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  • 在获得美国和欧盟的批准之后,SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务的交易,也已获得了韩国监管机构的批准。SK海力士收购英特尔NAND闪存业务的交易获得韩国监管机构批准,是由韩国媒体报道的。韩国媒体的报道显示,SK海力士收购英特尔NAND闪存业务的交易,已获得韩国公平贸易委员会的批准。从韩国媒体的报道来看,韩国公平贸易委员会较快批准这一收购交易,是因为他们认为交易在反垄断方面的担忧并不高。根据韩国公平贸易委员会的数据,收购英特尔NAND闪存业务之后,SK海力士在NAND闪存市场的份额,将由13%提升至27%,份额翻番,但并不会成为第一大厂商,目前已有厂商在这一领域的份额超过30%。SK海力士收购英特尔NAND闪存业务,是在去年10月份宣布的,SK海力士将以90亿美元的价格,收购英特尔NAND固态硬盘业务、NAND闪存和晶圆业务、在大连的NAND闪存制造工厂,还包括英特尔设计和制造NAND晶圆相关的知识产权、研发人员等,英特尔将保留拥有先进存储技术的傲腾业务。虽然SK海力士收购英特尔NAND闪存业务的交易,已获得美国、欧盟和韩国相关监管机构的批准,但还需要获得英国、巴西、新加坡等多个国家监管机构的批准。
    发布时间 :  2021 - 05 - 31
  • 据Mobile World Live报道,美国联邦通信委员会(FCC)提出了一项提案,禁止在美国移动网络中使用华为和中兴的设备,即使这些设备是用私有资金购买的,这可能会扩大目前涉及公共资金的禁令。它呼吁就扩大2019年通过的立法范围的提案发表评论,以涵盖从这两家供应商以及其他被美国立法者称为“不可信”的公司私人购买设备的行为。如果此举取得进展,将有效阻止美国公司获得在其网络中使用华为或中兴设备的许可。许多使用中国厂商设备的美国运营商都是区域性或农村地区的供应商,由于全球芯片短缺,一些运营商呼吁FCC在设备替换的时间表上作出让步。此次FCC征求意见之前,美国采取了具有类似意图的立法行动。本周早些时候,一项法案被提出,要求FCC停止审查或批准来自华为、中兴、海能达、海康威视和大华科技的申请。
    发布时间 :  2021 - 05 - 31
  • 晋阳湖·第二届集成电路和软件业峰会邀您参会啦!紧扣国家集成电路和软件产业重大战略部署聚焦“六新”突破谋划“十四五”时期山西集成电路和软件产业发展新布局全面塑造山西高质量转型发展新优势5月11日-12日召开“晋阳湖·第二届集成电路和软件业峰会”本届峰会主题为“把握新阶段、融入新格局、谋划新布局、塑造新优势”当前参会报名通道已经全面开启点扫描下方二维码进行报名按表格内要求提交申请理事会审核通过后将安排专人对接报名截止日期为2021年4月30日报名请选择“集成电路专题论坛”让我们再次相遇在山西·太原晋阳湖·第二届集成电路和软件业峰会期待您的到来!
    发布时间 :  2021 - 04 - 29
近日,美国加大了对中国半导体产业链的打压力度,将140个中国相关实体添加到“实体清单”,虽然大部分为半导体设备公司以及少量半导体软件公司,但这对下游芯片制造影响深远。对美国商务部的这一严重破坏国际经贸秩序的行为,12月3日,商务部决定加强相关两用物项对美国出口管制,中国汽车工业协会也发表声明称,美国新举措扰乱全球产业链的稳定,“美国汽车芯片产品不再可靠、不再安全”,建议中国汽车企业谨慎采购美国芯片。那么,中国汽车产业对美国汽车芯片的依赖度如何?国产化率有望提升至15%公开数据显示,2023年我国生产汽车3016万辆,超过第二至第五大汽车生产国的汽车产量之和(2970万辆),已连续15年蝉联全球最大的汽车产销国,这意味着,中国市场对汽车芯片的需求量全球领先。贝哲斯咨询数据显示,2023年全球及中国市场汽车芯片市场规模分别为2793.64亿元、658.18亿元,中国占比达23.56%。值得注意的是,中国也是全球汽车电动化、智能化发展的引领者,已连续9年蝉联全球最大的新能源汽车产销国,而新能源汽车对芯片的需求量将由燃油车的600-700颗/辆提升至1600颗/辆,智能汽车甚至提升至3000颗/辆,中国市场对汽车芯片的需求量正急剧扩大。不过我国依然是汽车芯片“穷国”,此前国产化率长期不足5%,2021年的汽车芯片短缺潮,让国内供应链看到了汽车芯片自主可控的重要性,吸引了大批企业和资本的布局...
