10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的投产，加上德州达拉斯现有的氮化镓生产基地，德州仪器内部氮化镓功率半导体的产能将增加四倍。德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示：“德州仪器已成功认证了8英寸（200mm）氮化镓技术，并开始在日本会津工厂进行大规模生产。到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保公司整个氮化镓半导体产品组合的供应。”德州仪器指出，氮化镓作为硅的替代材料，在能效、开关速度、电源解决方案的尺寸和重量、整体系统成本以及高温高压条件下的性能等方面都具有优势。德州仪器依托新氮化镓制造技术，正将氮化镓芯片的拓展至更高的电压——从900V开始并逐步提升至更高压。 此外，德州仪器扩展投资还包括今年早些时候在12英寸（300mm）晶圆上成功开发氮化镓制造工艺的试点。进一步来说，德州仪器扩大的氮化镓制造工艺完全可转移到12英寸技术，使公司能够随时根据客户需求进行扩展，并在未来转向12英寸。 值得一提的是，在12英寸氮化镓方面，除了德州仪器，英飞凌今年9月就已宣布开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。据悉，12英寸晶圆...
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美国芯片制造商Wolfspeed公司于2024年10月23日宣布，由于电动汽车（EV）的采用速度较慢，公司已暂停在德国恩斯多夫（Ensdorf）建造一座半导体工厂的计划。该工厂原计划投资30亿美元，用于生产用于电动汽车的电脑芯片，此举突显了欧盟在提高半导体产量和减少对亚洲芯片依赖方面的挑战。Wolfspeed公司表示，该工厂计划生产的碳化硅芯片需求主要由全球电动汽车的采用推动，同时也用于工业和能源应用。该公司于2023年2月宣布了在德国建立工厂和研发中心的计划，这一决定对德国努力将自己定位为有吸引力的商业地点的努力构成了又一次挫折。据路透社周二报道，德国汽车供应商ZF公司有意退出与Wolfspeed在德国西部计划中的30亿美元微芯片制造项目。《金融时报》首次报道了这一新闻。此外，Wolfspeed公司的这一决定也影响了德国在半导体领域的竞争力。随着全球芯片供应链的紧张，各国都在寻求提高本国的芯片制造能力，以减少对外部供应商的依赖。Wolfspeed的这一决定可能会对德国在这一领域的努力产生负面影响。尽管如此，Wolfspeed公司并未完全放弃在德国的投资计划。公司可能会根据市场情况和电动汽车采用率的变化，重新评估其在德国的扩张策略。对于Wolfspeed以及整个半导体行业来说，这是一个不断变化和适应的时期。来源：全球产业研究
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2024年10月23日，全球半导体行业迎来了一次震撼性的消息——Arm公司决定取消对其长期合作伙伴高通的芯片设计许可。这一决策不仅引起了业界的广泛关注，更可能对全球智能手机和PC市场产生深远影响。据相关报道，Arm公司已经提前60天通知高通，将取消其基于Arm知识产权设计芯片的架构许可协议。这一协议原本允许高通基于Arm的标准设计自己的芯片，广泛应用于多数Android智能手机和其他智能设备中。高通每年销售数亿颗处理器，其技术占据了智能手机市场的显著份额。因此，此次许可的取消无疑将对高通的未来产品开发造成重大影响。对于高通而言，失去Arm的芯片设计许可将意味着其需要迅速找到替代方案，以确保其产品在全球市场上的竞争力。市场分析师指出，这一变动可能导致高通在芯片研发速度和创新能力上受阻，从而在与苹果、谷歌等竞争对手的竞争中处于不利局面。高通发言人对此表示，这是Arm的一贯做法，旨在强行压迫长期合作伙伴，干扰其性能领先的CPU产品，并试图提高许可费率。高通有信心，双方协议中涵盖的权利将得到法院的确认，Arm的反竞争行为将不会被容忍。而对于Arm而言，这一决策背后或许有着更深层次的考量。业内人士分析，Arm可能因与高通的合作中遇到的商务问题而做出这一决定。此外，Arm作为行业内的重要技术提供者，其此次举动也可能是在重新审视与合作伙伴的关系，以确保自己的市场地位。从消费者的角度来看，这一变动...
