3月10日，工信部在网站披露关于废止《集成电路设计企业认定管理办法》的通知，这将减少相关公司申报工作量，进而直接享受相关优惠政策。 根据通知，按照党中央、国务院深化“放管服”改革部署，为深入推进行政审批制度改革，工信部、发改委、财政部、税务总局决定废止《集成电路设计企业认定管理办法》。 “事实上，作为一项行政审批，工信部早在2015年就取消了对集成电路（IC）设计企业的认定。”记者采访业内人士获悉，本次公布该项文件，只是给政策画上一个“休止符”。 取消认定后，对IC设计公司有什么影响？“现在不用去走认定程序，只要符合相关条件，直接享受相关的优惠政策。”某IC设计公司负责人告诉记者，这给公司减少了很多申报的工作量，比如税收方面，他所在公司在2018年就直接享受了“两免三减半”政策。 记者了解到，在工信部等取消了对IC设计企业的认定后，将权力下放至税务、海关等各个条口及地方，各方按照自己的方式和意愿操作，这不仅体现了工信部等深化“放管服”，也使得地方可以更加灵活、方便地支持相关企业发展。来源：上海证券报版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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2019年8月，国务院印发的《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区总体方案》指出，建设集成电路综合性产业基地，推动核心芯片、特色工艺、关键装备和基础材料等重点领域发展，推动核心芯片、特色工艺、关键装备和基础材料等重点领域发展。当前，临港地区已集聚了积塔半导体、新升半导体、盛美半导体、中微半导体等一批集成电路企业，涉及设计、制造、封装、测试、材料、装备等全产业链。现在，又一个百亿级集成电路重大项目正式落户上海临港。3月5日，格科微电子（香港）有限公司与上海自贸区临港新片区管委会签订合作协议，拟在新片区投资建设“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”，计划今年年中启动，2021年建成首期。据上海经信委官微指出，格科微电子将在临港建设全球技术水平最高的图像传感器生产线，计划总投资22亿美元，全面建成后预计年产值110亿元人民币。项目计划建设一座12英寸月产6万片晶圆的CMOS图像传感芯片厂，建成能够有效解决我国高端CMOS图像传感器芯片卡脖子问题，对上海打造具有国际影响力和竞争力的集成电路产业高地意义重大。 资料显示，格科微电子是国内知名的图像传感器芯片设计公司，位于上海浦东张江高科技园区，公司主要从事CMOS图像传感器芯片以及应用系统的设计开发和销售。新片区管委会相关负责人表示，此次格科微电子在临港新片区投资建设“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”，一...
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为了保证产品的可靠性，最基本的方法就是要选择固有可靠性高的元器件。元器件的固有可靠性一般与质量、可靠性等级密切相关，另外也与生产厂商的信誉、技术的成熟程度及元器件的使用历史等相关。本文重点介绍在军事领域，半导体集成电路质量等级是如何选择的，以及选用的可靠性要求。半导体集成电路包括半导体单片集成电路（数字电路、模拟电路、微处理器、存储器）和混合集成电路。半导体集成电路质量等级选择1、国产半导体单片集成电路质量等级与质量系数和质量保证等级质量等级、质量系数和质量保证等级列出表1。表中质量系数是指不同质量等级对元器件工作失效率影响的调整系数。在设备可靠性预计中计算元器件工作失效率时使用，质量系数越小，元器件工作失效率越低。表1 半导体单片集成电路质量等级与质量系数πQ和质量保证等级质量等级质量要求说明质量要求补充说明πQ相应的质量保证等级AA1符号GJB597A列入质量认证合格产品目录的S级产品—SA2符合GJB597A列入质量认证合格产品目录的B级产品—0.10BA3符合GJB597A列入质量认证合格产品目录的B1级产品—0.14B1A4符合GB4589.1的III类产品，或经中国电子元器件质量认证委员会认证合格的II类产品按QZJ840614~840615“七专”技术条件组织生产的I、IA类产品；符合SJ331的I、IA类产品0.25G...