发布时间 :  2024 - 12 - 06
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韩国财政部近日宣布,该国将于明年提供总额高达14万亿韩元(约合100亿美元)的低息贷款,旨在帮助半导体行业克服当前的挑战。据韩国财政部及相关媒体报道,为了应对来自美国新政府的政策不确定性以及中国半导体行业的快速发展,韩国计划于明年推出一项规模庞大的低息贷款计划,以支持其半导体产业。据路透社报道,这笔贷款将由韩国的国营银行负责发放。其中,1.8万亿韩元(约合12.6亿美元)将专门用于安装电力传输线路,以支持新建芯片聚落的企业运营。这一举措将有助于提高韩国的芯片制造能力,并吸引更多的芯片设备和无晶圆厂公司入驻。目前,韩国三星电子和SK海力士这两大半导体巨头正在首尔以南的龙仁市和平泽市建设巨型芯片聚落。这一项目将吸引全球范围内的芯片设备和无晶圆厂公司前来投资。韩国半导体产业也面临着来自中国和美国的双重压力。一方面,中国半导体行业近年来发展迅速,已经成为韩国企业在该领域的重要竞争对手。三星上个月就曾表示,中国竞争对手传统芯片供应量的增加对其第三季度的盈利结果产生了影响。另一方面,美国当选总统特朗普的政策方向也给韩国半导体产业带来了不确定性。特朗普在周一(25日)表示,他将在上任首日对墨西哥和加拿大的所有产品征收25%的关税,并对中国商品额外征收10%的关税。这一举措可能会引发全球贸易紧张局势的进一步升级,并对韩国半导体产业造成冲击。此外,韩国还担心特朗普政府可能会对其半导体产业采取更为严厉...
发布时间 :  2024 - 11 - 28
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在智能手机市场竞争日益激烈的背景下,安卓智能手机制造商普遍依赖高通和联发科等芯片供应商提供的“现成”芯片。据报道,2024年和2025年的大多数高端安卓智能手机都包含骁龙8 Elite和天玑9400等高端芯片。小米作为安卓智能手机市场的重要参与者,也在很大程度上依赖这两家公司。然而,随着市场竞争的加剧和成本的上升,小米开始意识到,在未来维持对这些合作伙伴的依赖可能会让成本变得更加昂贵,而提高盈利能力的关键之一是启动其定制芯片业务。根据最新报道,小米将于2025年正式推出自研的3nm SoC(系统级芯片)芯片。据悉,小米已经完成了其首款3nm芯片的流片,并计划在2025年实现量产。前尚无法确定这款处理器将应用于哪一款机型。小米自研3nm SoC芯片的推出,不仅有助于提高其自给自足能力,还可能在由高通客户主导的安卓市场中脱颖而出。这款芯片预计将为小米带来更高的性能和更低的功耗,从而提升其智能手机的市场竞争力。报道指出,小米在选择芯片代工合作伙伴方面,将主要依赖台积电。鉴于三星在提高其3nm GAA技术产量方面面临的问题,小米作为中国大陆公司,与台积电的合作成为其量产3nm芯片的关键。然而,这一合作也可能受到特朗普政府相关政策的限制,中国大陆实体可能需要获得许可证才能从台积电接收芯片出货。台积电在芯片代工行业占据主导地位,其5nm和3nm的产能利用率达到100%,这得益于英伟达的AI热潮...
发布时间 :  2024 - 11 - 27
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美国拜登政府明年1月卸职前,持续强化限制中国科技发展措施。美国全国商会(US Chamber of Commerce)透露,最快在28日感恩节前夕,公布限制中国科技发展的新出口管制措施,预计将有约200家中国芯片公司纳入贸易限制名单,无法获取美国公司的产品。紧接着,另一套限制高频宽存储(HBM)出口到中国的规定,也预计在12月间对外公布。该规定是更广泛限制中国人工智慧(AI)产业发展的一环。路透23日报导,该极具影响力的商会22日寄给会员的电子邮件揭露了上述内容。大多数美国供应商将禁止出货给在贸易限制名单的中国企业。报导引述知情人士指出,美方新措施可能包括限制晶片制造设备,出口到中国。报导指出,若上述消息属实,显示拜登即将卸任、特朗普明年1月20日开启第二任期之前,美国政府仍推动打击中国科技发展的计划。实际上,美国近期持续更新对中国的限制措施。10月24日,美国工业安全局公布一系列规则,扩大和强化对先进半导体与制造设备,以及超级电脑等项目的出口管制,避免中国获取这些对提升军事能力至关重要的产品。数日后,美国财政部公布最终规则,限制美国资金投资中国半导体、部分AI和量子科技等领域,并在明年1月生效。另外,11月上旬还传出美国商务部要求台积电与韩国三星电子自本月11日起,停止向中国客户供应7纳米或更先进技术的AI芯片。     来源:芯闻社
发布时间 :  2024 - 11 - 26
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自SK海力士官网获悉,11月21日,SK海力士官方宣布,开始量产全球最高的321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)14D NAND闪存。SK海力士表示,计划从明年上半年起向客户提供321层产品,由此应对市场需求。据悉,SK海力士在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug2”工艺技术,克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程,随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形3材料,引进了通孔间自动排列(Alignment)矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层,由此最大限度地减少了工艺变化,与上一代相比,其生产效率提升了59%。此次321层产品与上一代相比,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场,并逐渐扩大其应用范围。SK海力士NAND闪存开发相关负责人表示,率先投入300层以上的NAND闪存量产,在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储(Storage,存储装置)市场方面占据了有利地位。由此公司不仅在HBM为代表的DRAM,在NAND闪存领域也具备超高性能存储器产品组合,将跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。来源:未来半导体
发布时间 :  2024 - 11 - 22
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