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近日，美国拜登政府正式确定了对半导体制造项目提供25%税收抵免的新规定，此举标志着2022年《芯片与科学法案》中的激励计划适用范围得到了显著扩大。新规不仅涵盖了生产最终制成半导体的晶圆企业，还包括了芯片和芯片制造设备的制造商，为更多企业带来了税收上的实惠。这一新规是在最初拟议版规则提出一年多以后推出的，意味着能够获得税收优惠的公司范围将更广。拜登政府此举旨在进一步激发半导体产业的创新活力和生产动力，以加强美国的经济、国家安全和供应链。自《芯片法案》出台以来，世界各地的企业反应热烈，在美国宣布了数十个新的半导体生态系统项目，私人投资总额远超2000亿美元。这些项目将在半导体生态系统中创造数以万计的直接就业机会，并将支持整个美国经济中数十万个额外就业机会。此次税收优惠的扩大，无疑将为这些项目的推进和实施提供更加有力的支持。值得注意的是，此次税收抵免的适用范围还扩展到了太阳能晶圆。这一意外调整可能有助于刺激美国国内太阳能组件的生产，从而在一定程度上缓解美国在这一领域的制造困境。尽管近年来对美国面板制造工厂的投资激增，但美国在零部件制造方面仍面临挑战。新规的实施，有望为美国太阳能产业的发展注入新的动力。然而，此次税收优惠并未扩大到整个半导体供应链。制造晶圆所需的多晶硅等基础材料的生产厂家依然被排除在外。尽管如此，这一新规仍然是对半导体产业的重要支持，有望进一步提升美国在全球半导体领域的竞争...
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知情人士透露，英伟达提议与印度联合开发芯片，因为该公司希望利用印度强大的半导体设计人才并挖掘这个不断增长的市场。这一提议是全球第二大市值公司创始人兼首席执行官黄仁勋在今年早些时候与印度总理纳伦德拉·莫迪在美国会面时提出的。随着英伟达的图形处理单元 (GPU) 芯片成为推动科技行业发展的人工智能(AI) 热潮中不可或缺的一部分，英伟达的估值飙升。印度电子和信息技术部部长 Ashwini Vaishnaw 向《印度经济时报》证实了这一进展，“是的，我们正在与英伟达讨论开发 AI 芯片；讨论目前处于初步阶段。”官员们表示，英伟达希望利用印度庞大的芯片设计基地，开发一款专为印度设计的芯片。“政府目前正在研究这种联合开发芯片的成本、效益、用例等细节，”其中一位官员说。这位知情人士表示，联合开发的芯片可以针对印度的使用情况进行定制，例如印度铁路的安全系统 Kavach。此外，这位官员补充说，如果政府在 AI 任务下推出该芯片，印度的初创企业、公司和政府可以使用该芯片来支持可能出现的各种应用程序。Nvidia 尚未回应有关注合个事情的询问。这家总部位于加州圣克拉拉的公司市值在短时间内就超过了微软和 Alphabet。目前其市值为 3.39 万亿美元，仅略低于全球市值最高的公司苹果的 3.57 万亿美元。黄仁勋本周晚些时候将访问印度，这是他每年都会访问印度的行程。去年 9 月，黄仁勋访问...
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10月16日，方正微电子发文称，公司作为第三代半导体领域的IDM企业，当前有两个fab。Fab1当前已实现SiC产能9000片/月（6英寸），预计2024年底产能将达到1.4万片/月，2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力，GaN当前产能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线将于2024年底通线，长远规划产能6万片/月。此外，方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力，中国第一。 当前，方正微电子系列产品覆盖了新能源汽车应用的全场景：1200V 16m/18m/20mΩ应用于主驱逆变控制器，1200V 35m/60m/85mΩ应用于OBC，1200V 60m/85mΩ应用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ应用于空调压缩机，1200V 16m/20m/35m/60mΩ应用于充电桩等场景。方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用，特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。 方正微电子表示，公司车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驱控制器应用芯片为例，其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能关键指标，可媲美当前高端新能源车上应用的国际同行SiC MOS产品，个别指标领先，完全符合新能源汽车应用需求。据悉，方正微电子工...
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