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近日，经广州南沙经济技术开发区管理委员会批准，广州南沙经济技术开发区规划和自然资源局公开挂牌出让1宗国有建设用地使用权。挂牌出让土地位置位于万顷沙镇智能网联汽车产业示范园东南侧、万泰路南侧，土地面积为162554平方米，规划用途为一类工业用地。挂牌出让地块的基本情况和规划指标要求：根据广州南沙区政府披露的消息，竞得人须承诺在广州市南沙区注册成立的具有独立法人资格的公司，注册资本不低于1亿元；主要从事集成电路研发生产，并承诺在竞得土地后须以IDM（垂直整合制造）模式建设年产不少于30万片的8英寸晶圆及芯片生产线及年产不少于5万片的12英寸晶圆及芯片生产线。同时，竞得人核心技术团队须具备实现40纳米、28纳米芯片产品(包括数模混合产品设计与制造)的技术能力，具有建设运营不少于5座国内外知名半导体工厂的经验；竞得人须自土地移交之日起1个月内动工开发建设，18个月内建成并投产。据悉，该土地网上挂牌时间（网上报价时间）为2020年3月2日至2020年3月11日15时。来源：全球半导体观察 版权归原作者所有，如涉及版权等问题，请联系删除。
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为深入贯彻落实习近平总书记重要讲话重要指示批示精神，全面贯彻党中央决策部署，扎实推进我省5G网络建设和商用步伐，近日我省在落实《福建省加快5G产业发展实施意见》的基础上，就进一步支持我省5G网络建设和产业发展出台十八条措施。主要内容有—— 加强统筹规划 1.组织编制5G基站专项规划；专项规划要衔接国土空间总体规划，并纳入国土空间详细规划，规划数据进入国土空间基础信息平台统筹利用。 2.各市、县（区）每年将5G基站及机房等配套设施用地需求统筹纳入土地利用年度计划；对征迁基站的，应严格按照有关规定落实补偿。 3.加快制定我省建筑物通信基础设施建设标准，将5G基站和室内分布系统等通信基础设施与建筑物同步规划、同步设计、同步审批、同步施工和同步验收。 开放公共资源 4.整合利用路灯杆、信号杆、监控杆、电力杆、通信杆等各类杆塔资源，统筹推进“一杆多用”智慧杆建设。新建、改扩建道路要统一规划和建设智慧杆，支持相关单位按需将现有道路各类存量杆塔逐步改造为智慧杆。 5.加大公共设施...
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长期以来，技术领先一直是台积电成功的关键。台积电5nm工艺拥有世界上最小的SRAM单元（0.021平方微米），除开创性的器件工艺，例如高迁移率沟道（HMC），极紫外（EUV）图形化的应用外（可在此高级节点上实现更高的良率和更短的生产周期），他们还持续精进其写入辅助（write assist）电路的设计细节以实现这一革命性的工艺技术。半导体技术的发展一直由应用领域推动，如图1所示，当下的在高性能计算（HPC），人工智能（AI）和5G通信，都要求在有限的功耗下实现最高性能。图1.半导体技术应用的演进。台积电在IEDM 2019上发布了其5nm工艺，他们在5nm工艺中使用了十几张极紫外（EUV）掩模，每张EUV代替三个或多个浸没掩模以及采用高迁移率沟道（HMC）的以获得更高性能。其5nm工艺自2019年4月起投入风险量产，并于2020年第一季度实现全面量产。Jonathan Chang等人在ISSCC 2020上展示了用于开发高性能SRAM单元和阵列的技术方案。FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T SRAM单元中的所有晶体管仅能使用一个Fin。通过设计工艺协同优化（DTCO）对设计进行了优化，以提供高性能和高密度以及高产量和可靠性。图2展示了2011年至2019年的SRAM单元面积的微缩历程。图2.展示了2011年至2019年的SRAM单元面积微缩历程。但值得注意...
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