能手机市场的显著份额。因此,此次许可的取消无疑将对高通的未来产品开发造成重大影响。对于高通而言,失去Arm的芯片设计许可将意味着其需要迅速找到替代方案,以确保其产品在全球市场上的竞争力。市场分析师指出,这一变动可能导致高通在芯片研发速度和创新能力上受阻,从而在与苹果、谷歌等竞争对手的竞争中处于不利局面。高通发言人对此表示,这是Arm的一贯做法,旨在强行压迫长期合作伙伴,干扰其性能领先的CPU产品,并试图提高许可费率。高通有信心,双方协议中涵盖的权利将得到法院的确认,Arm的反竞争行为将不会被容忍。而对于Arm而言,这一决策背后或许有着更深层次的考量。业内人士分析,Arm可能因与高通的合作中遇到的商务问题而做出这一决定。此外,Arm作为行业内的重要技术提供者,其此次举动也可能是在重新审视与合作伙伴的关系,以确保自己的市场地位。从消费者的角度来看,这一变动...
发布时间 :  2024 - 10 - 24
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近日,美国拜登政府正式确定了对半导体制造项目提供25%税收抵免的新规定,此举标志着2022年《芯片与科学法案》中的激励计划适用范围得到了显著扩大。新规不仅涵盖了生产最终制成半导体的晶圆企业,还包括了芯片和芯片制造设备的制造商,为更多企业带来了税收上的实惠。这一新规是在最初拟议版规则提出一年多以后推出的,意味着能够获得税收优惠的公司范围将更广。拜登政府此举旨在进一步激发半导体产业的创新活力和生产动力,以加强美国的经济、国家安全和供应链。自《芯片法案》出台以来,世界各地的企业反应热烈,在美国宣布了数十个新的半导体生态系统项目,私人投资总额远超2000亿美元。这些项目将在半导体生态系统中创造数以万计的直接就业机会,并将支持整个美国经济中数十万个额外就业机会。此次税收优惠的扩大,无疑将为这些项目的推进和实施提供更加有力的支持。值得注意的是,此次税收抵免的适用范围还扩展到了太阳能晶圆。这一意外调整可能有助于刺激美国国内太阳能组件的生产,从而在一定程度上缓解美国在这一领域的制造困境。尽管近年来对美国面板制造工厂的投资激增,但美国在零部件制造方面仍面临挑战。新规的实施,有望为美国太阳能产业的发展注入新的动力。然而,此次税收优惠并未扩大到整个半导体供应链。制造晶圆所需的多晶硅等基础材料的生产厂家依然被排除在外。尽管如此,这一新规仍然是对半导体产业的重要支持,有望进一步提升美国在全球半导体领域的竞争...
发布时间 :  2024 - 10 - 24
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知情人士透露,英伟达提议与印度联合开发芯片,因为该公司希望利用印度强大的半导体设计人才并挖掘这个不断增长的市场。这一提议是全球第二大市值公司创始人兼首席执行官黄仁勋在今年早些时候与印度总理纳伦德拉·莫迪在美国会面时提出的。随着英伟达的图形处理单元 (GPU) 芯片成为推动科技行业发展的人工智能(AI) 热潮中不可或缺的一部分,英伟达的估值飙升。印度电子和信息技术部部长 Ashwini Vaishnaw 向《印度经济时报》证实了这一进展,“是的,我们正在与英伟达讨论开发 AI 芯片;讨论目前处于初步阶段。”官员们表示,英伟达希望利用印度庞大的芯片设计基地,开发一款专为印度设计的芯片。“政府目前正在研究这种联合开发芯片的成本、效益、用例等细节,”其中一位官员说。这位知情人士表示,联合开发的芯片可以针对印度的使用情况进行定制,例如印度铁路的安全系统 Kavach。此外,这位官员补充说,如果政府在 AI 任务下推出该芯片,印度的初创企业、公司和政府可以使用该芯片来支持可能出现的各种应用程序。Nvidia 尚未回应有关注合个事情的询问。这家总部位于加州圣克拉拉的公司市值在短时间内就超过了微软和 Alphabet。目前其市值为 3.39 万亿美元,仅略低于全球市值最高的公司苹果的 3.57 万亿美元。黄仁勋本周晚些时候将访问印度,这是他每年都会访问印度的行程。去年 9 月,黄仁勋访问...
发布时间 :  2024 - 10 - 23
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10月16日,方正微电子发文称,公司作为第三代半导体领域的IDM企业,当前有两个fab。Fab1当前已实现SiC产能9000片/月(6英寸),预计2024年底产能将达到1.4万片/月,2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力,GaN当前产能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线将于2024年底通线,长远规划产能6万片/月。此外,方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力,中国第一。 当前,方正微电子系列产品覆盖了新能源汽车应用的全场景:1200V 16m/18m/20mΩ应用于主驱逆变控制器,1200V 35m/60m/85mΩ应用于OBC,1200V 60m/85mΩ应用于DC/DC,1200V 60m/85mΩ应用于空调压缩机,1200V 16m/20m/35m/60mΩ应用于充电桩等场景。方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用,特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。 方正微电子表示,公司车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驱控制器应用芯片为例,其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能关键指标,可媲美当前高端新能源车上应用的国际同行SiC MOS产品,个别指标领先,完全符合新能源汽车应用需求。据悉,方正微电子工...
发布时间 :  2024 - 10 - 21
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