SEMICON China 2025展会期间，中微公司宣布其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona™正式发布，实现了在等离子体刻蚀技术领域的又一次突破创新，标志着该公司向关键工艺全面覆盖的目标再进一步，也为公司的高质量发展注入强劲动能。该款12英寸边缘刻蚀设备Primo Halona™采用中微公司特色的双反应台设计，可灵活配置最多三个双反应台的反应腔，且每个反应腔均能同时加工两片晶圆，在保证较低生产成本的同时，满足晶圆边缘刻蚀的量产需求，从而实现更高的产出密度，提升生产效率。此外，设备腔体均搭载Quadra-arm机械臂，精准灵活，腔体内部采用抗腐蚀材料设计，可抵抗卤素气体腐蚀，为设备的稳定性与耐久性提供保证。此外，Primo Halona™配备独特的自对准安装设计方案，不仅可提高上下极板的对中精度和平行度，还可有效减少因校准安装带来的停机维护时间，从而帮助客户优化产能，精益生产。在设备智能化方面，Primo Halona™提供可选装的集成量测模块，客户通过该量测模板可实现本地实时膜厚量测，一键式实现晶圆传送的补偿校准，实现更好的产品维护性，大大提升后期维护效率。 来源：全球半导体观察
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1—2月，我国电子信息制造业生产增长较快，出口持续回升，效益有所下滑，投资增速小幅回落，行业整体发展态势良好。一、生产增长较快1—2月，规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.6%，增速分别比同期工业、高技术制造业高4.7个和1.5个百分点。 图1 电子信息制造业和工业增加值累计增速1—2月，主要产品中，微型计算机设备产量4700万台，同比增长7.2%；手机产量2.17亿台，同比下降6.1%，其中智能手机产量1.62亿台，同比下降6.8%；集成电路产量767亿块，同比增长4.4%。二、出口持续回升1—2月，规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比增长5.9%，较2024年提高3.7个百分点。 图2 电子信息制造业和工业出口交货值累计增速据海关统计，1—2月，我国出口笔记本电脑2223万台，同比增长16.5%；出口手机1.09亿台，同比下降11.7%；出口集成电路473亿个，同比增长20.1%。三、效益有所下滑1—2月，规模以上电子信息制造业实现营业收入2.32万亿元，同比增长9.2%；营业成本2.06万亿元，同比增长9.6%；实现利润总额387亿元，同比下降9.4%；营业收入利润率为1.67%。图3 电子信息制造业营业收入、利润总额累计增速四、投资增速小幅回落1—2月，电子信息制造业固定资产投资同比增长9.6%，较2024年回...
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根据电子材料咨询公司TECHCET的最新预测，2025年半导体硅零部件的收入将增长，达到8亿美元。这一增长得益于新系统销售和替换零件销售的适度增长，使新系统零件销售增长8%，替换零件销售增长2%。根据TECHCET的《关键材料报告™》关于硅零件的数据显示，预计2024年至2029年市场将以4.5%的复合年增长率（CAGR）增长，2027年收入预计将达到9.4亿美元。尽管2024年的增长有限，但提高半导体制造产量和效率的努力推动了市场发展，对高纯度硅组件的需求依然强劲。先进半导体制造设备的需求和持续的技术升级将继续推动市场发展，即使在宏观经济不确定性依然存在的情况下。公司预计也将从晶圆厂扩建和老化系统中日益增长的替换零件需求中受益。然而，地缘政治紧张局势，尤其是持续的中美贸易冲突，预计会对硅零件市场构成挑战。新的出口限制和关税导致成本增加和供应链中断，中国也对关键材料实施了管控。这些地缘政治风险凸显了公司多样化供应链和确保替代材料来源以维持未来几年生产稳定性的必要性。 来源：集微网
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在3月19日召开的GTC 2025大会上，英伟达CEO黄仁勋以“AI 工厂”为核心叙事，首次完整披露了2025至2028年的芯片路线图——通过硬件性能跃迁、软件生态闭环及物理AI场景渗透三大战略，勾勒出英伟达从“算力供应商”向“全栈生态主导者”的进化路径。一、硬件矩阵：一年一迭代，构建算力 “金字塔”英伟达延续 “科学家命名法”，以“Blackwell Ultra（2025）—Rubin（2026-2027）—Feynman（2028）”形成三代芯片矩阵，性能呈指数级跃升：1.Blackwell Ultra：量产即巅峰基于台积电4NP工艺的GB300系列已全面量产，单卡FP4算力达15 PetaFLOPS，搭载288GB HBM3E显存，推理速度较上一代Hopper架构提升11倍。机架级方案GB300 NVL72集成72颗GPU，支持液冷技术，推理性能突破每秒 1000 tokens（H100的10倍），已获亚马逊AWS、微软 Azure等四大云厂商360万片订单，占据全球超算市场70%份额。2.Rubin系列：性能跃迁900倍（1）2026年下半年推出Rubin NVL144，采用NVLink 144互联技术与HBM4内存，性能达Hopper架构的900倍，带宽提升2倍；（2）2027年升级至Rubin Ultra NVL576，搭载HBM4e内存，算力较Blackwell Ul...
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据报道，半导体行业迎来重大进展。韩国存储巨头SK海力士宣布，将独家为英伟达新一代Blackwell Ultra架构芯片提供第五代12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一合作进一步拉大了SK海力士与三星电子、美光科技等竞争对手的技术差距，并巩固其在高端AI内存市场的领先地位。技术优势与性能突破SK海力士的12层HBM3E芯片于2024年9月全球率先量产，单颗最大容量达36GB，运行速度高达9.6Gbps。在配备四个HBM的GPU上运行“Llama 3 70B”大语言模型时，每秒可读取35次700亿个参数，展现了其卓越的数据处理能力。与竞争对手的8层产品相比，SK海力士的12层堆叠设计不仅容量提升50%，还通过优化封装工艺（如Advanced MR-MUF技术）降低了功耗和散热压力。市场影响与竞争格局此次独家供应协议标志着英伟达对SK海力士技术的高度认可。此前，SK海力士已与英伟达达成紧密合作，例如2024年11月，英伟达CEO黄仁勋要求其提前六个月供应下一代HBM4芯片。而三星电子虽在2025年2月获得英伟达8层HBM3E的供应批准，但在堆叠层数和性能上仍落后于SK海力士。美光科技虽计划量产12层HBM3E，但未进入英伟达当前供应链，其重点转向2026年HBM4的量产。未来布局：HBM4加速推进SK海力士的技术领先不仅限于HBM3E。2025年3月19日，该公司宣布已向客户提供12层HB...
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3月17日，国内EDA龙头华大九天发布公告称，拟收购EDA企业芯和半导体，收购事项正在筹划，可能通过发行股份及支付现金等方式购买其资产。华大九天是国内规模最大、产品线最完整、综合技术实力最强的EDA龙头企业之一，致力于成为全流程、全领域、全球领先的EDA提供商。芯和半导体是国内领先的工业仿真软件供应商，在电磁场仿真、场路协同仿真、电热应力等多物理场仿真、信号完整性、电源完整性分析和系统级验证等应用领域，为芯片、封装、模组、互连到整机系统的全产业链客户提供较完整的仿真解决方案。当前，半导体行业正向设计与制造协同优化（DTCO）、系统与制造协同优化（STCO）转变。国际三大EDA巨头纷纷通过战略收购加速向系统级优化转型，不仅重塑自身业务版图，也深刻影响EDA产业链的格局。如2024年1月，新思科技宣布收购全球工业仿真软件供应商Ansys公司。华大九天收购芯和半导体，将在补齐短板的同时构建从芯片到系统级的完整解决方案，加快实现EDA全流程工具系统。业内人士分析称，华大九天的产品和芯和半导体的产品具有较强的互补性，整合后可以构建一系列从芯片到系统级的解决方案，包括构建完整的射频EDA解决方案、完整的存储EDA解决方案、完整的电源EDA解决方案和完整的先进封装EDA解决方案等。通过整合芯和半导体的产品和业务，可以大幅拓展华大九天可触及的市场规模，迅速扩大客户群体，实现公司业务的可持续性增长。...
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